技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于ZnO薄膜晶體管的集成式全固態(tài)中子探測(cè)器及其制備方法，在Si襯底上采用射頻磁控濺射法制備一層高質(zhì)量的ZnO薄膜，在此基礎(chǔ)上采用光刻工藝制備ZnO薄膜晶體管紫外光探測(cè)器，再在其上采用磁控濺射法制備表面均勻，結(jié)晶質(zhì)量和閃爍性能良好的B、Ga共摻雜ZnO閃爍體薄膜，從而制備了硼鎵共摻ZnO閃爍體薄膜?ZnO薄膜晶體管紫外光探測(cè)器?Si襯底結(jié)構(gòu)的中子探測(cè)器。本發(fā)明采用B、Ga共摻雜ZnO閃爍體薄膜作為中子轉(zhuǎn)化層將中子轉(zhuǎn)化成α粒子，α粒子進(jìn)一步激發(fā)B、Ga共摻雜ZnO閃爍體薄膜產(chǎn)生紫外線，再利用ZnO薄膜晶體管紫外光探測(cè)器對(duì)紫外光進(jìn)行探測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)中子的探測(cè)，檢測(cè)精度高，可靠性高。

技術(shù)研發(fā)人員：唐可;王宇彤;黃健;陸元曦;胡塵;鄒天宇;張佳迪;王林軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710079697
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.15
技術(shù)公布日：2017.06.20