技術(shù)領(lǐng)域：
涉及一種顯示裝置，例如，一種有機發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
：已經(jīng)在電子裝置中廣泛地使用了各種顯示裝置。顯示裝置可包括液晶顯示(lcd)裝置和有機發(fā)光顯示(oled)裝置。諸如oled裝置的顯示裝置可包括用于示出位于顯示裝置的后面(例如，背面)的物體(或目標)的基本透明區(qū)。顯示裝置也可包括可發(fā)射用于顯示圖像的光的像素區(qū)。多個絕緣層可設置在透明區(qū)與像素區(qū)中。絕緣層的折射率可基本彼此不同。因此，透明區(qū)的透射率會是令人不滿意的。此外，與經(jīng)由透明區(qū)透射的光相關(guān)的顏色特性可能會被不期望地改變。一個或更多個絕緣層可基于氮化物，可直接接觸顯示裝置的有源層，并且可消極地影響有源層的電子遷移率，使得顯示裝置的性能會是不令人滿意的。技術(shù)實現(xiàn)要素：實施例可涉及一種在顯示裝置的基本透明區(qū)中具有令人滿意的透射率的顯示裝置，例如，一種有機發(fā)光顯示裝置。實施例可涉及一種在顯示裝置的開關(guān)元件中具有令人滿意的電子遷移率的顯示裝置，例如，一種有機發(fā)光顯示裝置。根據(jù)示例實施例，一種顯示裝置，例如，有機發(fā)光顯示(oled)裝置包括基底、緩沖層、第一柵極絕緣層、有源層、第一柵電極、第一絕緣中間層、源電極、漏電極和像素結(jié)構(gòu)。基底包括子像素區(qū)(對應于顯示裝置的子像素)和透明區(qū)(其是基本透明的)。緩沖層在基底上設置在子像素區(qū)和透明區(qū)中，并具有第一折射率。第一柵極絕緣層在緩沖層上設置在子像素區(qū)和透明區(qū)中，并包括與緩沖層的材料相同的材料。有源層設置在緩沖層與第一柵極絕緣層之間。第一柵電極設置在其下設置有有源層的第一柵極絕緣層上。第一絕緣中間層在第一柵極絕緣層上覆蓋第一柵電極，并設置在子像素區(qū)和透明區(qū)中。第一絕緣中間層具有大于第一折射率的第二折射率。源電極和漏電極設置在第一絕緣中間層上，并連同有源層和第一柵電極一起限定開關(guān)元件。像素結(jié)構(gòu)設置在開關(guān)元件上，并電連接到開關(guān)元件。在示例實施例中，第一折射率可在從1.4至1.5的范圍內(nèi)，第二折射率可在從1.7至1.8的范圍內(nèi)。在示例實施例中，有源層的上表面可與第一柵極絕緣層接觸，有源層的下表面可與緩沖層接觸。在示例實施例中，基底可包括透明絕緣材料。在示例實施例中，基底可本質(zhì)上由具有在1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的透明的聚酰亞胺基底構(gòu)成。在示例實施例中，基底可包括透明的聚酰亞胺層和阻擋層，阻擋層可置于透明的聚酰亞胺層與緩沖層之間。阻擋層和第一絕緣中間層可包括相同的材料。在示例實施例中，阻擋層可包括具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的有機材料或無機材料。在示例實施例中，阻擋層可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的氮氧化硅構(gòu)成。在示例實施例中，氮氧化硅可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約3.95:1:1.7的重量比構(gòu)成。在示例實施例中，緩沖層和第一柵極絕緣層中的每個可包括具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的有機材料或無機材料。在示例實施例中，緩沖層和第一柵極絕緣層中的每個可本質(zhì)上由具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的氧化硅構(gòu)成。在示例實施例中，有源層可本質(zhì)上由非晶硅或多晶硅構(gòu)成。在示例實施例中，第一絕緣中間層可包括具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的有機材料或無機材料。在示例實施例中，第一絕緣中間層可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的氮氧化硅構(gòu)成。在示例實施例中，氮氧化硅可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約3.95:1:1.7的重量比構(gòu)成。在示例實施例中，oled裝置還可包括第二柵極絕緣層。第二柵極絕緣層可置于第一柵極絕緣層與第一絕緣中間層之間，并且可位于子像素區(qū)和透明區(qū)中。在示例實施例中，第二柵極絕緣層和第一絕緣中間層可包括相同的材料。在示例實施例中，第二柵極絕緣層可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的氮氧化硅構(gòu)成。在示例實施例中，氮氧化硅可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約3.95:1:1.7的重量比構(gòu)成。在示例實施例中，oled裝置還可包括第二柵電極。第二柵電極可置于第二柵極絕緣層與第一絕緣中間層之間，并且可設置在其下設置有第一柵電極的第二柵極絕緣層上。在示例實施例中，oled裝置還可包括第二絕緣中間層。第二絕緣中間層可置于第一絕緣中間層與源電極和漏電極之間，可位于子像素區(qū)和透明區(qū)中。第二絕緣中間層可具有第一折射率。在示例實施例中，第二絕緣中間層可本質(zhì)上由具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的氧化硅構(gòu)成。在示例實施例中，oled裝置還可包括第二柵電極。第二柵電極可置于第一絕緣中間層與第二絕緣中間層之間，并且可設置在其下設置有第一柵電極的第一絕緣中間層上。在示例實施例中，oled裝置還可包括平坦化層。平坦化層可在第一絕緣中間層上覆蓋源電極和漏電極。在示例實施例中，平坦化層可在第一絕緣中間層上在子像素區(qū)中設置，并且可暴露透明區(qū)。在示例實施例中，平坦化層可在第一絕緣中間層上在子像素區(qū)和透明區(qū)中設置，并且可具有第一折射率。在示例實施例中，平坦化層可在子像素區(qū)中具有第一高度，第一高度可沿與基底的上表面垂直的方向延伸。平坦化層可在透明區(qū)中具有第二高度，沿該方向延伸的第二高度可小于第一高度。在示例實施例中，像素結(jié)構(gòu)可包括第一電極、發(fā)光層和第二電極。第一電極可設置在第一絕緣中間層上。發(fā)光層可設置在第一電極上。第二電極可設置在發(fā)光層上。在示例實施例中，第二電極可設置在子像素區(qū)和透明區(qū)中。在示例實施例中，oled裝置還可包括薄膜包封結(jié)構(gòu)。薄膜包封結(jié)構(gòu)可設置在像素結(jié)構(gòu)上，并且可包括至少一個第一包封層和至少一個第二包封層。第一包封層和第二包封層可交替地布置。在示例實施例中，第一包封層可包括具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的無機材料。第二包封層可包括折射率在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的有機材料。在示例實施例中，第一包封層可包括氮氧化硅。在示例實施例中，第二電極可設置在子像素區(qū)中，并暴露透明區(qū)。薄膜包封結(jié)構(gòu)可在透明區(qū)中與第一絕緣中間層接觸。在示例實施例中，基底可本質(zhì)上由具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的玻璃基底構(gòu)成。在示例實施例中，緩沖層和第一柵極絕緣層可本質(zhì)上由具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的氧化硅構(gòu)成。在示例實施例中，有源層可本質(zhì)上由非晶硅或多晶硅構(gòu)成。在示例實施例中，第一絕緣中間層可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的氮氧化硅構(gòu)成。在示例實施例中，氮氧化硅可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約3.95:1:1.7的重量比構(gòu)成。在示例實施例中，oled裝置還可包括第二柵極絕緣層。第二柵極絕緣層可置于第一柵極絕緣層與第一絕緣中間層之間，并且可設置在子像素區(qū)和透明區(qū)中。第二柵極絕緣層可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的氮氧化硅構(gòu)成。在示例實施例中，氮氧化硅可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約3.95:1:1.7的重量比構(gòu)成。在示例實施例中，oled裝置還可包括第二柵電極。第二柵電極可置于第二柵極絕緣層與第一絕緣中間層之間，并且可設置在其下設置有第一柵電極的第二柵極絕緣層上。在示例實施例中，oled裝置還可包括第二絕緣中間層。第二絕緣中間層可置于第一絕緣中間層與源電極和漏電極之間，并且可設置在子像素區(qū)和透明區(qū)中。第二絕緣中間層可具有第一折射率。第二絕緣中間層可本質(zhì)上由具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的氧化硅構(gòu)成。在示例實施例中，oled裝置還可包括第二柵電極。第二柵電極可置于第一絕緣中間層與第二絕緣中間層之間，并且可設置在其下設置有第一柵電極的第一絕緣中間層上。在示例實施例中，oled裝置還可包括平坦化層。平坦化層可在第一絕緣中間層上覆蓋源電極和漏電極。在示例實施例中，平坦化層可在第一絕緣中間層上在子像素區(qū)中設置，并且可暴露透明區(qū)。在示例實施例中，平坦化層可在第一絕緣中間層上在子像素區(qū)和透明區(qū)中設置，并且可具有第一折射率。在示例實施例中，平坦化層可在子像素區(qū)中具有第一高度，第一高度可沿與基底的上表面垂直的方向延伸。平坦化層可在透明區(qū)中具有第二高度，沿此方向延伸的第二高度可小于第一高度。在示例實施例中，像素結(jié)構(gòu)可包括第一電極、發(fā)光層和第二電極。第一電極可設置在第一絕緣中間層上。發(fā)光層可設置在第一電極上。第二電極可設置在發(fā)光層上。在示例實施例中，第二電極可設置在子像素區(qū)和透明區(qū)中。實施例可涉及一種顯示裝置，例如，有機發(fā)光顯示裝置。顯示裝置可包括發(fā)光元件(例如，有機發(fā)光元件)、緩沖層、第一柵極絕緣層和開關(guān)元件。