相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2015年2月13日提交的共同擁有的美國(guó)非臨時(shí)專利申請(qǐng)no.14/622,273的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容通過引用整體明確地并入本文。

本公開整體涉及電子裝置，并且更具體地涉及包括具有堆疊配置的器件的電子裝置。

背景技術(shù)：

電子裝置(例如，集成電路)的性能可能由于噪聲、雜散電場(chǎng)及其他影響而受到影響。電子裝置可以包括減輕噪聲和其他信號(hào)的影響的電路系統(tǒng)。例如，電子裝置可以包括去耦合電容器，去耦合電容器例如通過將某些高頻信號(hào)分流到接地節(jié)點(diǎn)而將不期望的高頻噪聲過濾。作為另一示例，電子裝置可以包括例如通過分流具有高幅度的電流來防止靜電放電(esd)的電路系統(tǒng)。

去耦合電容器、esd電路系統(tǒng)和減輕噪聲及其他信號(hào)影響的組件可能占據(jù)大的電路面積。為了說明，添加去耦合電容器減少了電子裝置的其他組件(例如，核心邏輯組件)可用的電路面積。如果去耦合電容器的尺寸被減小，以增加用于核心邏輯組件和其他組件的電路面積，則電子裝置可能更容易受到噪聲和其他影響，這可能會(huì)降低性能(例如，通過破壞數(shù)據(jù))或甚至導(dǎo)致對(duì)電子裝置的物理損壞。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

電子裝置可以包括二極管和器件(例如，電容器或另一二極管)。二極管和器件以堆疊配置被布置。因?yàn)槎O管和器件被布置成堆疊配置，所以在不減小其他組件可用的電路面積的情況下，(與二極管在襯底內(nèi)相鄰形成的“并排”布置相比)，二極管的尺寸可以增加(例如，加倍)。結(jié)果，占據(jù)相同電路面積的二極管可以具有較小的電阻(由于具有較大的尺寸)，這可以改善靜電放電(esd)保護(hù)。器件可以包括具有較大電容的去耦合電容器(由于具有大尺寸)，這在一些應(yīng)用中是有利的(例如，結(jié)合將高頻噪聲過濾的去耦合電容器)。

二極管和器件中的一個(gè)或兩個(gè)可以被包括在堆疊區(qū)域(例如，將第一裸片連接到第二裸片的中介板(interposer))中。例如，中介板、第一裸片和第二裸片可以被集成在系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)器件中。中介板可以對(duì)應(yīng)于包括一個(gè)或多個(gè)無源器件(例如，一個(gè)或多個(gè)二極管和/或一個(gè)或多個(gè)電容器)的“輕量級(jí)有源(activelite)”中介板。作為說明性示例，可以使用薄膜沉積工藝來形成一個(gè)或多個(gè)無源器件。通過將一個(gè)或多個(gè)器件(例如，esd二極管和/或去耦合電容器)從襯底區(qū)域“卸載”到中介板(例如，代替在第一裸片內(nèi)包括這樣的組件)，第一裸片的電路面積利用率與器件的“并排”配置相比，效率更高。

在一個(gè)特定示例中，裝置包括襯底以及與襯底相關(guān)聯(lián)的中介板。裝置還包括設(shè)置在襯底內(nèi)或中介板內(nèi)的第一器件，以及設(shè)置在中介板內(nèi)的第二器件。第一器件和第二器件以堆疊配置被布置。

在另一特定示例中，電子裝置的制造方法包括形成第一器件。第一器件被設(shè)置在電子裝置的襯底內(nèi)或電子裝置的中介板內(nèi)。方法還包括在中介板內(nèi)形成第二器件。第一器件和第二器件具有堆疊配置。

在另一特定示例中，裝置包括用于執(zhí)行電路操作的第一部件。用于執(zhí)行電路操作的第一部件被設(shè)置在襯底內(nèi)或中介板內(nèi)。裝置還包括用于執(zhí)行電路操作的第二部件。用于執(zhí)行電路操作的第二部件被設(shè)置在中介板內(nèi)，并且用于執(zhí)行電路操作的第一部件和用于執(zhí)行電路操作的第二部件具有堆疊配置。

在另一特定示例中，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)存儲(chǔ)可由制造設(shè)備使用以制造器件的數(shù)據(jù)。器件包括設(shè)置在器件的襯底內(nèi)或器件的中介板內(nèi)的第一器件。操作還包括在中介板內(nèi)形成第二器件。第一器件和第二器件具有堆疊配置。

