本發(fā)明涉及一種寬禁帶半導(dǎo)體器件，特別是涉及一種降低器件工作時(shí)溫度不均勻程度的器件。

背景技術(shù)：

目前各大公司采用的技術(shù)是JBS(junction barrier schottkky)結(jié)型勢壘肖特基和MPS(merged PiN schottky)來解決肖特基由于受電場的影響導(dǎo)致反向漏電流急劇增大的問題。JBS和MPS結(jié)構(gòu)中主要使用平面的P型摻雜區(qū)形成PN結(jié)，在器件承受反向耐壓時(shí)，將電場最大點(diǎn)轉(zhuǎn)移，使其遠(yuǎn)離肖特基接觸，從而達(dá)到屏蔽電場對(duì)表面肖特基的影響，降低器件的反向漏電流。與JBS結(jié)構(gòu)相比，MPS結(jié)構(gòu)更優(yōu)，目前各大碳化硅二極管公司已逐步采用MPS結(jié)構(gòu)來替代之前的JBS結(jié)構(gòu)。就MPS結(jié)構(gòu)而言，其結(jié)構(gòu)的正向接觸是由肖特基結(jié)部分和P型摻雜區(qū)共同組成。而在現(xiàn)有技術(shù)采用結(jié)構(gòu)均勻即肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)的寬度比例相同進(jìn)行設(shè)計(jì)，這會(huì)使器件內(nèi)外部產(chǎn)生相同熱量。器件中間的熱量只通過熱沉散出，四周的熱量既通過熱沉，也通過器件邊緣表面進(jìn)行熱輻射散出。這樣就導(dǎo)致器件中部溫度高，四周溫度低的情況。溫度不均勻引起器件內(nèi)載流子遷移率不均勻，降低了器件實(shí)際的電流導(dǎo)通能力。特別是在大電流規(guī)格的器件中，由于器件尺寸大，器件邊緣的熱輻射引起的溫度不均更明顯。

器件在低電壓下，由肖特基開啟承受正向電流。電流增大，正向壓降增大到PN結(jié)開啟電壓值時(shí)，PN結(jié)部分才導(dǎo)通。發(fā)生電流浪涌時(shí)，通過PN結(jié)部分的開啟來承擔(dān)電流。正常使用時(shí)，均是由肖特基部分來承擔(dān)電流。因此，為了進(jìn)一步降低二極管導(dǎo)通時(shí)的正向壓降，需提高器件中的肖特基部分。而為了提高器件的浪涌能力，需要提高器件中的PN結(jié)面積，即提高其組成的P型摻雜區(qū)面積。而P型摻雜區(qū)在正常工作下，也就是低電壓下是不導(dǎo)電的，是器件正常工作時(shí)的溫度影響因素之一。所以在提高器件的浪涌能力時(shí)，如何設(shè)置P型摻雜區(qū)的位置同時(shí)降低器件工作時(shí)溫度不均勻程度就是一個(gè)需要解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種寬禁帶半導(dǎo)體器件，有利于降低器件溫度不均勻的程度。

為此，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種寬禁帶半導(dǎo)體器件，包括終端結(jié)構(gòu)區(qū)、有源區(qū)、以及所述有源區(qū)與所述終端結(jié)構(gòu)區(qū)之間的過渡區(qū)域，所述有源區(qū)包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域靠近和/或位于所述器件四周，所述第二區(qū)域靠近和/或位于所述器件中心，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域直接電連接，和/或分別與所述器件的其他區(qū)域電連接；所述第一區(qū)域的單位面積內(nèi)肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)寬度的比值γ_{第一區(qū)域}比所述第二區(qū)域的單位面積內(nèi)肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)寬度的比值γ_{第二區(qū)域}大，用于使所述器件內(nèi)部至外部的電流導(dǎo)通能力呈逐漸增大趨勢，從而使所述器件外部比所述器件內(nèi)部產(chǎn)生較多的熱量。

進(jìn)一步的，所述第一區(qū)域還設(shè)有第三子區(qū)域，所述第一區(qū)域相應(yīng)的包括靠近所述第三子區(qū)域的第一子區(qū)域和遠(yuǎn)離所述第三子區(qū)域的第二子區(qū)域，所述第三子區(qū)域中心對(duì)稱分布在所述器件兩側(cè)，所述第三子區(qū)域全部由P型摻雜區(qū)組成，所述第一子區(qū)域的比值γ_{第一子區(qū)域}最大。

