本發(fā)明涉及平板顯示技術領域，特別是涉及一種有機發(fā)光顯示器件及顯示裝置。

背景技術：

有機顯示裝置可以使用紅綠藍的子像素顯示彩色的圖像，并且由于其優(yōu)良的亮度和色純度而被作為下一代顯示裝置。為了提高顯示裝置的分辨率，需要減小像素的尺寸，這樣用于蒸鍍的掩膜板開口也要變小，但受掩膜板制備工藝的影響，此開口的尺寸是有限制的；因此限制了顯示器分辨率的提高。尤其在頂發(fā)光有機發(fā)光二極管顯示裝置中，由于紅綠藍器件的波長不同，在頂發(fā)光有機發(fā)光顯示器件中需要對綠光和紅光器件進行光學補償。

目前一般采用ITO對綠光和紅光器件進行光學補償，但是采用ITO進行光學補償增加刻蝕難度，不利于實現(xiàn)。

另外，目前還有采用空穴注入層HIL對綠光和紅光器件進行光學補償，采用HIL光學補償?shù)挠袡C發(fā)光顯示器件的結構如圖1所示。該有機發(fā)光顯示器件100’包括第一電極110’、第二電極120’、以及位于第一電極110’和第二電極120’之間的功能結構層130’；功能結構層130’依次包括位于所述第一電極110’上的空穴注入層131’、空穴傳輸層132’、有機發(fā)光層、電子傳輸層134’、以及電子注入層135’；有機發(fā)光層為并排設置的紅光發(fā)光層1331’、綠光發(fā)光層1332’、以及藍光發(fā)光層1333’；在空穴注入層131’和空穴傳輸層132’之間對應紅光發(fā)光層1331’、綠光發(fā)光層1332’的區(qū)域分別還設有紅光光學補償層139’以及綠光光學補償層138’。紅光光學補償層139’以及綠光光學補償層138’與空穴注入層131’一樣均可以采用空穴注入材料制成。

上述有機發(fā)光顯示器件的制造過程中，會多次使用到精密掩膜板，尤其是使用精密掩膜板進行紅光器件光學補償須大于60nm，也即蒸鍍紅光光學補償層139’的厚度大于60nm，量產(chǎn)線長時間蒸鍍容易阻塞掩膜板。

技術實現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對現(xiàn)有的有機發(fā)光顯示器件制備過程中掩膜板易阻塞的問題，提供一種制備過程中不易阻塞掩膜板的有機發(fā)光顯示器件。

一種有機發(fā)光顯示器件，包括第一電極、第二電極、以及位于第一電極和第二電極之間的功能結構層；

所述功能結構層依次包括位于所述第一電極上的空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層、以及電子注入層；

有機發(fā)光層依次包括藍光發(fā)光材料層、部分遮擋所述藍光發(fā)光材料層的綠光阻擋層、綠光發(fā)光材料層、部分遮擋所述綠光發(fā)光材料層上的紅光阻擋層、以及紅光發(fā)光材料層；

所述藍光發(fā)光材料層位于所述有機發(fā)光層內靠近所述空穴傳輸層的一側，所述綠光阻擋層以及所述紅光阻擋層光阻擋層均為電子阻擋層；

或，

所述藍光發(fā)光材料層位于所述有機發(fā)光層內遠離所述空穴傳輸層的一側，所述綠光阻擋層以及所述紅光阻擋層均為空穴阻擋層。

在其中一個實施例中，所述紅光阻擋層的厚度為1～20nm。

在其中一個實施例中，所述綠光阻擋層的厚度為1～20nm。

在其中一個實施例中，所述藍光發(fā)光材料層的厚度為10～60nm。

在其中一個實施例中，所述綠光發(fā)光材料層的厚度為10～60nm。

在其中一個實施例中，所述藍光發(fā)光材料層、所述綠光發(fā)光材料層、以及所述紅光發(fā)光材料層均采用單主體發(fā)光材料。

在其中一個實施例中，所述第一電極為氧化銦錫電極。

在其中一個實施例中，所述第二電極為鎂銀合金電極。

在其中一個實施例中，所述有機發(fā)光顯示器件還包括光學耦合層，所述光學耦合層位于所述第二電極上遠離所述第一電極的一側。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，其包括本發(fā)明所提供的有機發(fā)光顯示器件。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器件，通過特殊的有機發(fā)光層結 構設置，藍光發(fā)光材料層以及綠光發(fā)光材料層的制備均不需要精密掩膜板，降低了精密掩膜板的使用數(shù)量。另外，紅光的光學補償為：藍光發(fā)光材料層的厚度+綠光阻擋層的厚度+綠光發(fā)光材料層的厚度+紅光阻擋層的厚度，其中，紅光阻擋層的厚度可以設置地較小，不會在蒸鍍過程中堵塞掩膜板。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術中的有機發(fā)光顯示器件的結構示意圖。

