1.幾種高壓抗總劑量雙柵MOS管的分壓結(jié)構(gòu)，其特征在于，在雙柵MOS管的基礎(chǔ)上，通過分壓結(jié)構(gòu)減小施加在薄柵管柵極上的電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的幾種高壓抗總劑量雙柵MOS管的分壓結(jié)構(gòu)，其特征在于，分壓結(jié)構(gòu)為兩個(gè)串聯(lián)的PMOS管。
3.如權(quán)利要求1所述的幾種高壓抗總劑量雙柵MOS管的分壓結(jié)構(gòu)，其特征在于，分壓結(jié)構(gòu)為兩個(gè)串聯(lián)的NMOS管。
4.如權(quán)利要求1所述的幾種高壓抗總劑量雙柵MOS管的分壓結(jié)構(gòu)，其特征在于，分壓結(jié)構(gòu)串聯(lián)的兩個(gè)NMOS管，可以為增強(qiáng)型或者耗盡型。
5.如權(quán)利要求1所述的幾種高壓抗總劑量雙柵MOS管的分壓結(jié)構(gòu)，其特征在于，分壓結(jié)構(gòu)為兩個(gè)串聯(lián)的二極管。
6.如權(quán)利要求1所述的幾種高壓抗總劑量雙柵MOS管的分壓結(jié)構(gòu)，其特征在于，分壓結(jié)構(gòu)為兩個(gè)串聯(lián)的電阻。