進(jìn)一步的，所述第二區(qū)域包括位于所述器件中心的第四子區(qū)域和靠近所述器件中心的第五子區(qū)域，所述第四子區(qū)域的比值γ_{第四子區(qū)域}小于所述第五子區(qū)域的比值γ_{第五子區(qū)域}，并且γ_{第四子區(qū)域}和γ_{第五子區(qū)域}均小于外部四周的所述比值γ。

進(jìn)一步的，所述第二子區(qū)域的比值γ_{第二子區(qū)域}和所述第五子區(qū)域的所述比值γ_{第五子區(qū)域}在所述器件各區(qū)域的所述比值γ在所述器件各區(qū)域的γ值大小排序居中，用于在器件中在沒有大面積P型摻雜區(qū)的區(qū)域仍滿足內(nèi)部至外部的電流導(dǎo)通能力呈逐漸增大趨勢的要求。

進(jìn)一步的，所述第五子區(qū)域的比值γ_{第五子區(qū)域}小于所述第二子區(qū)域的比值γ_第二子區(qū)域。

進(jìn)一步的，構(gòu)成所述第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、第四子區(qū)域和第五子區(qū)域的肖特基接觸區(qū)可采用如下之一形狀包括條形、矩形、六邊形和圓形等；構(gòu)成所述第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、第四子區(qū)域和第五子區(qū)域的P型摻雜區(qū)可采用如下之一形狀包括條形、矩形、六邊形和圓形等；所述第三子區(qū)域可采用如下之一形狀包括條形、矩形、六邊形和圓形等。

進(jìn)一步的，所述第一子區(qū)域的結(jié)構(gòu)為交替規(guī)則排列的條狀第一肖特基接觸區(qū)和第一P型摻雜區(qū)；所述第二子區(qū)域的結(jié)構(gòu)為交替規(guī)則排列的條狀第一肖特基接觸區(qū)和第二P型摻雜區(qū)，所述第一肖特基接觸區(qū)在器件平面X軸方向上寬度都相同，所述第二子區(qū)域分布于器件中心的兩側(cè)，上下整體分別呈凹字形；所述第三子區(qū)域?yàn)榱鶄€(gè)面積相同的矩形區(qū)域。

進(jìn)一步的，所述第四子區(qū)域的結(jié)構(gòu)為大面積的第三P型摻雜區(qū)和其中規(guī)則分布的第二肖特基接觸區(qū)，所述第四子區(qū)域的整體呈正方形狀；所述第五子區(qū)域的結(jié)構(gòu)為交替規(guī)則排列的第三肖特基接觸區(qū)和第二P型摻雜區(qū)，所述第三肖特基接觸區(qū)和所述第二肖特基接觸區(qū)的基本單元結(jié)構(gòu)形狀相同、面積相同或相似，所述第五子區(qū)域的整體呈中空的四面凸起形狀，所述第二、第三肖特基接觸區(qū)和所述第一肖特基接觸區(qū)在器件平面X軸方向上寬度都相同，所述第二子區(qū)域和所述第五子區(qū)域中的所述第二P型摻雜區(qū)在器件平面X軸方向上寬度都相同。

進(jìn)一步的，所述第二、第三肖特基接觸區(qū)的基本單元結(jié)構(gòu)為正方形，W₂為所述第三子區(qū)域的P型摻雜區(qū)寬度，W_A為所述第四子區(qū)域中第三P型摻雜區(qū)的寬度，W_B為所述第二子區(qū)域和所述第五子區(qū)域中第二P型摻雜區(qū)的寬度，W_C為所述第一子區(qū)域中第一P型摻雜區(qū)的寬度，所述器件中的各部分P型摻雜區(qū)采用相同摻雜類型且具有W₂>W_A>W_B>W_C。

進(jìn)一步的，W₂、W_A、W_B、W_C的各尺寸數(shù)量關(guān)系按照下列規(guī)則進(jìn)行設(shè)計(jì)選取：

W_A＝N*W₁+(N+1)*W_B，

其中，N為整數(shù)；W₁為設(shè)計(jì)時(shí)的已知數(shù)值；但最終W_A的取值應(yīng)小于所述第五子區(qū)域的寬度的一半；

W₂＝N*W₁+(N-1)*W_C，

且滿足

其中，N為整數(shù)；W_C為設(shè)計(jì)時(shí)的已知數(shù)值；ρ是N-epi的薄層電阻率，ΔV為碳化硅中PN結(jié)的自建電勢，J為所述器件PN結(jié)開啟時(shí)所需求的電路密度；

