技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置，該薄膜晶體管包括襯底基板以及設(shè)置在襯底基板上的柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，有源層包括源極區(qū)、漏極區(qū)和源極區(qū)和漏極區(qū)之間的溝道區(qū)，溝道區(qū)具有折曲式圖案。本公開(kāi)通過(guò)將溝道區(qū)設(shè)置成具有折曲式圖案的結(jié)構(gòu)，可以在不大幅度增加薄膜晶體管區(qū)域面積的情況下有效提高顯示器件的長(zhǎng)寬比，從而有效降低顯示器件的關(guān)態(tài)電流，制備出高性能的顯示裝置。當(dāng)有源層的材料為一維半導(dǎo)體性納米材料時(shí)，將溝道區(qū)設(shè)置成具有折曲式圖案的結(jié)構(gòu)，降低顯示器件的關(guān)態(tài)電流的效果尤其顯著。

技術(shù)研發(fā)人員：李延釗;孟虎;毛德豐
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
文檔號(hào)碼：201710030672
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.16
技術(shù)公布日：2017.06.09