1.一種SONOS工藝方法，其中SONOS器件的單元結構包括一個存儲單元管和一個選擇管，所述方法包括以下步驟：
步驟一、提供一硅襯底，在所述存儲單元管的形成區(qū)域形成ONO層；進入爐管在所述選擇管的形成區(qū)域生長柵氧化層，淀積多晶硅并定義柵極；
步驟二、采用存儲單元LDD注入的掩膜版對所述存儲單元管和所述選擇管進行LDD注入，然后在先不去除光刻膠的情況下繼續(xù)進行存儲單元管的柵極以外的ONO去除，最后再去除光刻膠；
步驟三、進行側(cè)墻沉積，完成側(cè)墻刻蝕；
步驟四、對存儲單元管及選擇管進行重摻雜的源漏注入。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟一中所述ONO層由依次形成于所述硅襯底表面的第一氧化硅層、第二氮化硅層和第三氧化硅層組成。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟一中所述定義柵極是定義存儲單元管的柵極及選擇管的柵極，此時其它邏輯區(qū)域同時定義柵極。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟一的形成所述ONO層之前，還包括在所述硅襯底中進行深N阱注入及P阱注入。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，在進行所述深N阱注入及P阱注入之后、形成所述ONO層之前，還包括在所述存儲單元管的形成區(qū)域進行耗盡注入，通過所述耗盡注入調(diào)節(jié)所述存儲單元管的閾值電壓窗口。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，進行耗盡注入時采用隧道注入的掩膜版。
7.如權利要求1或4或5所述的方法，其特征在于，在步驟一的形成所述ONO層之后、在步驟一的生長柵氧化硅層之前，還包括刻蝕掉邏輯區(qū)域及選擇管的形成區(qū)域的ONO層的步驟。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述刻蝕掉邏輯區(qū)域及選擇管的形成區(qū)域的ONO層的步驟是采用ONO層掩膜版。