W_B＝λ*W_C，

且滿足S₁*γ_{第二子區(qū)域}＝(S₂-3*S₃)*γ_{第一子區(qū)域}

其中，λ取值范圍是1.5至2.5；S₁為第二子區(qū)域的面積，γ_{第二子區(qū)域}為第二子區(qū)域單位面積內(nèi)肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)寬度的比值，S₂為第一子區(qū)域的面積，S₃為第三子區(qū)域的面積，γ_{第一子區(qū)域}為第一子區(qū)域單位面積內(nèi)肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)寬度的比值。

本發(fā)明的有益效果是：器件設(shè)計(jì)中采用了由器件有源區(qū)內(nèi)部至外部，單位面積內(nèi)肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)寬度的比值呈逐步增大趨勢的設(shè)計(jì)方法，使碳化硅肖特基二極管器件在正向?qū)〞r(shí)，器件中部電流密度小，四周電流密度大，有利于降低在均勻γ設(shè)計(jì)中器件溫度不均勻的程度，從而可以提高器件正常工作時(shí)實(shí)際的電流導(dǎo)通能力。

本發(fā)明的一些優(yōu)選方式還具有如下的有益效果：在器件中單獨(dú)設(shè)計(jì)的第三子區(qū)域全部由P型摻雜區(qū)構(gòu)成，因此為了保證器件有源區(qū)內(nèi)部至外部，單位面積內(nèi)肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)寬度的比值呈逐步增大趨勢，需要在含有較大面積的P型摻雜區(qū)周邊γ值最大。在沒有大面積P型摻雜區(qū)的區(qū)域，采用一個(gè)取值居中的γ值來進(jìn)行布局設(shè)計(jì)。這樣設(shè)計(jì)可以增加PN結(jié)面積，提高了器件的PN二極管比例，使器件在有大電流通過時(shí)，有更多面積的PN結(jié)開啟來通過電流，提高了器件浪涌電流能力，并且同時(shí)仍滿足器件內(nèi)部至外部的電流導(dǎo)通能力呈逐漸增大趨勢的要求，保證器件溫度均勻。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中寬禁帶半導(dǎo)體器件剖面的基本單元結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種寬禁帶半導(dǎo)體器件的水平面結(jié)構(gòu)圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種寬禁帶半導(dǎo)體器件的水平面區(qū)域圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種寬禁帶半導(dǎo)體器件沿A-A’方向剖面的結(jié)構(gòu)圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種寬禁帶半導(dǎo)體器件沿B-B’方向剖面的結(jié)構(gòu)圖。

圖6是本發(fā)明實(shí)施例二提供的第一種寬禁帶半導(dǎo)體器件的水平面區(qū)域圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例二提供的第二種寬禁帶半導(dǎo)體器件的水平面區(qū)域圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例二提供的第三種寬禁帶半導(dǎo)體器件的水平面區(qū)域圖。

具體實(shí)施方式

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中器件橫截面的基本單元結(jié)構(gòu)，其中N-epi和N-sub是具有第一型摻雜類型的區(qū)域；301是P型摻雜區(qū)，是具有第二型摻雜類型的區(qū)域；101為肖特基接觸區(qū)；401和501為接觸電極。

現(xiàn)有技術(shù)的工作原理是：當(dāng)電極401和電極501之間施加正向電壓，當(dāng)正向電壓增大到約0.8V時(shí)，由肖特基接觸區(qū)101形成的肖特基二極管發(fā)生開啟，開始導(dǎo)通電流，電流由電極401流入，經(jīng)過肖特基接觸區(qū)101，經(jīng)過N-epi區(qū)和N-sub區(qū)，由電極501流出，此時(shí)電極401和501之間的電流都是由肖特基接觸區(qū)101來導(dǎo)通。隨著正向壓降增大，當(dāng)P型摻雜區(qū)301和N-epi之間的PN結(jié)電壓差達(dá)到約3V時(shí)，P型摻雜區(qū)301和N-epi之間的PN導(dǎo)通，此時(shí)由電極401，P型摻雜區(qū)301，N-epi,N-sub和電極501形成的PN二極管與由電極401，肖特基接觸區(qū)101，N-epi,N-sub和電極501形成的肖特基二極管共同導(dǎo)通電流。

