本發(fā)明涉及太陽能電池加工裝置技術領域，尤其是涉及一種載板及使用該載板的太陽能電池生產(chǎn)設備。

背景技術：

晶硅太陽能電池具有工藝簡單、太陽能轉(zhuǎn)化效率較高等優(yōu)點而被大規(guī)模應用，在晶硅電池的生產(chǎn)中，RIE干法制絨重要的真空工藝技術。RIE干法制絨是在真空化學氣氛下經(jīng)等離子激發(fā)形成低反射率的粗糙表面。

RIE干法制絨的通常工藝流程為：將硅片在大氣中放置在載板上，載板通過載板傳輸裝置傳輸?shù)窖b載腔中，在裝載腔抽真空抽到10Pa左右，然后再傳輸?shù)焦に嚽唤邮躌IE刻蝕。工藝完成后，載板進入卸載腔(放氣腔)，并通過硅片吸取裝置將處理后的硅片從載板上取下。

使用現(xiàn)有的載板完成上述工藝后，當硅片吸取裝置吸取硅片時，容易使絨面受損，甚至導致碰碎硅片的現(xiàn)象發(fā)生。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種載板，以解決使用現(xiàn)有的載板存在的吸取硅片時使絨面受損或碎片現(xiàn)象嚴重的技術問題。

本發(fā)明的目的還在于提供一種太陽能電池生產(chǎn)設備，以解決現(xiàn)有的太陽能電池生產(chǎn)設備因使用現(xiàn)有的載板導致的吸取硅片時易產(chǎn)生絨面受損或碎片現(xiàn)象嚴重的技術問題。

基于上述第一目的，本發(fā)明提供了一種載板，包括板體，所述板體的上板面設置有兩個陪片放置區(qū)和多個按行列排布的硅片放置區(qū)；所述硅片放置區(qū)設置有通氣凹槽；相鄰兩個所述硅片放置區(qū)的邊緣之間設置有硅片定位凸起，用于將所述硅片限定于所述硅片放置區(qū)中；兩個所述陪片放置區(qū)分別位于所述板體的兩個短邊側(cè)；所述陪片放置區(qū)的邊緣與所述硅片放置區(qū)的邊緣之間設置有所述硅片定位凸起。

進一步的，所述通氣凹槽包括第一子槽和第二子槽，所述第一子槽和所述第二子槽交叉設置。

進一步的，所述第一子槽的長度方向與所述第二子槽的長度方向的夾角的角平分線與所述板體的短邊相垂直。

進一步的，所述第一子槽的長度方向與所述第二子槽的長度方向相垂直。

進一步的，所述通氣凹槽還包括第三子槽，所述第三子槽的長度方向與所述第一子槽的長度方向相平行。

進一步的，所述第一子槽的深度為0.5～1.5mm，所述第一子槽的槽寬為0.5～1.5mm。

進一步的，所述硅片定位凸起的高度為0.1～1mm。

進一步的，所述板體的下板面設置有多個按行列排布的凹陷部，多個所述凹陷部與多個所述硅片放置區(qū)的位置一一對應。

進一步的，所述板體和所述硅片定位凸起的材質(zhì)均為鋁合金。

基于上述第二目的，本發(fā)明還提供了一種太陽能電池生產(chǎn)設備，包括載板傳輸裝置和所述的載板，所述載板傳輸裝置用于傳輸所述載板。

本發(fā)明提供的載板，在使用時，將硅片放置在硅片放置區(qū)中，硅片定位凸起可將硅片的位置限定在相應的硅片放置區(qū)中。放置有硅片的載板通過載板傳輸裝置傳輸?shù)窖b載腔中，在裝載腔抽真空，然后再傳輸?shù)焦に嚽唤邮躌IE刻蝕。工藝完成后，載板進入卸載腔(放氣腔)，并通過硅片吸取裝置將處理后的硅片從載板上取下。本發(fā)明通過在硅片放置區(qū)設置通氣凹槽，能夠消除硅片與板體之間的負壓，便于硅片吸取裝置吸取硅片，從而有效地避免了損壞絨面和碰碎硅片的現(xiàn)象發(fā)生，提高了成品的良品率。

本發(fā)明提供的太陽能電池生產(chǎn)設備，通過使用本發(fā)明提供的載板，在吸取硅片時，能夠有效地避免損壞絨面和碰碎硅片的現(xiàn)象發(fā)生，提高了成品的良品率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明具體實施方式或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例一提供的載板的上板面的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中A處的局部放大圖；

圖3為本發(fā)明實施例一提供的載板的下板面的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例一提供的載板的上板面的一種變形例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖4中B處的局部放大圖。