圖2為實施例1的有機發(fā)光顯示器件的結構示意圖。

圖3為實施例2的有機發(fā)光顯示器件的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

參見圖2，圖2為實施例1的有機發(fā)光顯示器件的結構示意圖。一種有機發(fā)光顯示器件100，包括第一電極110、第二電極120、以及位于第一電極110和第二電極120之間的功能結構層130。

其中，第一電極110可以采用無機材料或有機導電聚合物制成，其中無機材料可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化鋅、氧化銦鋅等金屬氧化物，亦可以采用金、銅、銀等功函數(shù)較高的金屬。在本實施例中，第一電極110為氧化銦錫電極，第二電極120一般采用銀、鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬、亦或金屬化合物或合金制成。本發(fā)明優(yōu)選為金屬鎂銀共蒸鍍電極，也即第二電極120為鎂銀合金電極。

本實施例中的有機發(fā)光顯示器件100為頂發(fā)光，為了進一步優(yōu)化其性能，在第二電極120上遠離功能結構層130的一側還設有光學耦合層190。當然，也可以不設光學耦合層190。

其中，功能結構層130依次包括位于第一電極110上的空穴注入層131、空穴傳輸層132、有機發(fā)光層133、電子傳輸層134、以及電子注入層135。

其中，有機發(fā)光層133依次包括藍光發(fā)光材料層1335、部分遮擋藍光發(fā)光材料層1335的綠光阻擋層1334、綠光發(fā)光材料層1333、部分遮擋綠光發(fā)光材料層1333上的紅光阻擋層1332、以及紅光發(fā)光材料層1331。

在本實施例中，藍光發(fā)光材料層1335位于有機發(fā)光層133內靠近空穴傳輸層132的一側；也就是說，藍光發(fā)光材料層1335緊貼電子傳輸層134，紅光發(fā)光材料層1331緊貼空穴傳輸層132。

在本實施例中，綠光阻擋層1334為空穴阻擋層，即該層可以阻擋空穴穿過，但電子可穿過。同樣，紅光阻擋層1332也為空穴阻擋層，即該層可以阻擋空穴穿過，但電子可穿過。空穴阻擋層材料可以選擇BAlq、Bphen等。

其中，綠光發(fā)光材料層1333以及綠光阻擋層1334的形狀尺寸基本相同，厚度可以相同，亦可以不相同。當然，綠光阻擋層1334可略微大于綠光發(fā)光材料層1333的形狀尺寸。同樣，紅光發(fā)光材料層1331以及紅光阻擋層1332的形狀尺寸基本相同，厚度可以相同，亦可以不相同。當然，紅光阻擋層1332可略微大于紅光發(fā)光材料層1331的形狀尺寸。

其中，藍光發(fā)光材料層1335未被綠光阻擋層1334遮擋的部分形成藍光發(fā)光區(qū)；而被綠光阻擋層1334遮擋的部分，由于綠光阻擋層1334阻擋了空穴穿過，從而使空穴無法到達該部分，進而空穴和電子無法結合，故該遮擋的部分不發(fā)藍光。由于綠光阻擋層1334并不阻擋電子，電子可以穿過綠光阻擋層1334進入綠光發(fā)光材料層1333，同樣，綠光發(fā)光材料層1333未被紅光阻擋層1332遮擋的部分形成綠光發(fā)光區(qū)；而被紅光阻擋層1332遮擋的部分，由于紅光阻擋層1332阻擋了空穴穿過，從而使空穴無法到達該部分，進而空穴和電子無法結合，故該遮擋的部分也不發(fā)綠光。而紅光發(fā)光材料層1331由于電子和空穴均可以達到，故紅光發(fā)光材料層1331形成紅光發(fā)光區(qū)。