如圖1所示，定義單元結(jié)構(gòu)中的肖特基接觸區(qū)101寬度與P型摻雜區(qū)301寬度的比列為：

γ＝Wn/Wp

當(dāng)γ越小，相同面積內(nèi)，器件的肖特基面積減小，器件正常工作下，電流導(dǎo)通能力下降；相應(yīng)的PN結(jié)面積增多，有利于器件在發(fā)生電流浪涌時(shí)，有更多的PN二極管部分來承擔(dān)浪涌電流。γ越小時(shí)，器件的浪涌電流能力有所提高。當(dāng)γ越大時(shí)，肖特基面積增大，將有利于增加器件在正常工作條件下電流導(dǎo)通能力。

下面結(jié)合具體實(shí)施方式并對(duì)照附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明，應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，下述說明僅僅是示例性的，而不是為了限制本發(fā)明的范圍及其應(yīng)用。

實(shí)施例一

如圖2和圖3所示是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的一種寬禁帶半導(dǎo)體器件，終端結(jié)構(gòu)區(qū)4可以是滿足器件耐壓需求的任意一種終端結(jié)構(gòu)，如多個(gè)場限環(huán)，場限環(huán)加場板，或橫向變摻雜的結(jié)構(gòu)，結(jié)終端擴(kuò)展的結(jié)構(gòu)。區(qū)域5為器件內(nèi)部有源區(qū)與外部終端結(jié)構(gòu)區(qū)4之間的過渡區(qū)域，由P型摻雜區(qū)構(gòu)成。該器件內(nèi)部的有源區(qū)分為第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域可以為區(qū)域10和/或區(qū)域20，第二區(qū)域可以為區(qū)域40和/或區(qū)域30。在本實(shí)施例中，為了使所述器件內(nèi)部至外部的電流導(dǎo)通能力呈逐漸增大趨勢，把第一區(qū)域和第二區(qū)域做了更詳細(xì)的劃分，因此第一區(qū)域包括區(qū)域10和區(qū)域20，第二區(qū)域包括區(qū)域40和區(qū)域30，第一區(qū)域和第二區(qū)域直接電連接。其中，第一區(qū)域還單獨(dú)設(shè)有第三子區(qū)域50，相應(yīng)的，第一區(qū)域包括靠近第三子區(qū)域50的第一子區(qū)域10和遠(yuǎn)離第三子區(qū)域50的第二子區(qū)域20；第二區(qū)域包括位于器件中心的第四子區(qū)域40和靠近器件中心的第五子區(qū)域30。

第一子區(qū)域10的結(jié)構(gòu)(不含區(qū)域50所示的面積)為交替規(guī)則排列的條狀第一肖特基接觸區(qū)1A和第一P型摻雜區(qū)3C；第二子區(qū)域20的結(jié)構(gòu)為交替規(guī)則排列的條狀第一肖特基接觸區(qū)1A和第二P型摻雜區(qū)3B，并且第二子區(qū)域20分布于器件中心的兩側(cè)，上下整體分別呈凹字形；第四子區(qū)域40的結(jié)構(gòu)為大面積的第三P型摻雜區(qū)3A和其中規(guī)則分布的正方形第二肖特基接觸區(qū)1C，第四子區(qū)域40的整體呈正方形狀；第五子區(qū)域30的結(jié)構(gòu)為交替規(guī)則排列的第三肖特基接觸區(qū)1B和第二P型摻雜區(qū)3B，第五子區(qū)域30整體呈中空的四面凸起形狀。其中，第三肖特基接觸區(qū)1B和第二肖特基接觸區(qū)1C的基本單元結(jié)構(gòu)形狀和面積都相同，第一肖特基接觸區(qū)1A、第二肖特基接觸區(qū)1C和第三肖特基接觸區(qū)1B在器件平面X軸方向上寬度相同，在器件剖面上與N型摻雜區(qū)直接接觸，第二子區(qū)域20和第五子區(qū)域30中的第二P型摻雜區(qū)3B在器件平面X軸方向上寬度相同。第三子區(qū)域50為六個(gè)面積相同的矩形區(qū)域，且中心對(duì)稱分布在器件兩側(cè)，第三子區(qū)域全部由P型摻雜區(qū)組成；圖2中附圖標(biāo)記2、3A、3B、3C即為P型摻雜區(qū)，上述4個(gè)P型摻雜區(qū)均采用相同摻雜類型且均由歐姆電極引出，但是寬度都不相同。而P型摻雜區(qū)之間的肖特基接觸區(qū)1A、1B、1C的寬度都相同，在圖4、圖5中用附圖標(biāo)記1表示。