第一柵極絕緣層的折射率可等于緩沖層的折射率。開關(guān)元件可電連接到發(fā)光元件，并可包括有源層、第一柵電極、源電極和漏電極。有源層可位于緩沖層與第一柵極絕緣層之間，并可直接接觸緩沖層和第一柵極絕緣層中的至少一個。第一柵極絕緣層可位于有源層與第一柵電極之間，并可與有源層和第一柵電極中的至少一個直接接觸。源電極和漏電極中的每個可與有源層直接接觸。顯示裝置還可包括可具有第一開口的像素限定層。有源層可在與緩沖層的一側(cè)(例如，底側(cè))垂直的方向上位于緩沖層的第一部與第一柵極絕緣層的第一部之間。第一柵極絕緣層的第二部可在與緩沖層的一側(cè)垂直的方向上位于緩沖層的第二部與第一開口之間。緩沖層可直接接觸第一柵極絕緣層，并可不包括氮化物。緩沖層的材料可與第一柵極絕緣層的材料相同。緩沖層的折射率可大于或等于1.4且可小于或等于1.5。顯示裝置還可包括第一絕緣中間層。第一柵電極可位于第一柵極絕緣層與第一絕緣中間層之間。第一絕緣中間層的折射率可大于第一柵極絕緣層的折射率。第一絕緣中間層的折射率與第一柵極絕緣層的折射率之間的差可大于或等于0.2且可小于或等于0.4。第一絕緣中間層的折射率可大于或等于1.7且可小于或等于1.8。第一絕緣中間層可與第一柵電極和第一柵極絕緣層中的每個直接接觸。顯示裝置還可包括可與第一絕緣中間層直接接觸并可位于第一柵電極與第一絕緣中間層之間的第二柵極絕緣層。第二柵極絕緣層的折射率可等于第一絕緣中間層的折射率。顯示裝置還可包括可具有第一開口的像素限定層。第二柵極絕緣層的第一部可在與緩沖層的一側(cè)垂直的方向上位于第一柵電極與第一絕緣中間層的第一部之間，并可與第一絕緣中間層的第一部直接接觸。第一絕緣中間層的第二部可在與緩沖層的所述側(cè)垂直的方向上位于第二柵極絕緣層的第二部與第一開口之間。顯示裝置還可包括第二柵電極，第二柵電極可位于第二柵極絕緣層與第一絕緣中間層之間，并可與第二柵極絕緣層和第一絕緣中間層中的至少一個直接接觸。顯示裝置還可包括第二絕緣中間層。第一絕緣中間層可位于第一柵電極與第二絕緣中間層之間，并可與第二絕緣中間層直接接觸。第二絕緣中間層的折射率可小于第一絕緣中間層的折射率。第一絕緣中間層的折射率與第二絕緣中間層的折射率之間的差可以大于或等于0.2且可小于或等于0.4。第二絕緣中間層的折射率可等于緩沖層的折射率。顯示裝置還可包括可位于第一絕緣中間層與第二絕緣中間層之間并可與第一絕緣中間層和第二絕緣中間層中的至少一個直接接觸的第二柵電極。顯示裝置還可包括：透明的基底。透明的基底的折射率可等于第一絕緣中間層的折射率或緩沖層的折射率。顯示裝置還可包括透明的聚酰亞胺層和阻擋層。阻擋層可位于透明的聚酰亞胺層與緩沖層之間。緩沖層可位于阻擋層與有源層之間。阻擋層的折射率可等于第一絕緣中間層的折射率。阻擋層的材料可與第一絕緣中間層的材料相同。阻擋層的材料的硅、氧和氮的重量比可以是3.95:1:1.7。顯示裝置還可包括包封層。包封層的折射率可等于第一絕緣中間層的折射率或緩沖層的折射率。發(fā)光元件可位于第一絕緣中間層與包封層之間。顯示裝置還可包括無機材料層和有機材料層。無機材料層的折射率可等于第一絕緣中間層的折射率或緩沖層的折射率。有機材料層可與無機材料層直接接觸。無機材料層的折射率可等于第一絕緣中間層的折射率或緩沖層的折射率。無機材料層和有機材料層中的一個可與第一絕緣中間層直接接觸，并可位于發(fā)光元件與無機材料層和有機材料層中的另一個之間。在根據(jù)根據(jù)實施例的顯示裝置(例如，oled裝置)中，直接相鄰的絕緣層的折射率可基本相等。有利的是，顯示裝置的透明區(qū)的透射率可以是令人滿意的。在實施例中，顯示裝置(例如，oled裝置)包括使顯示裝置的開關(guān)元件中的有源層的期望的界面特性成為可能的一個或更多個絕緣層。有利的是，開關(guān)元件中的電子遷移率可以是令人滿意的，使得顯示裝置的性能可以是令人滿意的。附圖說明圖1是示出根據(jù)示例實施例的例如有機發(fā)光顯示(oled)裝置的顯示裝置的平面圖。圖2a是沿圖1中指示的線i-i'截取的剖視圖。圖2b是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖3和圖4是示出圖1的oled裝置的平均透射率和對比示例的平均透射率的圖。圖5、圖6、圖7、圖8、圖9和圖10是示出制造根據(jù)示例實施例的顯示裝置的方法的剖視圖。圖11是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖12是示出oled裝置的剖視圖。圖13a是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖13b是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖14和圖15是示出圖13a的oled裝置的平均透射率和對比示例的平均透射率的圖。圖16a是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖16b是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖17是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖18a是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖18b是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖19a是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖19b是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖20a是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖20b是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖21是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖22是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖23a是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖23b是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖24a是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖24b是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖25是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖26a是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。圖26b是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。具體實施方式參照附圖解釋實施例。盡管可在這里使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種元件，但是這些元件不應被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語可用于將一個元件與另一元件區(qū)分開。因此，在不脫離實施例的情況下，在此申請中討論的第一元件可被命名為第二元件。作為“第一”元件的元件的描述可不需要或不暗示存在第二元件或其它元件。也可在這里使用術(shù)語“第一”、“第二”等來區(qū)分不同的類別或多組元件。為了簡明，術(shù)語“第一”、“第二”等可分別表示“第一類(或第一組)”、“第二類(或第二組)”等。如果第一元件(諸如層、膜、區(qū)或基底)被稱作“在”第二元件“上”、“與”第二元件“相鄰”、“連接到”第二元件或者“與”第二元件“結(jié)合”，那么第一元件可直接在第二元件上，與第二元件直接相鄰、直接連接到第二元件或者與第二元件直接結(jié)合，或者還可在第一元件與第二元件之間存在中間元件。如果第一元件被稱作“直接在”第二元件“上”、“與”第二元件“直接相鄰”、“直接連接到”第二元件或者“與”第二元件“直接結(jié)合”，則可在第一元件與第二元件之間不設置有意的中間元件(除了諸如空氣的環(huán)境元件之外)。為了易于描述，可在這里使用諸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等的空間相對術(shù)語來描述如附圖中示出的一個元件或者特征與另外的元件或者特征的空間關(guān)系。將理解的是，空間相對術(shù)語除了包含在附圖中描繪的方位之外，它還可包含裝置在使用或者操作中的不同的方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，那么被描述為“在”其它元件或特征“下方”或者“之下”的元件隨后將會定位于“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，術(shù)語“在……下方”可包含在……上方和在……下方兩種方位。裝置可另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位處)，并應該相應地解釋在這里使用的空間相對描述語。在這里使用的術(shù)語僅用于描述具體實施例的目的，而不旨在限制實施例。如在這里使用的，單數(shù)形式“一個”、“一種(者)”和“該(所述)”也可表示復數(shù)形式，除非上下文另外清楚地指示。當在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，可指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是可不排除存在或附加一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或組。除非另有定義，否則在這里使用的術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學術(shù)語)具有與本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。除非在這里明確定義，否則術(shù)語(諸如在通用字典中定義的術(shù)語)應該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境中它們的意思一致的意思，而不應以理想的或者過于正式的含義來進行解釋。