一種中子探測器硼膜陰極及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種中子探測器硼膜陰極及其制備方法。中子探測器硼膜陰極，是一種具有良好電學(xué)性能和中子靈敏性能的探測器陰極。陰極采用導(dǎo)電金屬Al基體，陰極表面覆有中子靈敏薄膜，中子靈敏薄膜的原料組分包括：100份硼粉、15-25份7-12份固化劑和30-40份有機(jī)溶劑，所述份數(shù)為質(zhì)量份數(shù)。本發(fā)明一種中子探測器硼膜陰極，制備簡單、成本低廉，附著力高、均勻性好，所得探測器的探測效率高。
【專利說明】一種中子探測器硼膜陰極及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種中子探測器硼膜陰極及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]中子的探測在和探測技術(shù)中占有特殊地位，它比帶電粒子或Y射線的探測要困難得多，主要通過它與原子核相互作用產(chǎn)生帶電粒子或者Y光子來實(shí)現(xiàn)。近年來涂硼氣體探測器相比充3He或BF3探測器優(yōu)勢凸現(xiàn)，逐漸成為一種主要中子探測工具。定量涂硼陰極技術(shù)是制作涂硼氣體探測器的重中之重，關(guān)系到探測器性能參數(shù)的確定及其使用環(huán)境的選擇。
[0003]因涂硼探測器發(fā)展起步較晚，國內(nèi)外有關(guān)定量涂硼陰極技術(shù)的報(bào)道甚少，且現(xiàn)有技術(shù)中的陰極硼膜存在附著力差、均勻性差，從而影響探測器的探測效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明新提供了一種中子探測器硼膜陰極及其制備方法。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種中子探測器硼膜陰極，陰極表面覆有中子靈敏薄膜，中子靈敏薄膜的原料組分包括:100份硼粉、15-25份
【權(quán)利要求】
1.一種中子探測器硼膜陰極，其特征在于:陰極表面覆有中子靈敏薄膜，中子靈敏薄膜的原料組分包括:100份硼粉、15-25份
2.如權(quán)利要求1所述的中子探測器硼膜陰極，其特征在于:原料組分還包括3-5份增韌劑，所述份數(shù)為質(zhì)量份數(shù)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的中子探測器硼膜陰極，其特征在于:原料組分還包括6-8份HO-[-CH2-NH-CO-NH-CH2-O] n-H、1-2 份(COOH)2 和 8-1 份 C6H6O,所述份數(shù)為質(zhì)量份數(shù)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的中子探測器硼膜陰極，其特征在于:原料組分還包括3-4份
5.如權(quán)利要求1或2所述的中子探測器硼膜陰極，其特征在于:
6.如權(quán)利要求1或2所述的中子探測器硼膜陰極，其特征在于:硼粉中BlO豐度不小于 90%。
7.如權(quán)利要求1或2所述的中子探測器硼膜陰極，其特征在于:固化劑為聚醚胺固化劑和酚醛胺類固化劑質(zhì)量比為1.1-1.3的混合物。
8.如權(quán)利要求1或2所述的中子探測器硼膜陰極，其特征在于:有機(jī)溶劑為四氫呋喃、富馬酸二甲酯、二甲基亞砜或丙酮；硼膜的厚度為2.5-3.5um。
9.權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的中子探測器硼膜陰極的制備方法，其特征在于:包括順序相接的如下步驟: A、陰極處理:將陰極打磨、拋光、清洗、烘干； B、將除硼粉以外的原料組分混勻，得涂布液； C、將陰極上均勻涂布一層涂布液后，均勻噴灑硼粉，然后再上一層涂布液； D、將步驟C所得在92-96°C保溫2-2.5小時，即得。
10.包含權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的中子探測器硼膜陰極的中子探測器，其特征在于:工作氣體為90% Ar與10% CH4的混合物。
【文檔編號】G01T3/00GK103995280SQ201410197126
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年5月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月9日
【發(fā)明者】魏志勇, 陳國云, 朱立, 方美華, 張紫霞, 雷勝杰 申請人:南京航空航天大學(xué)