如圖4、圖5所示分別為沿A-A’方向、B-B’方向剖面的結(jié)構(gòu)圖，其中各區(qū)域?qū)挾萕₂、W_A、W_B、W_C分別對(duì)應(yīng)第三子區(qū)域50、第四子區(qū)域40、第五子區(qū)域30、第一子區(qū)域10中P型摻雜區(qū)寬度。W₂、W_A、W_B、W_C的各尺寸數(shù)量關(guān)系按照下列規(guī)則進(jìn)行設(shè)計(jì)選?。?/p>

W_A＝N*W₁+(N+1)*W_B，

其中，N為整數(shù)；W₁為設(shè)計(jì)時(shí)的已知數(shù)值；但最終W_A的取值應(yīng)小于所述第五子區(qū)域的寬度的一半；

W₂＝N*W₁+(N-1)*W_C，

且滿足

其中，N為整數(shù)；W_C為設(shè)計(jì)時(shí)的已知數(shù)值；ρ是N-epi的薄層電阻率，ΔV為碳化硅中PN結(jié)的自建電勢，J為所述器件PN結(jié)開啟時(shí)所需求的電路密度；

W_B＝λ*W_C，

且滿足S₁*γ_{第二子區(qū)域}＝(S₂-3*S₃)*γ_{第一子區(qū)域}

其中，λ取值范圍是1.5至2.5；S₁為第二子區(qū)域的面積，γ_{第二子區(qū)域}為第二子區(qū)域單位面積內(nèi)肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)寬度的比值，S₂為第一子區(qū)域的面積，S₃為第三子區(qū)域的面積，γ_{第一子區(qū)域}為第一子區(qū)域單位面積內(nèi)肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)寬度的比值。

在低電壓下器件導(dǎo)通時(shí)，電流由1流入N-epi區(qū)，經(jīng)由N-sub流出底部電極。在高電壓時(shí)，P型摻雜區(qū)2(即第三子區(qū)域50的剖面)寬度最大，當(dāng)電流流經(jīng)區(qū)域2底部，在N-epi區(qū)引起的電壓降達(dá)到PN結(jié)的自建電勢時(shí)，PN結(jié)將開啟，對(duì)N-epi區(qū)注入少數(shù)載流子，進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制。

采用本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)使第一子區(qū)域10、第二子區(qū)域20、第五子區(qū)域30、第四子區(qū)域40的γ值具有以下關(guān)系：

γ_{第一子區(qū)域}>γ_{第二子區(qū)域}>γ_{第五子區(qū)域}>γ_{第四子區(qū)域}

基于上述各區(qū)域的γ比例的設(shè)計(jì)，器件在正常工作條件下，各區(qū)域電流密度情況如下：

第一子區(qū)域10中由于γ值最大，此區(qū)域內(nèi)的電流密度最大；

第四子區(qū)域40中由于γ值最小，此區(qū)域內(nèi)的電流密度最小；

第二子區(qū)域20和第五子區(qū)域30中由于γ值居中，此區(qū)域內(nèi)的電流密度居中；

器件在正常工作情況下，第四子區(qū)域40電流密度最小，第四子區(qū)域40通過的電流小，發(fā)熱量低；第一子區(qū)域10電流密度最大，通過的電流大，發(fā)熱量大。第二子區(qū)域20作為居中區(qū)域在x方向上位于第一子區(qū)域10和第五子區(qū)域30之間，沿著y方向與第一子區(qū)域10并行排列。通過上述的設(shè)計(jì)，從設(shè)計(jì)上使器件在易散熱的四周電流密度高，在散熱較難的中部區(qū)域電流密度減低，在中心區(qū)域電流密度減到最小，通過電流密度的不均勻分布達(dá)到降低器件工作時(shí)溫度分布不均勻的程度，從而可以提高器件正常工作時(shí)實(shí)際的電流導(dǎo)通能力。并且在器件中單獨(dú)設(shè)計(jì)的第三子區(qū)域50全部由P型摻雜區(qū)構(gòu)成，可以增加PN結(jié)面積，提高了器件的PN二極管比例，使器件在有大電流通過時(shí)，有更多面積的PN結(jié)開啟來通過電流，提高器件浪涌電流能力。

但是第三子區(qū)域50全部由P型摻雜區(qū)構(gòu)成，在低電壓的情況下不導(dǎo)電，因此為了保證器件有源區(qū)內(nèi)部至外部，單位面積內(nèi)肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)寬度的比值呈逐步增大趨勢，需要在含有較大面積的P型摻雜區(qū)周邊γ值最大。在沒有大面積P型摻雜區(qū)的區(qū)域，采用一個(gè)取值居中的γ值來進(jìn)行布局設(shè)計(jì)。這樣設(shè)計(jì)可以在保證器件溫度均勻的同時(shí)提高了器件浪涌電流能力。