術(shù)語“連接”可意味著“電連接”、“直接連接”或“間接連接”。術(shù)語“絕緣”可意味著“電絕緣”。術(shù)語“導電”可意味著“電學地導電”。術(shù)語“電連接”可意味著“電連接并且沒有任何中間晶體管”。如果組件(例如，晶體管)被描述為在第一元件與第二元件之間連接，那么組件的源極/漏極/輸入/輸出端子可不通過中間晶體管電連接到第一元件，組件的漏極/源極/輸出/輸入端子可不通過中間晶體管電連接到第二元件。術(shù)語“導體”可意味著“電學導電構(gòu)件”。術(shù)語“絕緣體”可意味著“電學絕緣構(gòu)件”。術(shù)語“介電”可意味著“介電構(gòu)件”。術(shù)語“相互連接”可意味著“相互連接的構(gòu)件”。術(shù)語“設置”可意味著“設置和/或形成”。術(shù)語“形成”可意味著“設置和/或形成”。除非明確地相反描述，否則詞語“包括”及其諸如“包含”的變型可意指包括所陳述的元件，但是并不排除其它元件。圖1是示出根據(jù)示例實施例的例如有機發(fā)光顯示(oled)裝置的顯示裝置的平面圖。參照圖1，有機發(fā)光顯示(oled)裝置100可包括多個像素區(qū)。多個像素區(qū)中的一個像素區(qū)10可包括第一子像素區(qū)15、第二子像素區(qū)20和第三子像素區(qū)25以及透明區(qū)30。例如，像素區(qū)10可以在oled裝置100中包括的整個基底上在第一方向d1和第二方向d2上布置，這將在以下描述。這里，第一方向d1(例如，從透明區(qū)30到子像素區(qū)15中的方向)可與基底的上表面平行，第二方向d2可與第一方向d1垂直。像素區(qū)10均可包括子像素區(qū)15、20和25以及透明區(qū)30。子像素區(qū)15、20和25以及透明區(qū)30可基本被像素限定層310圍繞。例如，子像素區(qū)15、20和25以及透明區(qū)30可由像素限定層310限定。即，像素限定層310可設置在除了子像素區(qū)15、20和25以及透明區(qū)30之外的一個像素區(qū)10中。第一子像素、第二子像素和第三子像素可分別設置在子像素區(qū)15、20和25中。例如，第一子像素可發(fā)射紅顏色的光，第二子像素可發(fā)射綠顏色的光。此外，第三子像素可發(fā)射藍顏色的光。子像素可設置在基底上的同一水平處。在透明區(qū)30中，從外部入射的光可經(jīng)由透明區(qū)30透射。開口275可位于透明區(qū)30中。由于oled裝置100包括透明區(qū)30，因此oled裝置100可用作能夠透射從外部入射的光的透明的oled裝置。在示例實施例中，一個像素區(qū)10包括三個子像素區(qū)和一個透明區(qū)，但不限于此。在一些示例實施例中，例如，多個像素區(qū)可對應于一個透明區(qū)。在示例實施例中，多個像素區(qū)10規(guī)則地布置，但不限于此。在一些示例實施例中，像素區(qū)10可不規(guī)則地布置。圖2a是沿圖1中指示的線i-i'截取的剖視圖，圖2b是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。參照圖2a，有機發(fā)光顯示(oled)裝置100可包括基底110、緩沖層120、半導體元件250(例如，開關(guān)元件250)、第一柵極絕緣層150、第二柵極絕緣層155、像素結(jié)構(gòu)、第一絕緣中間層190、平坦化層270、像素限定層310、薄膜包封結(jié)構(gòu)450等?；?10可包括聚酰亞胺層111和阻擋層115。像素結(jié)構(gòu)(例如，發(fā)光元件)可包括第一電極290、發(fā)光層330(例如，有機發(fā)光層)和第二電極340。開關(guān)元件250可包括有源層130、第一柵電極170、源電極210和漏電極230。薄膜包封結(jié)構(gòu)450可包括第一包封層451、453和455以及第二包封層452和454。如上所述，oled裝置100可包括多個像素區(qū)。多個像素區(qū)中的一個像素區(qū)10可具有子像素區(qū)15(例如，圖1的第一子像素區(qū))和透明區(qū)30。開關(guān)元件250、第一電極290、發(fā)光層330等可設置在子像素區(qū)15中。絕緣層等可設置在透明區(qū)30中。同時，第二電極340可整個地設置在子像素區(qū)15和透明區(qū)30中?？稍谧酉袼貐^(qū)15中顯示顯示圖像，可在透明區(qū)30中看見位于oled裝置100的背面(或后面)的物體(或目標)。因為oled裝置100包括透明區(qū)30，所以oled裝置100可用作透明的oled裝置100?；?10可包括透明絕緣材料。在示例實施例中，基底110可本質(zhì)上包括透明的聚酰亞胺基底。透明的聚酰亞胺基底可由柔性透明的樹脂基底形成。在這種情況下，透明的聚酰亞胺基底可包括聚酰亞胺層111和阻擋層115。例如，透明的聚酰亞胺基底可具有聚酰亞胺層111和阻擋層115堆疊在剛性玻璃基底上的結(jié)構(gòu)。在制造oled裝置100時，在將緩沖層120設置在透明的聚酰亞胺基底的阻擋層115上之后，可將半導體元件250和像素結(jié)構(gòu)設置在緩沖層120上。在形成半導體元件250和像素結(jié)構(gòu)之后，可去除剛性玻璃基底。因為透明的聚酰亞胺基底相對薄且柔性，所以可能難以在透明的聚酰亞胺基底上直接形成半導體元件250和像素結(jié)構(gòu)。在實施例中，使用剛性玻璃基底在透明的聚酰亞胺基底上形成半導體元件250和像素結(jié)構(gòu)，然后在去除剛性玻璃基底之后，包括聚酰亞胺層111和阻擋層115的透明的聚酰亞胺基底可用作oled裝置100的基底110。因為oled裝置100包括子像素區(qū)15和透明區(qū)30，所以基底110也可包括子像素區(qū)15和透明區(qū)30。在示例實施例中，聚酰亞胺層111的折射率可在從大約1.7至大約1.8的范圍內(nèi)。聚酰亞胺層111可包括無規(guī)共聚物或嵌段共聚物。此外，聚酰亞胺層111可具有高的透明度、低的熱膨脹系數(shù)和高的玻璃相變溫度。由于聚酰亞胺層111包括酰亞胺基，使得耐熱性、耐化學性、耐磨性和電特性可以是優(yōu)異的。阻擋層115可包括具有在從大約1.7至大約1.8的范圍內(nèi)的折射率的有機材料或無機材料。有機材料可包括光致抗蝕劑、聚丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、丙烯酸類樹脂、環(huán)氧類樹脂等中的一種或更多種。此外，無機材料可包括硅化合物、金屬氧化物等中的一種或更多種。例如，阻擋層115可包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、碳氮化硅(sicxny)、氧化鋁(alox)、氮化鋁(alnx)、氧化鉭(taox)、氧化鉿(hfox)、氧化鋯(zrox)、氧化鈦(tiox)等中的一種或更多種。在示例實施例中，阻擋層115可本質(zhì)上由具有從大約1.7至大約1.8的折射率的sioxny構(gòu)成。在實施例中，阻擋層115可具有基本單一組成sioxny。阻擋層115可阻擋能夠經(jīng)由聚酰亞胺層111滲透的濕氣或水。在實施例中，聚酰亞胺層111和阻擋層115可具有基本相同的折射率(值)。例如，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約3.95:1:1.7的各自的重量比構(gòu)成。即，可控制重量比形成sioxny，使得sioxny具有在從大約1.7至大約1.8的范圍內(nèi)的折射率。在實施例中，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約2.5:1:0.88的重量比構(gòu)成。在一些示例實施例中，基底110可包括石英基底、合成石英基底、氟化鈣基底、摻雜氟化物的石英基底、堿石灰基底、無堿基底等。緩沖層120可設置在基底110上。緩沖層120可包括具有在從大約1.4至大約1.5的范圍內(nèi)的折射率(例如，第一折射率)的有機材料或無機材料。在示例實施例中，緩沖層120可本質(zhì)上由具有從大約1.4至大約1.5的折射率的siox構(gòu)成。在實施例中，緩沖層120可具有基本單一組成siox。緩沖層120可設置在整個基底110上。緩沖層120可防止金屬原子和/或雜質(zhì)從基底110擴散到開關(guān)元件250和像素結(jié)構(gòu)中。另外，緩沖層120可在用于形成有源層130的結(jié)晶化工藝中控制熱傳遞的速率，從而獲得基本均勻的有源層130。此外，當基底110的表面相對不規(guī)則時，緩沖層120可改善基底110的表面平整度。另外，由于緩沖層120設置在基底110上，因此可減少從形成在基底110上的像素結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的應力。一個類型的基底110、至少兩個緩沖層可設置在基底110上。開關(guān)元件250可包括有源層130、第一柵電極170、源電極210和漏電極230，并且可在基底110上設置在子像素區(qū)15中。有源層130可在基底110上設置在子像素區(qū)15中。例如，有源層130可包括氧化物半導體、無機半導體(例如，非晶硅、多晶硅等)、有機半導體等。在示例實施例中，有源層130可本質(zhì)上由非晶硅或多晶硅構(gòu)成。有源層130的下表面可與緩沖層120接觸，有源層130的上表面可與第一柵極絕緣層150接觸。第一柵極絕緣層150可設置在有源層130上。第一柵極絕緣層150可包括具有在從大約1.4至大約1.5的范圍內(nèi)的折射率的有機材料或無機材料。在示例實施例中，第一柵極絕緣層150可本質(zhì)上由具有從大約1.4至大約1.5的折射率的siox構(gòu)成。在實施例中，第一柵極絕緣層150可具有基本單一組成siox。此外，緩沖層120和第一柵極絕緣層150可具有基本相同的折射率(值)。第一柵極絕緣層150可在緩沖層120上沿第一方向d1(例如，從透明區(qū)30到子像素區(qū)15中的方向)延伸。第一方向d1可與基底110的上表面平行。第一柵極絕緣層150可在子像素區(qū)15中覆蓋有源層130，并且可設置在整個緩沖層120上。例如，第一柵極絕緣層150可充分地覆蓋有源層130，并且可具有基本平坦的表面，而沒有在有源層130周圍的階梯。在實施例中，第一柵極絕緣層150可覆蓋有源層130，并且可沿有源層130的輪廓設置為基本均勻的厚度。在示例實施例中，因為包括非晶硅或多晶硅的有源層130的上表面與包括siox的第一柵極絕緣層150接觸，并且包括非晶硅或多晶硅的有源層130的下表面與包括siox的緩沖層120接觸，所以可增大有源層130的界面特性。同時，當?shù)锘^緣層與硅基有源層130接觸時，會減小界面特性。