其中，綠光的光學補償為：藍光發(fā)光材料層1335的厚度+綠光阻擋層1334的厚度；紅光光學補償為：藍光發(fā)光材料層1335的厚度+綠光阻擋層1334的厚度+綠光發(fā)光材料層1333的厚度+紅光阻擋層1332的厚度。

其中，藍光發(fā)光材料層1335采用開口掩膜板進行蒸鍍，其厚度優(yōu)選為10-60nm，本實施例中藍光發(fā)光材料層1335的厚度為35nm。

綠光阻擋層1334的厚度可以根據(jù)綠光的需要光學補償設置，綠光阻擋層1334的厚度優(yōu)選為1～20nm，本實施例中綠光阻擋層1334的厚度為10nm。

綠光發(fā)光材料層1333采用低精度的精密掩膜板進行蒸鍍，其厚度為10～60nm，本實施例中綠光發(fā)光材料層1333的厚度為30nm。

紅光阻擋層1332的厚度可以根據(jù)綠光的需要光學補償設置，紅光阻擋層1332的厚度優(yōu)選為1～20nm，本實施例中紅光阻擋層1332的厚度為10nm。

紅光發(fā)光材料層1331采用精密掩膜板進行蒸鍍，其厚度優(yōu)選為10～60nm,本實施例中紅光發(fā)光材料層的厚度為30nm。

在本實施例中，藍光發(fā)光材料層1335和綠光發(fā)光材料層1333均采用偏電子型的單主體材料。這樣有利于電子傳輸?shù)郊t光發(fā)光材料層1331。

在本實施例中，藍光發(fā)光材料層1335、綠光發(fā)光材料層1333和紅光發(fā)光材料層1331均采用單主體發(fā)光材料，這樣可以降低有機發(fā)光顯示器件制造工藝難度，提升有機發(fā)光顯示器件的良率。

本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器件，通過特殊的有機發(fā)光層結構設置，藍光發(fā)光材料層以及綠光發(fā)光材料層的制備均不需要精密掩膜板，降低了精密掩膜板的使用數(shù)量。另外，紅光的光學補償為：藍光發(fā)光材料層的厚度+綠光阻擋層的厚度+綠光發(fā)光材料層的厚度+紅光阻擋層的厚度，其中，紅光阻擋層的厚度可以設置地較小，不會在蒸鍍過程中堵塞掩膜板。

參見圖3，圖3為實施例2的有機發(fā)光顯示器件的結構示意圖。實施例2中的有機發(fā)光顯示器件基本結構與實施例1相同，與實施例1所不同的是有機發(fā)光層133的結構。

實施例2的有機發(fā)光層133同樣依次包括藍光發(fā)光材料層1335、部分遮擋藍光發(fā)光材料層1335的綠光阻擋層1334、綠光發(fā)光材料層1333、部分遮擋綠光發(fā)光材料層1333上的紅光阻擋層1332、以及紅光發(fā)光材料層1331。

在本實施例中，藍光發(fā)光材料層1335位于有機發(fā)光層133內靠近空穴傳輸層132的一側；也就是說，藍光發(fā)光材料層1335緊貼空穴傳輸層132，紅光發(fā)光材料層1331緊貼電子傳輸層134。

在本實施例中，綠光阻擋層1334為電子阻擋層，即該層可以阻擋電子穿過， 但空穴可穿過。同樣，紅光阻擋層1332也為電子阻擋層，即該層可以阻擋電子穿過，但空穴可穿過。

藍光發(fā)光材料層1335未被綠光阻擋層1334遮擋的部分形成藍光發(fā)光區(qū)；而被綠光阻擋層1334遮擋的部分，由于綠光阻擋層1334阻擋了電子穿過，從而使電子無法到達該部分，進而空穴和電子無法結合，故該遮擋的部分不發(fā)光。由于綠光阻擋層1334并不阻擋空穴，空穴可以穿過綠光阻擋層1334進入綠光發(fā)光材料層1333，同樣，綠光發(fā)光材料層1333未被紅光阻擋層1332遮擋的部分形成綠光發(fā)光區(qū)；而被紅光阻擋層1332遮擋的部分，由于紅光阻擋層1332阻擋了電子穿過，從而使電子無法到達該部分，進而空穴和電子無法結合，故該遮擋的部分也不發(fā)光。而紅光發(fā)光材料層1331由于電子和空穴均可以達到，故紅光發(fā)光材料層1331形成紅光發(fā)光區(qū)。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明所提供的有機發(fā)光顯示器件。

以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。