由所公開的方面中的至少一個(gè)提供的一個(gè)具體優(yōu)點(diǎn)是：通過將一個(gè)或多個(gè)器件重新定位(或“卸載”)到堆疊區(qū)域(例如，中介板)來提高電路面積使用的效率。以這種方式堆疊器件可以增加襯底的可用電路面積(例如，使得可以使用襯底形成更多的電路系統(tǒng))，或者可以使得能夠減小集成電路的尺寸(例如，可以通過垂直堆疊器件來實(shí)現(xiàn)較小的襯底)。本公開的其他方面、優(yōu)點(diǎn)和特征將在閱讀整個(gè)申請(qǐng)之后變得明顯，本申請(qǐng)包括以下部分：附圖說明、具體實(shí)施方式和權(quán)利要求書。

附圖說明

圖1是包括堆疊器件的電子裝置的特定示例性方面的框圖。

圖2示出了圖1的電子裝置的特定示例性方面。

圖3示出了圖1的電子裝置的另一特定示例性方面。

圖4示出了圖1的電子裝置的另一特定示例性方面。

圖5示出了圖1的電子裝置的另一特定示例性方面。

圖6是制造包括堆疊器件的電子裝置的方法的特定示例性方面的流程圖。

圖7是包括堆疊器件的電子裝置的制造方法的另一特定示例性方面的流程圖。

圖8是包括堆疊器件的電子裝置的框圖。

圖9是使用數(shù)據(jù)來制造包括堆疊器件的器件的制造系統(tǒng)的示例性方面的框圖。

具體實(shí)施方式

圖1示出了電子裝置100。電子裝置100包括堆疊區(qū)域102和襯底104。襯底104可以對(duì)應(yīng)于硅襯底或玻璃襯底，并且可以被包括在裸片(例如，從半導(dǎo)體晶片切割的半導(dǎo)體裸片)中。作為說明性示例，堆疊區(qū)域102可以包括玻璃材料、隔離材料或介電材料，例如氧化物、氮化物和/或聚合物。襯底104可以包括核心電路系統(tǒng)106和過孔120。過孔120可以是設(shè)置在襯底104內(nèi)(例如，延伸穿過襯底104)的貫穿襯底的過孔(tsv)(或硅通孔)。堆疊區(qū)域102可以包括過孔124。過孔124可以延伸穿過堆疊區(qū)域102。

堆疊區(qū)域102和襯底104包括以堆疊配置布置的器件108、112和116。在圖1中，器件108形成在襯底104內(nèi)，器件112形成在(例如，“堆疊”在)器件108上，并且器件116形成在器件112上。應(yīng)當(dāng)理解，電子裝置100可以包括多于或少于三個(gè)的器件(例如，兩個(gè)器件、四個(gè)器件等)。

盡管圖1示出了器件112、116被堆疊在器件108上，但是應(yīng)當(dāng)理解，其他配置也在本公開的范圍內(nèi)。例如，在一些應(yīng)用中，器件112、116可以堆疊在核心電路系統(tǒng)106上。這樣的配置在應(yīng)用(其中器件112、116中的任一個(gè)包括保護(hù)核心電路系統(tǒng)106的靜電放電(esd)保護(hù)二極管)中可能是有利的。在這種情況下，可以通過將器件112、116堆疊在核心電路系統(tǒng)106上來減小核心電路系統(tǒng)106與器件112、116之間的距離(和互連的長(zhǎng)度)。在其他情況下，例如如果襯底104是玻璃襯底，則器件112、116可以形成在襯底104的不包括有源電路區(qū)域的“空”區(qū)域之上。在其他配置中，例如在圖1的示例中，器件108、112和116具有堆疊配置。在器件108、112和116中的一個(gè)或多個(gè)包括去耦合電容器的情況下，這種配置可能是有利的。例如，通過將器件108、112和116定位遠(yuǎn)離核心電路系統(tǒng)106，可以將噪聲信號(hào)與核心電路系統(tǒng)106隔離并減小噪聲信號(hào)(例如，使用一個(gè)或多個(gè)去耦合電容器將噪聲信號(hào)過濾至接地)。在這種情況下，可以通過將器件108、112和116定位成遠(yuǎn)離核心電路系統(tǒng)106來改善核心電路系統(tǒng)106的性能。因此，可以基于特定應(yīng)用來選擇特定堆疊配置。