在示例實施例中，在oled裝置100中，包括sinx或sioxny的絕緣層不可與有源層130直接接觸。因此，可取得有源層130的期望的界面特性，并且包括在oled裝置100中的開關(guān)元件250的性能可以是令人滿意的。第一柵電極170可設置在第一柵極絕緣層150上。第一柵電極170可設置在其下設置有有源層130的第一柵極絕緣層150上。第一柵電極170可包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。例如，第一柵電極170可包括金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鉑(pt)、鎳(ni)、鈦(ti)、鈀(pd)、鎂(mg)、鈣(ca)、鋰(li)、鉻(cr)、鉭(ta)、鎢(w)、銅(cu)、鉬(mo)、鈧(sc)、釹(nd)、銥(ir)、鋁合金、氮化鋁(alnx)、銀合金、氮化鎢(wnx)、銅合金、鉬合金、氮化鈦(tinx)、氮化鉻(crnx)、氮化鉭(tanx)、氧化鍶釕(sro)、氧化鋅(znox)、氧化銦錫(ito)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)、氧化銦鋅(izo)等?？梢詥为毜厥褂眠@些或者以其合適的組合使用這些。在實施例中，第一柵電極170可具有多層結(jié)構(gòu)。第二柵極絕緣層155可設置在第一柵電極170上。第二柵極絕緣層155可包括具有在從大約1.7至大約1.8的范圍內(nèi)的折射率(例如，第二折射率)的有機材料或無機材料。在示例實施例中，第二柵極絕緣層155可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的sioxny構(gòu)成。在實施例中，第二柵極絕緣層155可具有基本單一組成sioxny。例如，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約3.95:1:1.7的重量比構(gòu)成。即，可控制重量比形成sioxny，使得sioxny具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率。在實施例中，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約2.5:1:0.88的重量比構(gòu)成。此外，基底110和第二柵極絕緣層155可具有基本相同的折射率(值)。因為包括sioxny的第二柵極絕緣層155與有源層130分開，所以可取得有源層130的期望的界面特性。例如，可在對有源層130進行退火的工藝中注入氫。氫可與有源層130的懸空鍵(danglingbond)結(jié)合。第二柵極絕緣層155可支持氫結(jié)合工藝。因此，可取得有源層130的期望的界面特性，包括在有源層130中的電子的平均自由程可以是期望的。即，可提高電子的遷移率，可改善包括在oled裝置100中的開關(guān)元件250的特性。第二柵極絕緣層155可在基底110上沿第一方向d1延伸。第二柵極絕緣層155可在子像素區(qū)15中覆蓋第一柵電極170，并且可設置在整個第一柵極絕緣層150上。例如，第二柵極絕緣層155可充分地覆蓋第一柵電極170，并且可具有基本平坦的表面，而沒有在第一柵電極170周圍的階梯。在實施例中，第二柵極絕緣層155可覆蓋第一柵電極170，并且可沿第一柵電極170的輪廓設置為基本均勻的厚度。第一絕緣中間層190可設置在第二柵極絕緣層155上。第一絕緣中間層190可包括具有在從大約1.7至大約1.8的范圍內(nèi)的折射率(例如，第二折射率)的有機材料或無機材料。在示例實施例中，第一絕緣中間層190可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的sioxny構(gòu)成。例如，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約3.95:1:1.7的重量比構(gòu)成。即，可控制重量比形成sioxny，使得sioxny具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率。在實施例中，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約2.5:1:0.88的重量比構(gòu)成。在實施例中，第一絕緣中間層190可具有基本單一組成sioxny。此外，第一絕緣中間層190、基底110和第二柵極絕緣層155可具有基本相同的折射率(值)。在實施例中，因為基底110、第二柵極絕緣層155和第一絕緣中間層190具有基本相同的折射率(值)，所以可增大oled裝置100的透明區(qū)30中的透射率。第一絕緣中間層190可在第二柵極絕緣層155上沿第一方向d1延伸。在一些示例實施例中，如圖2b中所示，第一柵極絕緣層150可設置在有源層130上，第二柵極絕緣層155可設置在第一柵極絕緣層150上。此外，第一柵電極170可設置在第二柵極絕緣層155上。即，第一柵極絕緣層150和第二柵極絕緣層155可置于緩沖層120與第一柵電極170之間。這里，第一柵極絕緣層150可本質(zhì)上由具有從大約1.4至大約1.5的折射率的siox構(gòu)成，第一柵電極170可包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。此外，第二柵極絕緣層155可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的sioxny構(gòu)成，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約2.5:1:0.88的重量比構(gòu)成。第一絕緣中間層190可設置在第二柵極絕緣層155和第一柵電極170上。第一絕緣中間層190可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的sioxny構(gòu)成，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約2.5:1:0.88的重量比構(gòu)成。再次參照圖2a，源電極210和漏電極230可設置在第一絕緣中間層190上。源電極210可經(jīng)由通過去除第一絕緣中間層190、第二柵極絕緣層155和第一柵極絕緣層150中的每個的一部分形成的接觸孔來與有源層130的第一側(cè)(例如，源區(qū))接觸。漏電極230可經(jīng)由通過去除第一絕緣中間層190、第二柵極絕緣層155和第一柵極絕緣層150中的每個的一部分形成的接觸孔來與有源層130的第二側(cè)(例如，漏區(qū))接觸。源電極210和漏電極230中的每個可包括金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等?？梢詥为毜厥褂眠@些或者以其合適的組合使用這些。在實施例中，開關(guān)元件250可包括有源層130、第一柵電極170、源電極210和漏電極230。平坦化層270可設置在源電極210和漏電極230上。平坦化層270可在第一絕緣中間層190上沿第一方向d1延伸。平坦化層270可在透明區(qū)30中具有暴露第一絕緣中間層190的開口275，并且可在子像素區(qū)15中覆蓋源電極210和漏電極230。例如，平坦化層270可設置為相對高的厚度以充分地覆蓋源電極210和漏電極230。在這種情況下，平坦化層270可具有基本平坦的上表面，可對平坦化層270進一步地執(zhí)行平坦化工藝以實現(xiàn)平坦化層270的平坦的上表面。在實施例中，平坦化層270可覆蓋源電極210和漏電極230，并且可沿源電極210和漏電極230的輪廓設置為基本均勻的厚度。平坦化層270可包括有機材料或無機材料。第一電極290可在平坦化層270上在子像素區(qū)15中設置。第一電極290可經(jīng)由通過去除平坦化層270的一部分形成的接觸孔來與漏電極230接觸。此外，第一電極290可電連接到開關(guān)元件250。第一電極290可包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等?？梢詥为毜厥褂眠@些或者以其合適的組合使用這些。像素限定層310可暴露第一電極290的至少一部分，并且此外可設置在平坦化層270上。例如，像素限定層310可覆蓋第一電極290的兩個外側(cè)部，并可暴露平坦化層270的開口275。在這種情況下，發(fā)光層330可設置在由像素限定層310暴露的第一電極290上。像素限定層310可包括無機材料或有機材料。發(fā)光層330可設置在第一電極290的被像素限定層310暴露的部分上。發(fā)光層330可具有包括發(fā)射層(el)、空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子傳輸層(etl)、電子注入層(eil)等的多層結(jié)構(gòu)?？墒褂媚軌蚋鶕?jù)圖1中示出的第一、第二和第三子像素產(chǎn)生不同顏色的光(例如，紅顏色的光、藍顏色的光和綠顏色光等)的發(fā)光材料中的至少一種來形成發(fā)光層330的el。在實施例中，可通過堆疊能夠產(chǎn)生諸如紅顏色的光、綠顏色的光、藍顏色的光等的不同顏色的光的多個發(fā)光材料使發(fā)光層330的el總體上產(chǎn)生白顏色的光。在一些示例實施例中，除了el之外，hil、htl、etl、eil等可在透明區(qū)30中在第一絕緣中間層190上設置。第二電極340可設置在像素限定層310、發(fā)光層330、平坦化層270的一部分和第一絕緣中間層190的一部分上。第二電極340可在子像素區(qū)15和透明區(qū)30中覆蓋像素限定層310、第一絕緣中間層190、平坦化層270和發(fā)光層330。第二電極340可包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。薄膜包封結(jié)構(gòu)450可設置在第二電極340上。薄膜包封結(jié)構(gòu)450可包括至少一個第一包封層和至少一個第二包封層。例如，第二包封層452可設置在第一包封層451上。第一包封層451、453和455以及第二包封層452和454可交替且重復地布置。第一包封層451可覆蓋第二電極340，并且可沿第二電極340的輪廓設置為基本均勻的厚度。第一包封層451可防止像素結(jié)構(gòu)因濕氣、水、氧等的滲透而劣化。此外，第一包封層451可保護像素結(jié)構(gòu)免受外部沖擊的影響。第一包封層451可包括無機材料。在實施例中，第一包封層451可包括sioxny。第二包封層452可設置在第一包封層451上。