1.一種槽柵增強型AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，包括：
半絕緣襯底；
位于所述半絕緣襯底上異質外延生長的AlN成核層；
位于所述AlN成核層上外延生長的GaN緩沖層；
位于所述GaN緩沖層上外延生長的AlGaN勢壘層；
分列于所述AlGaN勢壘層上的源極、柵凹槽以及漏極；
所述柵凹槽位于所述源極與漏極之間；
位于所述柵凹槽上的柵極；
其特征在于：
在AlGaN勢壘層上還外延生長有與柵極邊緣鄰接的本征GaN帽層，所述本征GaN帽層部分覆蓋或者完全覆蓋柵極和漏極之間的區(qū)域,其長度與對溝道2DEG濃度調制的需要有關。
2.如權利要求1所述的槽柵增強型AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于：所述本征GaN帽層是通過在AlGaN勢壘層表面外延生長本征GaN層，然后刻蝕形成的。
3.如權利要求1所述的槽柵增強型AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于：所述本征GaN帽層長度不超過柵漏間距的百分之二十。
4.如權利要求1所述的槽柵增強型AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于：所述柵凹槽是通過對本征GaN帽層和AlGaN勢壘層局部刻蝕形成的。
5.如權利要求1所述的槽柵增強型AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于：所述柵極通過肖特基接觸與所述AlGaN勢壘層相連。
6.如權利要求1所述的槽柵增強型AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于：所述源極和所述漏極均通過歐姆接觸與所述AlGaN勢壘層相連。
7.如權利要求1所述的槽柵增強型AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于：所述外延生長的GaN緩沖層具有n型電阻特性或半絕緣特性。
8.如權利要求1所述的槽柵增強型AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于：所述半絕緣襯底的材料為硅或碳化硅，或者替換為藍寶石襯底。