本發(fā)明涉及無線通信技術領域,尤其涉及一種天線及移動終端。
背景技術:
ca(載波聚合)是lte-advanced系統(tǒng)為了滿足單用戶峰值速率和系統(tǒng)容量提升的要求,而引入的一項增加天線的傳輸帶寬的技術。全球不同區(qū)域的運營商會有不同的lte頻譜分配,因此也就有不同的ca的頻段組合需求。
為了滿足不同的ca的頻段組合需求,傳統(tǒng)技術中采用調(diào)諧開關直接連接金屬邊框的方式,通過調(diào)諧開關實現(xiàn)調(diào)諧功能。然而,調(diào)諧開關直接連接金屬邊框時,容易出現(xiàn)接觸不良的問題,并且,調(diào)節(jié)天線的低頻頻段時天線的高頻頻段也會發(fā)生變化,這兩個問題都會對天線的性能產(chǎn)生不良影響。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明提供了一種天線及移動終端,該天線的性能更優(yōu)。
本發(fā)明的第一方面提供了一種天線,所述天線具有饋地點和饋電點,所述天線包括電路板、金屬邊框、調(diào)諧開關和連接結構;
所述電路板具有系統(tǒng)地;
所述金屬邊框包括位于底部的第一邊框和兩個分別設置于所述第一邊框的相對兩側(cè)的第二邊框,所述第一邊框的長度小于所述第二邊框的長度,所述第一邊框與所述系統(tǒng)地之間形成凈空區(qū),所述第二邊框與所述系統(tǒng)地連接,所述第一邊框的相對兩端與兩個所述第二邊框之間分別形成第一斷縫和第二斷縫;
所述連接結構包括第一連接體、第二連接體和第三連接體,所述調(diào)諧開關通過所述第一連接體與所述第一邊框連接,且所述第一連接體與所述饋地點連接,所述第二連接體與所述第一邊框連接,且所述第二連接體與所述饋電點連接,所述第三連接體連接于所述第二邊框與所述系統(tǒng)地之間;
所述第一邊框形成所述天線的低頻輻射部分,所述第一連接體和所述第二連接體形成所述天線的中頻輻射部分,所述第三連接體形成所述天線的高頻輻射部分,所述調(diào)諧開關用于調(diào)節(jié)所述低頻輻射部分的頻率。
優(yōu)選地,所述第一連接體和所述第二連接體中的至少一者為fpc、lds成型結構或者彈片。
優(yōu)選地,所述第二連接體為l形結構。
優(yōu)選地,所述第三連接體的一端連接于所述系統(tǒng)地靠近所述饋電點的一側(cè),另一端連接于所述第二邊框靠近所述饋電點的一側(cè)。
優(yōu)選地,所述饋電點與所述第一邊框的連接位置位于所述第一邊框靠近所述第二斷縫的一側(cè)。
優(yōu)選地,所述調(diào)諧開關為可調(diào)電容。
優(yōu)選地,所述天線的低頻頻段為698~960mhz,所述天線的中高頻頻段為1710~2690mhz。
本發(fā)明的第二方面提供了一種移動終端,其包括上述任一項所述的天線。
本發(fā)明提供的技術方案可以達到以下有益效果:
本發(fā)明所提供的天線通過第一連接體將調(diào)諧開關連接至天線的饋地點處,使得調(diào)諧開關不直接與金屬邊框連接,也就不容易出現(xiàn)接觸不良的問題,同時,此種連接方式可以在調(diào)節(jié)天線的低頻頻段時,保證天線的中高頻頻段基本不發(fā)生變化。所以,該天線的性能更優(yōu)。
應當理解的是,以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性的,并不能限制本發(fā)明。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實施例所提供的移動終端的部分結構示意圖;
圖2為圖1所示結構的局部放大示意圖;
圖3為本發(fā)明實施例所提供的天線的結構示意圖;
圖4為本發(fā)明實施例所提供的天線的結構簡圖;
圖5為本發(fā)明實施例所提供的天線的頻段示意圖;
圖6為本發(fā)明實施例所提供的天線的頻率調(diào)節(jié)示意圖;
圖7為本發(fā)明實施例所提供的天線的天線效率示意圖。
附圖標記:
10-饋地點;
11-饋電點;
12-凈空區(qū);
20-系統(tǒng)地;
21-金屬邊框;
210-第二邊框;
211-第一邊框;
212-第一斷縫;
213-第二斷縫;
22-調(diào)諧開關;
23-第一連接體;
24-第二連接體;
25-第三連接體。
此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分,示出了符合本發(fā)明的實施例,并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
具體實施方式
下面通過具體的實施例并結合附圖對本發(fā)明做進一步的詳細描述。
如圖1-4所示,本發(fā)明實施例提供了一種天線,該天線可以應用于移動終端中,尤其是便攜式移動終端中,其具有饋地點10和饋電點11,此處的饋地點10和饋電點11的具體位置可以根據(jù)測試得到。此天線具體可以包括電路板、金屬邊框21、調(diào)諧開關22和連接結構,電路板具有系統(tǒng)地20。