第二包封層452可改善oled裝置100的表面平整度，并且可保護設置在子像素區(qū)15中的像素結(jié)構(gòu)。第二包封層452可包括有機材料。第一包封層453可設置在第二包封層452上。第一包封層453可覆蓋第二包封層452，并且可沿第二包封層452的輪廓設置為基本均勻的厚度。第一包封層453連同第一包封層451和第二包封層452一起可防止像素結(jié)構(gòu)因濕氣、水、氧等的滲透而劣化。此外，第一包封層453連同第一包封層451和第二包封層452一起可保護像素結(jié)構(gòu)免受外部沖擊的影響。第一包封層453可包括無機材料。在實施例中，第一包封層453可包括sioxny。第二包封層454可設置在第一包封層453上。第二包封層454可執(zhí)行與第二包封層452的功能基本相同或相似的功能，第二包封層454可包括與第二包封層452的材料基本相同或相似的材料。第一包封層455可設置在第二包封層454上。第一包封層455可執(zhí)行與第一包封層451和453的功能基本相同或相似的功能，第一包封層455可包括與第一包封層451和453的材料基本相同或相似的材料。在一些示例實施例中，薄膜包封結(jié)構(gòu)450可具有包括第一包封層451、第二包封層452和第一包封層453的三層結(jié)構(gòu)或者包括第一包封層451、第二包封層452、第一包封層453、第二包封層454、第一包封層455、額外的第二包封層和額外的第一包封層的七層結(jié)構(gòu)。在實施例中，薄膜包封結(jié)構(gòu)450可包括具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的有機材料或無機材料。在一些示例實施例中，薄膜包封結(jié)構(gòu)450和基底110可包括基本相同的材料。例如，薄膜包封結(jié)構(gòu)450可包括石英基底、合成石英基底、氟化鈣基底、摻雜氟化物的石英基底、堿石灰基底、無堿基底等。由于根據(jù)示例實施例的oled裝置100包括折射率與基底110的折射率基本相同的第二柵極絕緣層155和第一絕緣中間層190，所以可增大透明區(qū)30的透射率。此外，由于有源層130置于具有siox的緩沖層120與第一柵極絕緣層150之間，所以可改善有源層130的界面特性。在實施例中，oled裝置100可用作具有相對高的透射率并具有有效的開關(guān)元件250的柔性透明的oled裝置。圖3和圖4是示出圖1的oled裝置的平均透射率和對比示例的平均透射率的圖。為了突出一個或更多個實施例的特性，提供下面的示例和對比示例，但是將理解的是，示例和對比示例將不被理解為限制實施例的范圍，對比示例也將不被理解為在實施例的范圍之外。另外，將理解的是，實施例不限于在示例和對比示例中描述的具體細節(jié)。實驗示例：對不同的絕緣層結(jié)構(gòu)的透射率的評價均包括堆疊的氧化硅層和氮化硅層的阻擋層、緩沖層、第一柵極絕緣層、第二柵極絕緣層和第一絕緣中間層順序地形成在10微米厚的聚酰亞胺基底上，以獲得對比示例的堆疊結(jié)構(gòu)(參照圖4)。具有單一組成氮氧化硅的阻擋層、具有單一組成氧化硅的緩沖層、具有單一組成氧化硅的第一柵極絕緣層、具有單一組成氮氧化硅的第二柵極絕緣層和具有單一組成氮氧化硅的第一絕緣中間層順序地形成在聚酰亞胺基底上，以獲得示例的堆疊的結(jié)構(gòu)(參照圖3)。在以下表1中示出對比示例和示例的具體結(jié)構(gòu)。在表1中，氧化硅層、氮化硅層和氮氧化硅層分別縮寫為氧化物、氮化物和氮氧化物。表1對對比示例和示例的每個堆疊的結(jié)構(gòu)照射光，并測量透射率。在以下表2中示出測量值。表2對比示例(圖4)示例(圖3)平均透射率64.6％83％如在表2中所示，當形成包括具有單一組成氮氧化硅的阻擋層、具有單一組成氧化硅的緩沖層、具有單一組成氧化硅的第一柵極絕緣層、具有單一組成氮氧化硅的第二柵極絕緣層和具有單一組成氮氧化硅的第一絕緣中間層的堆疊的結(jié)構(gòu)時，與在對比示例(具有重復堆疊的不同的絕緣層)中測量的透射率相比，前者的透射率急劇地增大。圖5、圖6、圖7、圖8、圖9和圖10是示出制造根據(jù)示例實施例的顯示裝置的方法的剖視圖。參照圖5，可設置包括透明絕緣材料的基底510。在示例實施例中，基底510可本質(zhì)上由透明的聚酰亞胺基底構(gòu)成?？墒褂萌嵝酝该鞯臉渲仔纬赏该鞯木埘啺坊?。在這種情況下，透明的聚酰亞胺基底可包括聚酰亞胺層511和阻擋層515。例如，透明的聚酰亞胺基底可具有聚酰亞胺層511和阻擋層515堆疊在剛性玻璃基底上的結(jié)構(gòu)。在制造oled裝置時，在透明的聚酰亞胺基底的阻擋層515上形成緩沖層520之后，可在緩沖層520上形成半導體元件(例如，開關(guān)元件)和像素結(jié)構(gòu)。在形成半導體元件和像素結(jié)構(gòu)之后，可去除剛性玻璃基底。因為透明的聚酰亞胺基底相對薄且柔性，所以可能難以在透明的聚酰亞胺基底上直接形成半導體元件和像素結(jié)構(gòu)。在實施例中，使用剛性玻璃基底在透明的聚酰亞胺基底上形成半導體元件和像素結(jié)構(gòu)，然后在去除剛性玻璃基底之后，包括聚酰亞胺層511和阻擋層515的透明的聚酰亞胺基底可用作oled裝置的基底510。由于oled裝置包括子像素區(qū)15和透明區(qū)30，因此基底510也可包括子像素區(qū)15和透明區(qū)30。在示例實施例中，聚酰亞胺層511的折射率可在從1.7至1.8的范圍內(nèi)。可使用無規(guī)共聚物或嵌段共聚物形成聚酰亞胺層511。此外，聚酰亞胺層511可具有高的透明度、低的熱膨脹系數(shù)和高的玻璃相變溫度。由于聚酰亞胺層511包括酰亞胺基，使得耐熱性、耐化學性、耐磨性和電特性可以是優(yōu)異的。阻擋層515可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的sioxny構(gòu)成。例如，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約3.95:1:1.7的重量比構(gòu)成。即，可控制重量比形成sioxny，使得sioxny具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率。在實施例中，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約2.5:1:0.88的重量比構(gòu)成。在實施例中，阻擋層515可具有基本單一組成sioxny。阻擋層515可阻擋能夠經(jīng)由聚酰亞胺層511滲透的濕氣或水。以這種方式，聚酰亞胺層511和阻擋層515可具有基本相同的折射率(值)?？稍诨?10上形成緩沖層520。緩沖層520可本質(zhì)上由具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的siox構(gòu)成。在實施例中，緩沖層520可具有基本單一組成siox。可在整個基底510上形成緩沖層520。緩沖層520可防止金屬原子和/或雜質(zhì)從基底510擴散到開關(guān)元件和像素結(jié)構(gòu)中。另外，緩沖層520可在用于形成有源層530的結(jié)晶化工藝中控制熱傳遞的速率，從而獲得基本均勻的有源層530。此外，當基底510的表面相對不規(guī)則時，緩沖層520可改善基底510的表面平整度。另外，由于緩沖層520形成在基底510上，因此可減小從形成在基底510上的像素結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的應力?？稍诰彌_層520上在子像素區(qū)15中形成有源層530。可使用非晶硅或多晶硅形成有源層530?？稍谟性磳?30上形成第一柵極絕緣層550。第一柵極絕緣層550可本質(zhì)上由具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的siox構(gòu)成。在實施例中，第一柵極絕緣層550可具有基本單一組成siox。此外，緩沖層520和第一柵極絕緣層550可具有基本相同的折射率(值)。第一柵極絕緣層550可在緩沖層520上沿第一方向d1(例如，與基底510的上表面平行的方向)延伸。第一柵極絕緣層550可在子像素區(qū)15中覆蓋有源層530，并且可形成在整個緩沖層520上。例如，第一柵極絕緣層550可充分地覆蓋有源層530，并且可具有基本平坦的表面，而沒有在有源層530周圍的階梯。在實施例中，第一柵極絕緣層550可覆蓋有源層530，并且可沿有源層530的輪廓形成為基本均勻的厚度。在示例實施例中，因為包括非晶硅或多晶硅的有源層530的上表面與包括siox的第一柵極絕緣層550接觸，并且包括非晶硅或多晶硅的有源層530的下表面與包括siox的緩沖層520接觸，所以可增強有源層530的界面特性。參照圖6，可在其下定位有有源層530的第一柵極絕緣層550上形成第一柵電極570?？墒褂媒饘佟⒔饘俸辖?、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等形成第一柵電極570。例如，第一柵電極570可包括au、ag、al、pt、ni、ti、pd、mg、ca、li、cr、ta、w、cu、mo、sc、nd、ir、鋁合金、alnx、銀合金、wnx、銅合金、鉬合金、tinx、crnx、tanx、sro、znox、ito、snox、inox、gaox、izo等中的一種或更多種?？梢詥为毜厥褂眠@些或者以其合適的組合使用這些?？稍诘谝粬烹姌O570上形成第二柵極絕緣層555。第二柵極絕緣層555可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的sioxny構(gòu)成。例如，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約3.95:1:1.7的重量比構(gòu)成。即，可控制重量比形成sioxny，使得sioxny具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率。在實施例中，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約2.5:1:0.88的重量比構(gòu)成。在實施例中，第二柵極絕緣層555可具有基本單一組成sioxny。此外，基底510和第二柵極絕緣層555可具有基本相同的折射率(值)。由于形成包括sioxny的第二柵極絕緣層555，因此可取得有源層530的期望的界面特性。例如，可在對有源層530進行退火的工藝中注入氫。氫可與有源層530的懸空鍵結(jié)合。第二柵極絕緣層555可支持氫結(jié)合工藝。因此，可取得有源層530的期望的界面特性，并且包括在有源層530中的平均自由程可以是期望的。即，可提高電子的遷移率。第二柵極絕緣層555可在基底510上沿第一方向d1延伸。