圖標：101-陪片放置區(qū)；102-硅片放置區(qū)；103-第一子槽；104-硅片定位凸起；106-凹陷部；107-第二子槽；108-第三子槽。

具體實施方式

下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發(fā)明中的具體含義。

實施例一

圖1為本發(fā)明實施例一提供的載板的上板面的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中A處的局部放大圖；圖3為本發(fā)明實施例一提供的載板的下板面的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實施例一提供的載板的上板面的一種變形例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4中B處的局部放大圖。參見圖1至圖5所示，本實施例提供了一種載板，包括板體，板體的上板面設置有兩個陪片放置區(qū)101和多個按行列排布的硅片放置區(qū)102；為清楚顯示，圖1和圖4中的實線框表示一個陪片放置區(qū)101，虛線框表示一個硅片放置區(qū)102。硅片放置區(qū)102設置有通氣凹槽；相鄰兩個硅片放置區(qū)102的邊緣之間設置有硅片定位凸起104，用于將硅片限定于硅片放置區(qū)102中；作為優(yōu)選，相鄰兩個硅片放置區(qū)102的邊緣之間設置有兩個硅片定位凸起104；本實施例提供的板體呈矩形，兩個陪片放置區(qū)101分別位于板體的兩個短邊側(cè)，其中，兩個短邊側(cè)是與載板的傳輸方向相平行的兩側(cè)。陪片放置區(qū)101的邊緣與硅片放置區(qū)102的邊緣之間設置有硅片定位凸起104，作為優(yōu)選，陪片放置區(qū)101的邊緣與硅片放置區(qū)102的邊緣之間設置有兩個硅片定位凸起104。本實施例的可選方案中，硅片放置區(qū)102的邊緣與板體的兩個長邊側(cè)之間設置有硅片定位凸起104，作為優(yōu)選，硅片放置區(qū)102的邊緣與板體的兩個長邊側(cè)之間設置有兩個硅片定位凸起104，其中，長邊側(cè)與短邊側(cè)相垂直。

本發(fā)明提供的載板，在使用時，將硅片放置在硅片放置區(qū)102中，硅片定位凸起104可將硅片的位置限定在相應的硅片放置區(qū)102中。放置有硅片的載板通過載板傳輸裝置傳輸?shù)窖b載腔中，在裝載腔抽真空，然后再傳輸?shù)焦に嚽唤邮躌IE刻蝕。工藝完成后，載板進入卸載腔(放氣腔)，并通過硅片吸取裝置將處理后的硅片從載板上取下。本發(fā)明通過在硅片放置區(qū)102設置通氣凹槽，能夠消除硅片與板體之間的負壓，便于硅片吸取裝置吸取硅片，從而有效地避免了損壞絨面和碰碎硅片的現(xiàn)象發(fā)生，提高了成品的良品率。

此外，本實施例提供的兩個陪片放置區(qū)101分別位于板體的兩個短邊側(cè)，其中，兩個短邊側(cè)是與載板的傳輸方向相平行的兩側(cè)，也就是說，本實施例提供的載板消除了與載板的傳輸方向相垂直的兩側(cè)的陪片放置區(qū)101，降低了使用陪片的成本，減小了載板的整體尺寸，提高了生產(chǎn)效率。在實際生產(chǎn)過程中，硅片的靠近板體的長邊側(cè)的邊緣與該長邊側(cè)之間的距離為0.1～1mm，這樣的方式能夠避免板體的長邊側(cè)上的硅片在制絨過程中出現(xiàn)邊緣絨面不良的現(xiàn)象，提高了硅片制絨質(zhì)量。

作為優(yōu)選，本實施例提供的硅片放置區(qū)102為40個，按5行8列排布。

作為優(yōu)選，通氣凹槽包括第一子槽103和第二子槽107，第一子槽103和第二子槽107交叉設置。

將第一子槽103和第二子槽107交叉設置，這樣的方式能夠更有效地消除硅片的下表面與板體的上板面之間的負壓，便于硅片吸取裝置吸取硅片，從而有效地避免了損壞絨面和碰碎硅片的現(xiàn)象發(fā)生，提高了成品的良品率。

在本實施例的可選方案中，第一子槽103的長度方向與第二子槽107的長度方向的夾角的角平分線與板體的短邊相垂直。

參見圖1所示，第一子槽103的長度方向與第二子槽107的長度方向的夾角為α，夾角α的角平分線與板體的短邊相垂直，這樣的方式使得第一子槽103與第二子槽107以對稱的方式設置，從而使硅片與板體之間的氣壓分布均勻，當硅片吸取裝置吸取硅片時，能夠?qū)⒐杵瑥妮d板上平穩(wěn)地吸附起來，有效地避免了因硅片與板體之間的氣壓分布不均勻而導致的吸取過程中硅片發(fā)生傾斜或掉落的現(xiàn)象，有效地保護了絨面，使得制絨后的硅片完好無損，提高了成品的良品率。