堆疊區(qū)域102可以對(duì)應(yīng)于將電子裝置100連接到一個(gè)或多個(gè)其他器件的中介板。例如，第二電子裝置可以被耦合到堆疊區(qū)域102。例如通過在堆疊區(qū)域102和/或襯底104中使用金屬化和/或互連(未示出)，第二電子裝置可以通過過孔120、124而可操作地耦合到器件108、112和116中的任一個(gè)。備選地或附加地，電子裝置可以被耦合到襯底104，并且可以通過過孔120、124可操作地耦合到器件108、112和116中的任一個(gè)。如本文所使用的，“中介板”可以指被配置為操作性地耦合諸如集成電路裸片的其他器件的器件。中介板可以具有基于特定應(yīng)用(例如，作為說明性示例，基于包括在中介板中的多個(gè)器件、基于中介板將被集成在其中的封裝件的封裝尺寸、基于中介板要連接的集成電路裸片的尺寸、或其組合)所選擇的尺寸和形狀。

堆疊區(qū)域102與襯底104相關(guān)聯(lián)(例如，連接到襯底104)。例如，堆疊區(qū)域102可以直接或間接地附接(例如，鍵合)到襯底104(例如，通過附接到形成在襯底104上的一個(gè)或多個(gè)層，例如一個(gè)或多個(gè)層間電介質(zhì)、一個(gè)或多個(gè)金屬層、一個(gè)或多個(gè)互連層、或一個(gè)或多個(gè)其他層)。作為另一示例，堆疊區(qū)域102可以形成在襯底104上(例如，使用沉積工藝將堆疊區(qū)域102的材料沉積在襯底104上，或者沉積在形成在襯底104上的層上)。

器件108、112和116中的任一個(gè)可以包括二極管、電容器或另一個(gè)器件。例如，襯底104可以包括硅材料，并且器件108可以包括通過摻雜硅材料而形成的二極管或電容器(例如，以形成p-n結(jié)或形成電容器的“極板”)?？梢允褂帽∧こ练e工藝來形成器件112、116，例如通過在襯底104上濺射低溫多晶硅(ltps)材料。在該示例中，器件112、116中的一個(gè)或多個(gè)可以包括薄膜二極管，例如薄膜esd保護(hù)二極管。備選地或附加地，器件112、116中的一個(gè)或多個(gè)可以包括薄膜電容器，例如薄膜去耦合電容器。例如，器件112可以包括薄膜電容器，并且器件116可以包括堆疊在薄膜電容器上的薄膜二極管。作為另一示例，器件112可以包括薄膜二極管，并且器件116可以包括堆疊在薄膜二極管上的薄膜電容器。在其他示例中，器件108、112和116中的任一個(gè)可以包括一個(gè)或多個(gè)其他結(jié)構(gòu)。例如，作為說明性示例，器件108可以包括諸如n型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(nmosfet)或p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(pmosfet)的晶體管。

為了進(jìn)一步說明，表1提供了電子裝置100的五個(gè)非限制性示例配置。應(yīng)當(dāng)理解，表1是示例性的，并且對(duì)表1的示例的修改以及表1中未示出的其他配置在本公開的范圍。

表1

在示例1中，器件108是二極管，例如n-p結(jié)二極管(“np型二極管”)。在該示例中，襯底104可以是硅襯底，并且器件108可以形成在襯底104內(nèi)(例如，通過在襯底104中創(chuàng)建n型高摻雜區(qū)域，并且在襯底104中創(chuàng)建p型高摻雜區(qū)域)。示例1還指示器件116可以包括二極管(例如，使用薄膜沉積工藝形成的二極管和/或np型二極管)。器件112可以包括連接器件108、116的一個(gè)或多個(gè)接觸。例如，器件112可以包括并聯(lián)連接器件108、116的接觸，使得第一節(jié)點(diǎn)或?qū)Ь€連接到器件108、116，并且還使得第二節(jié)點(diǎn)或?qū)Ь€也連接到器件108、116。因此，器件108、116可以以堆疊配置被布置。對(duì)于特定電路區(qū)域，與其他器件布置(例如，每個(gè)二極管在襯底內(nèi)并排形成的配置)相比，器件108、116可以具有減小的二極管串聯(lián)電阻(即，與這樣的并排布置相比，器件108、116可以具有更大的溝道面積，從而降低二極管串聯(lián)電阻)。因此，與具有“并排”二極管的器件相比，根據(jù)示例1的器件(由于較低的電阻)可以改善esd保護(hù)。