第二柵極絕緣層555可在子像素區(qū)15中覆蓋第一柵電極570，并且可形成在整個第一柵極絕緣層550上。例如，第二柵極絕緣層555可充分地覆蓋第一柵電極570，并且可具有基本平坦的表面，而沒有在第一柵電極570周圍的階梯。在實施例中，第二柵極絕緣層555可覆蓋第一柵電極570，并且可沿第一柵電極570的輪廓形成為基本均勻的厚度。參照圖7，可在第二柵極絕緣層555上形成第一絕緣中間層590。第一絕緣中間層590可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的sioxny構(gòu)成。例如，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約3.95:1:1.7的重量比構(gòu)成。即，可控制重量比形成sioxny，使得sioxny具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率。因此，第一絕緣中間層590可具有基本單一組成sioxny。此外，第一絕緣中間層590、基底510和第二柵極絕緣層555可具有基本相同的折射率(值)。因此，因為基底510、第二柵極絕緣層555和第一絕緣中間層590具有基本相同的折射率(值)，所以可增大oled裝置的透明區(qū)30中的透射率。第一絕緣中間層590可在第二柵極絕緣層555上沿第一方向d1延伸?？稍诘谝唤^緣中間層590上形成源電極610和漏電極630。源電極610可貫穿通過去除第一絕緣中間層590、第二柵極絕緣層555和第一柵極絕緣層550中的每個的一部分形成的接觸孔來與有源層530的源區(qū)接觸。漏電極630可貫穿通過去除第一絕緣中間層590、第二柵極絕緣層555和第一柵極絕緣層550中的每個的一部分形成的接觸孔來與有源層530的漏區(qū)接觸?？墒褂媒饘?、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等形成源電極610和漏電極630中的每個?？梢詥为毜厥褂眠@些或者以其合適的組合使用這些。因此，可形成包括有源層530、第一柵電極570、源電極610和漏電極630的開關(guān)元件650。可在源電極610和漏電極630上形成初始的平坦化層671。初始的平坦化層671可在第一絕緣中間層590上沿第一方向d1延伸。初始的平坦化層671可在子像素區(qū)15中覆蓋源電極610和漏電極630。例如，初始的平坦化層671可形成為相對高的厚度，以充分地覆蓋源電極610和漏電極630。在這種情況下，初始的平坦化層671可具有基本平坦的上表面，可對初始的平坦化層671進一步執(zhí)行平坦化工藝，以實現(xiàn)初始的平坦化層671的平坦的上表面?？墒褂糜袡C材料或無機材料形成初始的平坦化層671。參照圖8，在初始的平坦化層671中形成位于透明區(qū)30中的暴露第一絕緣中間層590的開口675和位于子像素區(qū)15中的暴露漏電極630的接觸孔之后，可形成平坦化層670。可在平坦化層670上在子像素區(qū)15中形成第一電極690。第一電極690可貫穿通過去除平坦化層670的一部分形成的接觸孔來與漏電極630接觸?？墒褂媒饘佟⒔饘俸辖?、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等形成第一電極690?？梢詥为毜厥褂眠@些或者以其合適的組合使用這些。像素限定層710可暴露第一電極690的至少一部分，并且此外可形成在平坦化層670上。例如，像素限定層710可覆蓋第一電極690的兩個外側(cè)部，并可暴露平坦化層670的開口675?？墒褂脽o機材料或有機材料形成像素限定層710。參照圖9，可在第一電極690的被像素限定層710暴露的部分上形成發(fā)光層730。發(fā)光層730可具有包括el、hil、htl、etl、eil等的多層結(jié)構(gòu)?？墒褂媚軌蚋鶕?jù)圖1中示出的第一、第二和第三子像素產(chǎn)生不同顏色的光(例如，紅顏色的光、藍顏色的光和綠顏色光等)中的至少一種的發(fā)光材料中的至少一種來形成發(fā)光層730的el。在實施例中，可通過堆疊能夠產(chǎn)生諸如紅顏色的光、綠顏色的光、藍顏色的光等的不同顏色光的多個發(fā)光材料使發(fā)光層730的el總體上產(chǎn)生白顏色的光。在一些示例實施例中，可在第一絕緣中間層590上在透明區(qū)30中形成除了el之外的hil、htl、etl、eil等?？稍谙袼叵薅▽?10、發(fā)光層730、平坦化層670的一部分和第一絕緣中間層590的一部分上形成第二電極740。第二電極740可在子像素區(qū)15和透明區(qū)30中覆蓋像素限定層710、第一絕緣中間層590、平坦化層670和發(fā)光層730。可使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等形成第二電極740。因此，可形成像素結(jié)構(gòu)。參照圖10，可在第二電極740上形成薄膜包封結(jié)構(gòu)850。薄膜包封結(jié)構(gòu)850可包括至少一個第一包封層和至少一個第二包封層。例如，可在第一包封層851上形成第二包封層852?？山惶媲抑貜偷夭贾玫谝话鈱雍偷诙鈱?。第一包封層851可覆蓋第二電極740，并可沿第二電極740的輪廓形成為基本均勻的厚度。第一包封層851可防止像素結(jié)構(gòu)因濕氣、水、氧等的滲透而劣化。此外，第一包封層851可保護像素結(jié)構(gòu)免受外部沖擊的影響?？墒褂脽o機材料形成第一包封層851?？稍诘谝话鈱?51上形成第二包封層852。第二包封層852可改善oled裝置的表面平整度，并可保護形成在子像素區(qū)15中的像素結(jié)構(gòu)?？墒褂糜袡C材料形成第二包封層852?？稍诘诙鈱?52上形成第一包封層853。第一包封層853可覆蓋第二包封層852，并可沿第二包封層852的輪廓形成為基本均勻的厚度。第一包封層853連同第一包封層851和第二包封層852一起可防止像素結(jié)構(gòu)因濕氣、水、氧等的滲透而劣化。此外，第一包封層853連同第一包封層851和第二包封層852一起可保護像素結(jié)構(gòu)免受外部沖擊的影響?？墒褂脽o機材料形成第一包封層853?？稍诘谝话鈱?53上形成第二包封層854。第二包封層854可執(zhí)行與第二包封層852的功能基本相同或相似的功能，第二包封層854可包括與第二包封層852的材料基本相同或相似的材料。可在第二包封層854上形成第一包封層855。第一包封層855可執(zhí)行功能與第一包封層851和853的功能基本相同或相似的功能，第一包封層855可包括與第一包封層851和853的材料基本相同或相似的材料。因此，可制造圖2a中示出的oled裝置100。圖11是示出圖1的oled裝置的示例的剖視圖，圖12是示出圖1的oled裝置的另一示例的剖視圖。圖11和圖12中示出的oled裝置可具有與參照圖2a描述的oled裝置100的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。關(guān)于圖11和圖12，可不重復有關(guān)與參照圖2a描述的元件基本相同或相似的元件的詳細的描述。參照圖11，根據(jù)示例實施例的oled裝置還可包括第二柵電極180。第二柵電極180可置于第二柵極絕緣層155與第一絕緣中間層190之間，并且可設置在其下設置有第一柵電極170的第二柵極絕緣層155上。第一柵電極170和第二柵電極180可用作電容器。第二柵電極180可包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等中的一種或更多種。參照圖12，與圖2a相比，可省略設置在第一柵極絕緣層150上的第二柵極絕緣層155。在實施例中，第一柵極絕緣層150可本質(zhì)上由具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的siox構(gòu)成。在實施例中，第一柵極絕緣層150可具有基本單一組成siox。即，第一絕緣中間層190可在子像素區(qū)15中覆蓋第一柵電極170，并可設置在整個第一柵極絕緣層150上。例如，第一絕緣中間層190可充分地覆蓋第一柵電極170，并且可具有基本平坦的表面，而沒有在第一柵電極170周圍的階梯。在實施例中，第一絕緣中間層190可覆蓋第一柵電極170，并且可沿第一柵電極170的輪廓設置為基本均勻的厚度。圖13a是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖，圖13b是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。除了第二絕緣中間層195之外，圖13a中示出的oled裝置300可具有與參照圖2a描述的oled裝置100的構(gòu)造基本相同或相似構(gòu)造。關(guān)于圖13a，可不重復有關(guān)與參照圖2a描述的元件基本相同或相似的元件的詳細的描述。參照圖13a，oled裝置300可包括基底110、緩沖層120、半導體元件250(例如，開關(guān)元件250)、第一柵極絕緣層150、第二柵極絕緣層155、像素結(jié)構(gòu)、第一絕緣中間層190、第二絕緣中間層195、平坦化層270、像素限定層310、薄膜包封結(jié)構(gòu)450等。這里，基底110可包括聚酰亞胺層111和阻擋層115，像素結(jié)構(gòu)可包括第一電極290、發(fā)光層330和第二電極340。此外，開關(guān)元件250可包括有源層130、第一柵電極170、源電極210和漏電極230。薄膜包封結(jié)構(gòu)450可包括第一包封層451、453和455以及第二包封層452和454。第一絕緣中間層190可設置在第二柵極絕緣層155上。第一絕緣中間層190可包括具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率(例如，第二折射率)的有機材料或無機材料。在示例實施例中，第一絕緣中間層190可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的sioxny構(gòu)成。例如，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約3.95:1:1.7的重量比構(gòu)成。即，可控制重量比形成sioxny，使得sioxny具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率。在實施例中，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約2.5:1:0.88的重量比構(gòu)成。在實施例中，第一絕緣中間層190可具有基本單一組成sioxny。