在該可選方案中，通氣凹槽還包括第三子槽108，第三子槽108的長度方向與第一子槽103的長度方向相平行。

作為優(yōu)選，第三子槽108為多個，多個第三子槽108沿第二子槽107的長度方向間隔設置。

作為優(yōu)選，參見圖1所示，第三子槽108為六個，對稱分布在第一子槽103的兩側(cè)。

在該可選方案中，第一子槽103的深度為0.5～1.5mm，第一子槽103的槽寬為0.5～1.5mm。

第一子槽103的深度過大，就需要增加板體的整體厚度，這樣就會導致材料浪費，同時也增加了制造載板的成本。

第一子槽103的深度過小，不能有效地消除硅片的下表面與板體的上板面之間的負壓，當硅片吸取裝置吸取硅片時，不能有效地避免損壞絨面和碰碎硅片的現(xiàn)象發(fā)生。

作為優(yōu)選，第一子槽103的深度為1mm。

第一子槽103的槽寬過寬，會導致硅片的下表面與板體的上表面之間的接觸面積過小，也就是說，板體不能對硅片起到良好的支撐作用，不僅不利于硅片的固定，而且當硅片進入工藝腔進行RIE刻蝕時，極易被損壞。

第一子槽103的槽寬過窄，不能有效地消除硅片的下表面與板體的上板面之間的負壓，當硅片吸取裝置吸取硅片時，不能有效地避免損壞絨面和碰碎硅片的現(xiàn)象發(fā)生。

作為優(yōu)選，第一子槽103的槽寬為1mm。

在該可選方案中，第二子槽107的深度為0.5～1.5mm，第二子槽107的槽寬為0.5～1.5mm。第三子槽108的深度為0.5～1.5mm，第三子槽108的槽寬為0.5～1.5mm。

在該可選方案中，硅片定位凸起104的高度為0.1～1mm。

硅片定位凸起104的高度過高，一旦硅片的一邊落在硅片定位凸起104上，就會導致硅片發(fā)生傾斜，造成硅片邊緣絨面不良。

硅片定位凸起104的高度過低，無法對硅片的位置進行有效限定，極易造成硅片發(fā)生異位現(xiàn)象，導致硅片邊緣絨面不良。

作為優(yōu)選，硅片定位凸起104的高度為0.5mm。這樣既能夠?qū)⒐杵薅ㄓ诠杵胖脜^(qū)102中，而且即使硅片落在硅片定位凸起104上，硅片也不會發(fā)生明顯的傾斜，不會產(chǎn)生硅片邊緣絨面不良的現(xiàn)象，提高了硅片制絨質(zhì)量。

在該可選方案中，參見圖3所示，板體的下板面設置有多個按行列排布的凹陷部106，多個凹陷部106與多個硅片放置區(qū)102的位置一一對應。

這樣的方式不僅能夠防止載板變形，而且能夠減輕載板自身的重量，便于搬運，降低載板在傳輸過程中發(fā)生慣性沖擊。

在該可選方案中，板體和硅片定位凸起104的材質(zhì)均為鋁合金。

作為優(yōu)選，板體和硅片定位凸起104的材質(zhì)均為6061鋁合金。6061鋁合金是經(jīng)熱處理預拉伸工藝生產(chǎn)的高品質(zhì)鋁合金產(chǎn)品，其鎂、硅合金特性多，具有加工性能極佳、優(yōu)良的焊接特點及電鍍性、良好的抗腐蝕性、韌性高及加工后不變形、材料致密無缺陷及易于拋光、氧化效果極佳等優(yōu)良特性。將板體和硅片定位凸起104的材質(zhì)均選為6061鋁合金，使得本實施例提供載板具有剛度強、耐離子轟擊、耐腐蝕的特點，從而提高了載板的使用壽命。

在該實施例的另一可選方案中，參見圖4和圖5所示，第一子槽103的長度方向與第二子槽107的長度方向相垂直。

第一子槽103的長度方向與第二子槽107的長度方向相垂直，作為優(yōu)選，第一子槽103的中點和第二子槽107的中點重合，即第一子槽103和第二子槽107的交點同時為第一子槽103和第二子槽107的中點。這樣的方式不僅便于生產(chǎn)加工，而且使得第一子槽103和第二子槽107以對稱的方式設置，從而使硅片與板體之間的氣壓分布均勻，當硅片吸取裝置吸取硅片時，能夠?qū)⒐杵瑥妮d板上平穩(wěn)地吸附起來，有效地避免了因硅片與板體之間的氣壓分布不均勻而導致的吸取過程中硅片發(fā)生傾斜或掉落的現(xiàn)象，有效地保護了絨面，使得制絨后的硅片完好無損，提高了成品的良品率。

