技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種AlGaInP發(fā)光二極管薄膜芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法，該薄膜芯片包括：P電極、鍵合基板、鍵合金屬層、金屬反射導電層、介質(zhì)層、P面接觸電極、P型電流擴展層、P型限制層、P側(cè)空間層、多量子阱發(fā)光區(qū)、N側(cè)空間層、N型限制層、N型粗化層、N型歐姆接觸層、N電極，特征是：在N型限制層和N型粗化層之間設有N型電流擴展層，N型粗化層使用的(AlxGa1?x)0.5In0.5P材料中的鋁組份x滿足0.5≤x≤1，采用稀鹽酸(鹽酸∶水＝x∶3，1＜x＜3)腐蝕粗化，提高出光效率；N型電流擴展層所使用的(AlxGa1?x)0.5In0.5P材料中的鋁組份x滿足0.1≤x≤0.5，這種低鋁組份的(AlxGa1?x)0.5In0.5P材料電子遷移率高，可以提高電流擴展能力。

技術(shù)研發(fā)人員：李樹強;江風益
受保護的技術(shù)使用者：南昌大學;南昌黃綠照明有限公司
文檔號碼：201710079648
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.14
技術(shù)公布日：2017.05.17