在示例實施例中，第二絕緣中間層195可置于第一絕緣中間層190與源電極210和漏電極230之間，并且可在第一絕緣中間層190上在子像素區(qū)15和透明區(qū)30中設置。此外，第二絕緣中間層195可具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率(例如，第一折射率)。因為具有比第二折射率小的第一折射率的第二絕緣中間層195設置在具有第二折射率的第一絕緣中間層190上，所以可增大oled裝置300的透明區(qū)30中的透射率。例如，當光從具有高的折射率的第一層透射到具有低的折射率的第二層時，可增大光的透射率。在實施例中，oled裝置300可用作具有令人滿意的透射率的透明的柔性oled裝置。在一些示例實施例中，如圖13b中所示，第一柵極絕緣層150可設置在有源層130上，第二柵極絕緣層155可設置在第一柵極絕緣層150上。此外，第一柵電極170可設置在第二柵極絕緣層155上。即，第一柵極絕緣層150和第二柵極絕緣層155可置于緩沖層120與柵電極170之間。此外，第一絕緣中間層190可設置在第二柵極絕緣層155和第一柵電極170上。圖14和圖15是示出圖13a的oled裝置的平均透射率和對比示例的平均透射率的圖。實驗示例：對不同的絕緣層結(jié)構(gòu)的透射率的評價均包括堆疊的氧化硅層和氮化硅層的阻擋層、緩沖層、第一柵極絕緣層、第二柵極絕緣層、第一絕緣中間層和第二絕緣中間層順序地形成在10微米厚的聚酰亞胺基底上，以獲得對比示例的堆疊結(jié)構(gòu)(參照圖15)。具有單一組成氮氧化硅的阻擋層、具有單一組成氧化硅的緩沖層、具有單一組成氧化硅的第一柵極絕緣層、具有單一組成氮氧化硅的第二柵極絕緣層、具有單一組成氮氧化硅的第一絕緣中間層和具有單一組成氧化硅的第二絕緣中間層順序地形成在聚酰亞胺基底上，以獲得示例的堆疊的結(jié)構(gòu)(參照圖14)。在以下表3中示出對比示例和示例的具體結(jié)構(gòu)。在表3中，氧化硅層、氮化硅層和氮氧化硅層分別縮寫為氧化物、氮化物和氮氧化物。表3對對比示例和示例的每個堆疊的結(jié)構(gòu)照射光，并測量透射率。在以下表4中示出測量值。表4對比示例(圖15)示例(圖14)平均透射率73.25％88.2％如在表4中所示，當形成包括具有單一組成氮氧化硅的阻擋層、具有單一組成氧化硅的緩沖層、具有單一組成氧化硅的第一柵極絕緣層、具有單一組成氮氧化硅的第二柵極絕緣層、具有單一組成氮氧化硅的第一絕緣中間層和具有單一組成氧化硅的第二絕緣中間層的堆疊的結(jié)構(gòu)時，與在對比示例(具有重復堆疊的不同的絕緣層)中測量的透射率相比，前者的透射率急劇地增大。圖16a是示出圖13a的oled裝置的示例的剖視圖，圖17是示出圖13a的oled裝置的另一示例的剖視圖。圖16a和圖17中示出的oled裝置可具有與參照圖13a描述的oled裝置300的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。關(guān)于圖16a和圖17，可不重復有關(guān)與參照圖13a描述的元件基本相同或相似的元件的詳細的描述。參照圖16a和圖17，根據(jù)示例實施例的oled裝置還可包括第二柵電極180。第二柵電極180可置于第二柵極絕緣層155與第二絕緣中間層195之間。例如，如圖16a中所示，第二柵電極180可設置在其下設置有第一柵電極170的第二柵極絕緣層155上。在一些示例實施例中，如圖17中所示，第二柵電極180可設置在其下設置有第一柵電極170的第一絕緣中間層190上。第一柵電極170和第二柵電極180可用作電容器。第二柵電極180可包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等中的一種或更多種。在一些示例實施例中，如圖16b中所示，第一柵極絕緣層150可設置在有源層130上，第二柵極絕緣層155可設置在第一柵極絕緣層150上。此外，第一柵電極170可設置在第二柵極絕緣層155上。即，第一柵極絕緣層150和第二柵極絕緣層155可置于緩沖層120與柵電極170之間。此外，第一絕緣中間層190可設置在第二柵極絕緣層155和第一柵電極170上，第二柵電極180可置于第一絕緣中間層190與第二絕緣中間層195之間。即，第二柵電極180可設置在其下定位有第一柵電極170的第一絕緣中間層190上。圖18a是示出圖13a的oled裝置的又一示例的剖視圖。圖18a中示出的oled裝置可具有與參照圖13a描述的oled裝置300的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。關(guān)于圖18a，可不重復有關(guān)與參照圖13a描述的元件基本相同或相似的元件的詳細的描述。參照圖18a，oled裝置可包括基底110、緩沖層120、半導體元件250(例如，開關(guān)元件250)、第一柵極絕緣層150、第二柵極絕緣層155、像素結(jié)構(gòu)、第一絕緣中間層190、平坦化層280、像素限定層310、薄膜包封結(jié)構(gòu)450等。這里，基底110可包括聚酰亞胺層111和阻擋層115，像素結(jié)構(gòu)可包括第一電極290、發(fā)光層330和第二電極340。此外，開關(guān)元件250可包括有源層130、第一柵電極170、源電極210和漏電極230。薄膜包封結(jié)構(gòu)450可包括第一包封層451、453和455以及第二包封層452和454。與圖13a相比，可省略設置在第一絕緣中間層190上的第二絕緣中間層195。在示例實施例中，平坦化層280可在源電極210、漏電極230和第一絕緣中間層190上在子像素區(qū)15和透明區(qū)30中設置。平坦化層280可包括具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率(例如，第一折射率)的有機材料或無機材料。平坦化層280可在子像素區(qū)15中具有第一高度h1，第一高度h1可在與基底110的上表面垂直的第三方向d3上延伸。平坦化層280可在透明區(qū)30中具有第二高度h2，在第三方向d3上延伸的第二高度h2可小于第一高度h1。因為設置了在透明區(qū)30中具有第二高度h2和第一折射率的平坦化層280，所以可省略第二絕緣中間層。即，具有第二高度h2和第一折射率的平坦化層280可用作圖13a的第二絕緣中間層195。因此，可使oled裝置的厚度最小化，并且可使oled裝置的制造成本最小化。在一些示例實施例中，如圖18b中所示，第一柵極絕緣層150可設置在有源層130上，第二柵極絕緣層155可設置在第一柵極絕緣層150上。此外，第一柵電極170可設置在第二柵極絕緣層155上。即，第一柵極絕緣層150和第二柵極絕緣層155可置于緩沖層120與柵電極170之間。此外，第一絕緣中間層190可設置在第二柵極絕緣層155和第一柵電極170上。圖19a是示出圖13a的oled裝置的再一示例的剖視圖。圖19a中示出的oled裝置可具有與參照圖13a描述的oled裝置300的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。關(guān)于圖19a，可不重復有關(guān)與參照圖13a描述的元件基本相同或相似的元件的詳細的描述。參照圖19a，oled裝置可包括基底110、緩沖層120、半導體元件250(例如，開關(guān)元件250)、第一柵極絕緣層150、第二柵極絕緣層155、像素結(jié)構(gòu)、第一絕緣中間層190、平坦化層270、像素限定層310、薄膜包封結(jié)構(gòu)470等。這里，基底110可包括聚酰亞胺層111和阻擋層115，像素結(jié)構(gòu)可包括第一電極290、發(fā)光層330和第二電極345。此外，開關(guān)元件250可包括有源層130、第一柵電極170、源電極210和漏電極230。薄膜包封結(jié)構(gòu)470可包括第一包封層456、458和460以及第二包封層457和459。與圖13a相比，可省略設置在第一絕緣中間層190上的第二絕緣中間層195。在示例實施例中，第二電極345可設置在像素限定層310和發(fā)光層330上。第二電極345可在子像素區(qū)15中覆蓋像素限定層310和發(fā)光層330，并且可在透明區(qū)30中暴露第一絕緣中間層190。即，第二電極345可設置在子像素區(qū)15中，并且可暴露透明區(qū)30。第二電極345可包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等中的一種或更多種。在示例實施例中，薄膜包封結(jié)構(gòu)470可在子像素區(qū)15中設置在第二電極345上，并且在透明區(qū)30中設置在第一絕緣中間層190上。薄膜包封結(jié)構(gòu)470可包括至少一個第一包封層和至少一個第二包封層。第一包封層456、458和460可包括具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率(例如，第一折射率)的無機材料。第二包封層457和459可包括具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的有機材料。因為具有第一折射率的薄膜包封結(jié)構(gòu)470設置在透明區(qū)30中，所以可省略第二絕緣中間層。即，具有第一折射率的薄膜包封結(jié)構(gòu)470可用作圖13a的第二絕緣中間層195。因此，可使oled裝置的厚度最小化和/或可使oled裝置的制造成本最小化。在一些示例實施例中，如圖19b中所示，第一柵極絕緣層150可設置在有源層130上，第二柵極絕緣層155可設置在第一柵極絕緣層150上。此外，第一柵電極170可設置在第二柵極絕緣層155上。即，第一柵極絕緣層150和第二柵極絕緣層155可置于緩沖層120與柵電極170之間。此外，第一絕緣中間層190可設置在第二柵極絕緣層155和第一柵電極170上。圖20a是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。除了基底113和包封基底400之外，圖20a中示出的oled裝置500可具有與參照圖2a描述的oled裝置100的構(gòu)造基本相同或相似構(gòu)造。關(guān)于圖20a，可不重復有關(guān)與參照圖2a描述的元件基本相同或相似的元件的詳細的描述。參照圖20a，oled裝置500可包括基底113、緩沖層120、半導體元件250(例如，開關(guān)元件250)、第一柵極絕緣層150、第二柵極絕緣層155、像素結(jié)構(gòu)、第一絕緣中間層190、平坦化層270、像素限定層310、包封基底400等。像素結(jié)構(gòu)可包括第一電極290、發(fā)光層330和第二電極340，開關(guān)元件250可包括有源層130、第一柵電極170、源電極210和漏電極230?