在該另一可選方案中，第一子槽103的深度為0.5～1.5mm，第一子槽103的槽寬為0.5～1.5mm。

第一子槽103的深度過大，就需要增加板體的整體厚度，這樣就會導致材料浪費，同時也增加了制造載板的成本。

第一子槽103的深度過小，不能有效地消除硅片的下表面與板體的上板面之間的負壓，當硅片吸取裝置吸取硅片時，不能有效地避免損壞絨面和碰碎硅片的現(xiàn)象發(fā)生。

作為優(yōu)選，第一子槽103的深度為1mm。

第一子槽103的槽寬過寬，會導致硅片的下表面與板體的上表面之間的接觸面積過小，也就是說，板體不能對硅片起到良好的支撐作用，不僅不利于硅片的固定，而且當硅片進入工藝腔進行RIE刻蝕時，極易被損壞。

第一子槽103的槽寬過窄，不能有效地消除硅片的下表面與板體的上板面之間的負壓，當硅片吸取裝置吸取硅片時，不能有效地避免損壞絨面和碰碎硅片的現(xiàn)象發(fā)生。

作為優(yōu)選，第一子槽103的槽寬為1mm。

在該另一可選方案中，第二子槽107的深度為0.5～1.5mm，第二子槽107的槽寬為0.5～1.5mm。

在該另一可選方案中，硅片定位凸起104的高度為0.1～1mm。

硅片定位凸起104的高度過高，一旦硅片的一邊落在硅片定位凸起104上，就會導致硅片發(fā)生傾斜，造成硅片邊緣絨面不良。

硅片定位凸起104的高度過低，無法對硅片的位置進行有效限定，極易造成硅片發(fā)生異位現(xiàn)象，導致硅片邊緣絨面不良。

作為優(yōu)選，硅片定位凸起104的高度為0.5mm。這樣既能夠?qū)⒐杵薅ㄓ诠杵胖脜^(qū)102中，而且即使硅片落在硅片定位凸起104上，硅片也不會發(fā)生明顯的傾斜，不會產(chǎn)生硅片邊緣絨面不良的現(xiàn)象，提高了硅片制絨質(zhì)量。

在該另一可選方案中，板體的下板面設置有多個按行列排布的凹陷部106，多個凹陷部106與多個硅片放置區(qū)102的位置一一對應。

這樣的方式不僅能夠防止載板變形，而且能夠減輕載板自身的重量，便于搬運，降低載板在傳輸過程中發(fā)生慣性沖擊。

在該另一可選方案中，板體和硅片定位凸起104的材質(zhì)均為鋁合金。

作為優(yōu)選，板體和硅片定位凸起104的材質(zhì)均為6061鋁合金。6061鋁合金是經(jīng)熱處理預拉伸工藝生產(chǎn)的高品質(zhì)鋁合金產(chǎn)品，其鎂、硅合金特性多，具有加工性能極佳、優(yōu)良的焊接特點及電鍍性、良好的抗腐蝕性、韌性高及加工后不變形、材料致密無缺陷及易于拋光、氧化效果極佳等優(yōu)良特性。將板體和硅片定位凸起104的材質(zhì)均選為6061鋁合金，使得本實施例提供載板具有剛度強、耐離子轟擊、耐腐蝕的特點，從而提高了載板的使用壽命。

本實施例提供的陪片采用現(xiàn)有的陪片，陪片的寬度不小于10mm，陪片的厚度為1～2mm，可根據(jù)實際生產(chǎn)情況選取不同長度的陪片。陪片的長度邊和與其相鄰的硅片的邊緣之間的垂直距離為1～3mm，其中，陪片的長度邊與板體的短邊側(cè)相平行。

實施例二

本實施例提供的太陽能電池生產(chǎn)設備，包括載板傳輸裝置和本發(fā)明實施例一提供的載板，載板傳輸裝置用于傳輸實施例一提供的載板。

作為優(yōu)選，本實施例提供的載板傳輸裝置為現(xiàn)有的載板傳輸裝置。

作為優(yōu)選，本實施例提供的太陽能電池生產(chǎn)設備還包括控制器，控制器與載板傳輸裝置電連接，用于調(diào)節(jié)載板傳輸裝置的傳輸速度，以使相鄰兩個載板的邊緣向貼合，即使得相鄰兩個載板的與其傳輸方向相垂直的邊相貼合，以消除位于載板邊緣處的硅片容易出現(xiàn)的邊緣絨面不良的現(xiàn)象，提高了硅片制絨質(zhì)量。

最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。