技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種針對(duì)轟擊NMOS晶體管無(wú)面積開(kāi)銷(xiāo)的單粒子瞬態(tài)加固方法，目的是解決針對(duì)轟擊NMOS晶體管的單粒子瞬態(tài)加固技術(shù)面積開(kāi)銷(xiāo)較大的問(wèn)題。技術(shù)方案是斷開(kāi)襯底接觸、PMOS晶體管與NMOS晶體管之間的金屬連接；沿著柵極延伸方向移動(dòng)NMOS晶體管有源區(qū)，使得NMOS晶體管有源區(qū)和N阱的間距達(dá)到半導(dǎo)體代工廠提供的設(shè)計(jì)規(guī)則規(guī)定的最小間距，將NMOS有源區(qū)移動(dòng)的距離記為L(zhǎng)；將柵極長(zhǎng)度減小L，使得多晶硅超出NMOS有源區(qū)的長(zhǎng)度與常規(guī)版圖一致；恢復(fù)襯底接觸、PMOS晶體管與NMOS晶體管之間的金屬連接。采用本發(fā)明加固后的集成電路版圖在粒子轟擊NMOS晶體管時(shí)，可以加快NMOS晶體管中粒子沉積電荷的釋放，減小單粒子瞬態(tài)脈寬；且本發(fā)明僅涉及晶體管版圖位置的改變，沒(méi)有面積開(kāi)銷(xiāo)。

技術(shù)研發(fā)人員：陳書(shū)明;吳振宇;梁斌;胡春媚;池雅慶;陳建軍;黃鵬程;宋睿強(qiáng);張健;劉蓉容
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)人民解放軍國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710001483
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.03
技術(shù)公布日：2017.06.20