；?13可包括透明絕緣材料。在示例實施例中，基底113可本質(zhì)上由具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的玻璃基底構(gòu)成。例如，基底113可包括石英基底、合成石英基底、氟化鈣基底、摻雜氟化物的石英基底、堿石灰基底、無堿基底等中的一種或更多種。包封基底400可設置在第二電極340上。包封基底400和基底113可包括基本相同的材料。例如，包封基底400可包括石英基底、合成石英基底、氟化鈣基底、摻雜氟化物的石英基底、堿石灰基底、無堿基底等中的一種或更多種。在示例實施例中，基底113、緩沖層120和第一柵極絕緣層150中的每個可具有基本相同的折射率(值)。在實施例中，因為oled裝置500包括具有基本相同的折射率(值)的基底113、緩沖層120和第一柵極絕緣層150中的每個，所以可增大透明區(qū)30的透射率。此外，因為有源層130可置于包括siox的緩沖層120與第一柵極絕緣層150之間，所以可改善有源層130的界面特性。在一些示例實施例中，如圖20b中所示，第一柵極絕緣層150可設置在有源層130上，第二柵極絕緣層155可設置在第一柵極絕緣層150上。此外，第一柵電極170可設置在第二柵極絕緣層155上。即，第一柵極絕緣層150和第二柵極絕緣層155可置于緩沖層120與柵電極170之間。此外，第一絕緣中間層190可設置在第二柵極絕緣層155和第一柵電極170上。圖21是示出圖20a的oled裝置的示例的剖視圖，圖22是示出圖20a的oled裝置的另一示例的剖視圖。圖21和圖22中示出的oled裝置可具有與參照圖20a描述的oled裝置500的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。在圖21和22中，可不重復有關(guān)與參照圖20a描述的元件基本相同或相似的元件的詳細的描述。參照圖21，根據(jù)示例實施例的oled裝置還可包括第二柵電極180。第二柵電極180可置于第二柵極絕緣層155與第一絕緣中間層190之間，并且可設置在其下設置有第一柵電極170的第二柵極絕緣層155上。第一柵電極170和第二柵電極180可用作電容器。第二柵電極180可包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。參照圖22，與圖20a相比，可省略設置在第一柵極絕緣層150上的第二柵極絕緣層155。因此，柵極絕緣層可本質(zhì)上由具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的siox構(gòu)成(和/或可本質(zhì)上由具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率的siox形成)。在實施例中，柵極絕緣層可具有基本單一組成siox。即，第一絕緣中間層190可在子像素區(qū)15中覆蓋第一柵電極170，并且可設置在整個第一柵極絕緣層150上。例如，第一絕緣中間層190可充分地覆蓋第一柵電極170，并且可具有基本平坦的表面，而沒有在第一柵電極170周圍的階梯。在實施例中，第一絕緣中間層190可覆蓋第一柵電極170，并可沿第一柵電極170的輪廓設置為基本均勻的厚度。圖23a是示出根據(jù)示例實施例的oled裝置的剖視圖。除了第二絕緣中間層195之外，圖23a中示出的oled裝置700可具有與參照圖20a描述的oled裝置500的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。關(guān)于圖23a，可不重復有關(guān)與參照圖20a描述的元件基本相同或相似的元件的詳細的描述。參照圖23a，oled裝置700可包括基底113、緩沖層120、半導體元件250(例如，開關(guān)元件250)、第一柵極絕緣層150、第二柵極絕緣層155、像素結(jié)構(gòu)、第一絕緣中間層190、第二絕緣中間層195、平坦化層270、像素限定層310、包封基底400等。這里，像素結(jié)構(gòu)可包括第一電極290、發(fā)光層330和第二電極340，開關(guān)元件250可包括有源層130、第一柵電極170、源電極210和漏電極230。第一絕緣中間層190可設置在第二柵極絕緣層155上。第一絕緣中間層190可包括具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率(例如，第二折射率)的有機材料或無機材料。在示例實施例中，第一絕緣中間層190可本質(zhì)上由具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率的sioxny構(gòu)成。例如，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約3.95:1:1.7的重量比構(gòu)成。即，可控制重量比形成sioxny，使得sioxny具有在從1.7至1.8的范圍內(nèi)的折射率。在實施例中，sioxny可本質(zhì)上由硅、氧和氮以大約2.5:1:0.88的重量比構(gòu)成。在實施例中，第一絕緣中間層190可具有基本單一組成sioxny。在示例實施例中，第二絕緣中間層195可置于第一絕緣中間層190與源電極210和漏電極230之間，并且可在第一絕緣中間層190上在子像素區(qū)15和透明區(qū)30中設置。此外，第二絕緣中間層195可具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率(例如，第一折射率)。因為具有比第二折射率小的第一折射率的第二絕緣中間層195設置在具有第二折射率的第一絕緣中間層190上，所以可增大oled裝置700的透明區(qū)30的透射率。例如，當光從具有高的折射率的第一層透射到具有低的折射率的第二層時，可增大光的透射率。在實施例中，oled裝置700可用作具有令人滿意的透射率的透明的柔性oled裝置。在一些示例實施例中，如圖23b中所示，第一柵極絕緣層150可設置在有源層130上，第二柵極絕緣層155可設置在第一柵極絕緣層150上。此外，第一柵電極170可設置在第二柵極絕緣層155上。即，第一柵極絕緣層150和第二柵極絕緣層155可置于緩沖層120與柵電極170之間。此外，第一絕緣中間層190可設置在第二柵極絕緣層155和第一柵電極170上。圖24a是示出圖23a的oled裝置的示例的剖視圖，圖25是示出圖23a的oled裝置的另一示例的剖視圖。圖24a和圖25中示出的oled裝置可具有與參照圖23a描述的oled裝置700的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。關(guān)于圖24a和圖25，可不重復有關(guān)與參照圖23a描述的元件基本相同或相似的元件的詳細的描述。參照圖24a和圖25，根據(jù)示例實施例的oled裝置還可包括第二柵電極180。第二柵電極180可置于第二柵極絕緣層155與第一絕緣中間層190之間。例如，如圖24a中所示，第二柵電極180可設置在其下設置有第一柵電極170的第二柵極絕緣層155上。在一些示例實施例中，如圖25中所示，第二柵電極180可設置在其下設置有第一柵電極170的第一絕緣中間層190上。第一柵電極170和第二柵電極180可用作電容器。第二柵電極180可包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等中的一種或更多種。在一些示例實施例中，如圖24b中所示，第一柵極絕緣層150可設置在有源層130上，第二柵極絕緣層155可設置在第一柵極絕緣層150上。此外，第一柵電極170可設置在第二柵極絕緣層155上。即，第一柵極絕緣層150和第二柵極絕緣層155可置于緩沖層120與柵電極170之間。此外，第一絕緣中間層190可設置在第二柵極絕緣層155和第一柵電極170上，第二柵電極180可置于第一絕緣中間層190與第二絕緣中間層195之間。即，第二柵電極180可設置在其下定位有第一柵電極170的第一絕緣中間層190上。圖26a是示出圖23a的oled裝置的又一示例的剖視圖。圖26a中示出的oled裝置可具有與參照圖23a描述的oled裝置700的構(gòu)造基本相同或相似的構(gòu)造。關(guān)于圖26a，可不重復有關(guān)與參照圖23a描述的元件基本相同或相似的元件的詳細的描述。參照圖26a，oled裝置可包括基底113、緩沖層120、半導體元件250(例如，開關(guān)元件250)、第一柵極絕緣層150、第二柵極絕緣層155、像素結(jié)構(gòu)、第一絕緣中間層190、平坦化層280、像素限定層310、包封基底400等。這里，像素結(jié)構(gòu)可包括第一電極290、發(fā)光層330和第二電極340，開關(guān)元件250可包括有源層130、第一柵電極170、源電極210和漏電極230。與圖23a相比，可省略設置在第一絕緣中間層190上的第二絕緣中間層195。在示例實施例中，平坦化層280可在源電極210、漏電極230和第一絕緣中間層190上在子像素區(qū)15和透明區(qū)30中設置。平坦化層280可包括具有在從1.4至1.5的范圍內(nèi)的折射率(例如，第一折射率)的有機材料或無機材料。平坦化層280可在子像素區(qū)15中具有第一高度h1，第一高度h1可在與基底113的上表面垂直的第三方向d3上延伸。平坦化層280可在透明區(qū)30中具有第二高度h2，在第三方向d3上延伸的第二高度h2可小于第一高度h1。因為設置了在透明區(qū)30中具有第二高度h2和第一折射率的平坦化層280，所以可省略第二絕緣中間層。即，具有第二高度h2和第一折射率的平坦化層280可用作圖23a的第二絕緣中間層195。因此，可使oled裝置的厚度最小化和/或可使oled裝置的制造成本最小化。在一些示例實施例中，如圖26b中所示，第一柵極絕緣層150可設置在有源層130上，第二柵極絕緣層155可設置在第一柵極絕緣層150上。此外，第一柵電極170可設置在第二柵極絕緣層155上。即，第一柵極絕緣層150和第二柵極絕緣層155可置于緩沖層120與柵電極170之間。此外，第一絕緣中間層190可設置在第二柵極絕緣層155和第一柵電極170上。實施例可應用于包括有機發(fā)光顯示裝置的各種顯示裝置。實施例可應用于車載顯示裝置、船載顯示裝置、航空器載顯示裝置、便攜式通信裝置、用于信息傳遞的顯示裝置、醫(yī)療顯示裝置等中的一種或更多種。前述是示例實施例的舉例說明且不應該理解為限制。盡管已經(jīng)描述了示例實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解的是，在示例實施例中許多修改是可能的。所有的這樣的修改意圖包括在權(quán)利要求中限定的范圍內(nèi)。當前第1頁12