在變通的實(shí)施例中，第一區(qū)域可以為圖3中區(qū)域10位置，第二區(qū)域可以為區(qū)域40位置，第一區(qū)域和第二區(qū)域分別與所述器件的其他區(qū)域電連接，并且第一區(qū)域的單位面積內(nèi)肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)寬度的比值γ比第二區(qū)局的γ值大，同樣可以起到使器件外部比內(nèi)部產(chǎn)生較多熱量的作用。因此對(duì)第一區(qū)域和第二區(qū)域的位置和形狀都不做限制，只要滿足由器件有源區(qū)內(nèi)部至外部，單位面積內(nèi)肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)寬度的比值呈逐步增大趨勢的設(shè)計(jì)方法，用于使所述器件內(nèi)部至外部的電流導(dǎo)通能力呈逐漸增大趨勢，從而使所述器件外部比所述器件內(nèi)部產(chǎn)生較多的熱量，都應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)；在變通的實(shí)施例中，第五子區(qū)域的30比值γ_{第五子區(qū)域}可以大于或等于第二子區(qū)域20的比值γ_{第二子區(qū)域}。因?yàn)樵谄骷性跊]有大面積P型摻雜區(qū)的區(qū)域，只要采用一個(gè)取值居中的γ值進(jìn)行布局設(shè)計(jì)即可。這樣整體上，器件內(nèi)部至外部的電流導(dǎo)通能力仍然呈逐漸增大趨勢。在變通的實(shí)施例中，第三子區(qū)域采用如下之一形狀包括條形、矩形、六邊形和圓形等。只要是由大面積的P型摻雜區(qū)組成，可以使器件提高浪涌電流能力即可，并不限制具體的形狀。

實(shí)施例二

如圖6、圖7、圖8所示分別示出了本發(fā)明的其他三種變型方式，以圖6為例進(jìn)行說明。圖6中的第一區(qū)域?yàn)閰^(qū)域10A，第二區(qū)域包括區(qū)域40A和區(qū)域30A，其中第二區(qū)域和第一區(qū)域在X軸方法向上直接電連接，在Y軸方向上通過器件的其他區(qū)域電連接，并且第一區(qū)域的單位面積內(nèi)肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)寬度的比值γ比第二區(qū)局的γ值大。圖6中的區(qū)域30A為實(shí)施例一對(duì)應(yīng)的第五子區(qū)域，40A為實(shí)施例一對(duì)應(yīng)的第四子區(qū)域，其中第四子區(qū)域40A的結(jié)構(gòu)為大面積的P型摻雜區(qū)和沿X軸平行規(guī)則排列的條形肖特基接觸區(qū)，第四子區(qū)域40A的整體呈正方形狀；第五子區(qū)域30A的結(jié)構(gòu)為沿X軸平行規(guī)則排列的條形肖特基接觸區(qū)和P型摻雜區(qū)，第五子區(qū)域30A整體呈中空的四面凸起形狀，第四子區(qū)域40A和第五子區(qū)域30A中肖特基接觸區(qū)的基本單元結(jié)構(gòu)形狀相似。該種變形方式同樣可以使第四子區(qū)域的單位面積內(nèi)肖特基接觸區(qū)與P型摻雜區(qū)寬度的比值γ_{第四子區(qū)域}小于第五子區(qū)域的γ_{第五子區(qū)域}，并且γ_{第四子區(qū)域}和γ_{第五子區(qū)域}均小于外部四周的γ值，從而使在中心區(qū)域電流密度減到最小，使散熱較難的中部區(qū)域電流密度減低。在圖7中，第四子區(qū)域40B和第五子區(qū)域30B中肖特基接觸區(qū)的基本單元結(jié)構(gòu)為沿Y軸平行的條形，其他區(qū)域的結(jié)構(gòu)和形狀與圖6實(shí)施例相同；在圖8中，第四子區(qū)域40C和第五子區(qū)域30C中肖特基接觸區(qū)的基本單元結(jié)構(gòu)為六邊形，其他區(qū)域的結(jié)構(gòu)和形狀與圖6實(shí)施例相同。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體/優(yōu)選的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，其還可以對(duì)這些已描述的實(shí)施方式做出若干替代或變型，而這些替代或變型方式都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。