金屬邊框21具體指的是移動終端的環(huán)形中框部分,該金屬邊框21包括位于底部的第一邊框211和兩個分別設置于第一邊框211的相對兩側(cè)的第二邊框210,第一邊框211的長度小于第二邊框210的長度,也就是說,第一邊框211是金屬邊框21中的短邊部分,第二邊框210是金屬中框21中的長邊部分。第一邊框211的相對兩端與兩個第二邊框210之間分別形成第一斷縫212和第二斷縫213。該第一斷縫212和第二斷縫213的作用是隔絕能量輸出,進而保證天線的輻射性能。第一邊框211與系統(tǒng)地20之間形成凈空區(qū)12,第二邊框210與系統(tǒng)地20連接。
連接結構具體可包括第一連接體23、第二連接體24和第三連接體25,調(diào)諧開關22通過第一連接體23與第一邊框211連接,且第一連接體23與饋地點10連接,第二連接體24與第一邊框211連接,且第二連接體24與饋電點11連接,第三連接體25連接于第二邊框210與系統(tǒng)地20之間。
上述第一邊框211形成天線的低頻輻射部分,第一連接體23和第二連接體24形成天線的中頻輻射部分,此兩者中,第二連接體24的輻射作用比第一連接體23的輻射作用強一些。第三連接體25形成天線的高頻輻射部分。
如圖4所示,天線大致形成a、b、c所指的三個輻射部分,a指的是低頻輻射部分,b指的是中頻輻射部分,c指的是高頻輻射部分,此三個輻射部分的頻段范圍分別如圖5中a、b、c所指的頻段范圍。優(yōu)選地,該天線的低頻頻段為698~960mhz,中高頻頻段為1710~2690mhz。需要說明的是,天線的工作頻段具有相對集中的頻段范圍,將這些頻段范圍中頻率較低的部分稱為低頻頻段,頻率較高的部分稱為中高頻頻段(中高頻頻段也可單獨稱為中頻頻段和高頻頻段,高頻頻段的頻率高于中頻頻段的頻率)。
調(diào)諧開關22可以是動態(tài)可調(diào)電容,也可以是可調(diào)電感或者可調(diào)電阻,通過調(diào)節(jié)電容值、電感值或者電阻值實現(xiàn)天線的頻率調(diào)節(jié),更具體地,該調(diào)諧開關22主要調(diào)節(jié)前述低頻輻射部分的頻率,其調(diào)節(jié)過程對中頻輻射部分和高頻輻射部分的作用不是很明顯。參見圖6,調(diào)諧開關22具體可以對s11波形進行調(diào)諧。
本發(fā)明實施例所提供的天線通過第一連接體23將調(diào)諧開關22連接至天線的饋地點10處,使得調(diào)諧開關22不直接與金屬邊框21連接,也就不容易出現(xiàn)接觸不良的問題,同時,此種連接方式可以在調(diào)節(jié)天線的低頻頻段時,保證天線的中高頻頻段基本不發(fā)生變化。所以,該天線的性能更優(yōu)。
另外,通過改變第一連接體23的長寬等結構參數(shù),就可以改變調(diào)諧開關22的頻率調(diào)節(jié)范圍以及切換的狀態(tài),進而降低天線的調(diào)試難度。
上述第一連接體23和第二連接體24中的至少一者可以采用fpc(flexibleprintedcircuit,柔性電路板),也可以是采用lds(laserdirectstructuring,激光直接成型技術)成型的結構,即lds成型結構,或者采用彈片,該彈片的具體結構可以參考現(xiàn)有技術。當然,第一連接體23和第二連接體24除了采用前文提到的各種結構以外,也可以采用其他結構。
進一步地,第三連接體25的一端連接于系統(tǒng)地20靠近饋電點11的一側(cè),另一端連接于第二邊框210靠近饋電點11的一側(cè)。如此設置可以使得第三連接體25與饋電點11之間的距離相對更小一些,便于第三連接體25發(fā)揮輻射作用。此處的第三連接體25的結構可以是fpc、lds成型結構或者彈片等結構。
上述第一連接體23、第二連接體24和第三連接體25的形狀可以根據(jù)實際需求靈活選擇,例如三者可以采用直線型結構或者彎曲結構??蛇x地,第一連接體23和第二連接體24均可以采用l形結構,第三連接體25可以采用直線型結構,以此優(yōu)化三者的輻射強度,并且充分利用移動終端內(nèi)部的空間。
對于饋電點11與第一邊框211之間的連接位置,本發(fā)明實施例優(yōu)選位于第一邊框211靠近第二斷縫213的一側(cè)。如此設置可以使得饋電點11與第一邊框211的連接位置具有相對明顯的偏向性,進而使得天線的低頻性能更加優(yōu)越。
如圖7所示,本發(fā)明實施例提供的天線具有較優(yōu)的天線效率。
基于上述結構,本發(fā)明實施例還提供一種移動終端,該移動終端包括上述任一實施例所描述的天線。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已,并不用于限制本發(fā)明,對于本領域的技術人員來說,本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。