示例2指示器件108可以包括p型二極管，例如，p型肖特基二極管。在該示例中，襯底104可以是硅襯底，并且器件108可以形成在襯底104內(nèi)(例如，通過在襯底104中創(chuàng)建p型高摻雜區(qū)域)。示例2還指示器件116可以包括二極管(例如，使用薄膜沉積工藝形成的二極管)。器件112可以包括連接器件108、116的一個(gè)或多個(gè)接觸。例如，器件112可以包括(例如，使用一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)線或互連)將器件108、116連接到電子裝置100的焊盤區(qū)域的接觸。例如，電子裝置100可以包括具有焊盤區(qū)域的集成電路，并且器件108、116可以包括肖特基二極管，肖特基二極管被配置為向焊盤區(qū)域或襯底104提供esd保護(hù)(例如，通過響應(yīng)于esd事件，將電流從焊盤區(qū)域?qū)㈦娏鞣至魍ㄟ^襯底，反之亦然)。在這種情況下，與諸如“并排”二極管配置的其他器件布置相比，器件108、116可以具有減小的二極管串聯(lián)電阻。因此，與具有這樣的“并排”器件的器件相比，根據(jù)示例2的器件(由于較低的電阻)可以改善esd保護(hù)。

示例3指示器件108可以包括一個(gè)或多個(gè)電容器，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)器件的溝槽電容器。為了說明，器件108可以包括第一溝槽層(例如，形成溝槽電容器的第一“極板”的高摻雜區(qū)域)。第一溝槽層可以與襯底104相鄰，并且襯底104可以是硅襯底。器件108還可以包括沉積在第一溝槽層和第二溝槽層(例如，導(dǎo)電區(qū)域，諸如形成溝槽電容器的第二“極板”的金屬接觸)上的介電材料。示例3還指示器件116可以包括二極管(例如，任一極性的肖特基二極管或結(jié)二極管)。器件112可以包括一個(gè)或多個(gè)接觸，例如，將器件108連接到另一器件(例如，器件116、或圖1中未示出的另一器件)的接觸。示例3因此示出了器件108、116可以包括電容器和二極管。與在襯底中形成電容器和二極管的“并排”配置相比，電容器和二極管可以具有減小電路面積的堆疊配置。

在某些實(shí)現(xiàn)中，可以從電子裝置100中省略器件108。作為說明性示例，可以結(jié)合襯底104的玻璃襯底實(shí)現(xiàn)從電子裝置100中省略器件108。在示例4和示例5中，襯底104不包括器件108。

示例4指示器件112、116可以均包括薄膜二極管。例如，襯底104可以是玻璃襯底，并且器件112、116可以包括使用薄膜沉積工藝在玻璃襯底上形成的薄膜二極管。然后，可以在器件112、116的制造之后，(例如，通過形成諸如作為說明性示例的氧化物、氮化物和/或聚合物的隔離或介電材料)在襯底104上形成堆疊區(qū)域102。備選地，薄膜二極管可以形成(例如，使用薄膜沉積工藝)在堆疊區(qū)域102內(nèi)，并且堆疊區(qū)域102可以在形成薄膜二極管之后附接到襯底104(例如，使用鍵合工藝、粘合劑和/或另一技術(shù))。在具體實(shí)現(xiàn)中，使用形成在堆疊區(qū)域102內(nèi)的接觸(圖1中未示出)，并聯(lián)連接器件112、116。例如，第一節(jié)點(diǎn)或?qū)Ь€可以連接到器件108、116，并且第二節(jié)點(diǎn)或?qū)Ь€也可以連接到器件108、116，使得器件108、116并聯(lián)連接。由于器件112、116具有堆疊配置，所以與占據(jù)類似電路面積的“并排”器件相比，(對(duì)于特定電路面積)器件112、116具有減小的二極管串聯(lián)電阻。

示例5示出了器件112、116可以包括具有不同極性的薄膜二極管。例如，器件112可以包括具有第一極性的薄膜二極管，并且器件116可以包括具有與第一極性相反的第二極性的另一薄膜二極管。襯底104可以是玻璃襯底，并且可以使用薄膜沉積工藝在玻璃襯底上形成器件112、116。然后，可以在器件112、116的制造之后，(例如，通過形成作為說明性示例的諸如氧化物、氮化物和/或聚合物的隔離或介電材料)在襯底104上形成堆疊區(qū)域102。備選地，器件112、116可以(例如，使用薄膜沉積工藝)形成在堆疊區(qū)域102內(nèi)，并且堆疊區(qū)域102可以在形成器件112、116之后附接到襯底104(例如，使用鍵合工藝、粘合劑和/或另一技術(shù))。在特定實(shí)現(xiàn)中，堆疊區(qū)域102包括將器件112、116連接到電子裝置100的焊盤區(qū)域的接觸。例如，電子裝置100可以包括具有焊盤區(qū)域的集成電路，并且器件112、116可以包括被配置為(例如，通過響應(yīng)于esd事件，而將來自焊盤區(qū)域的電流分流通過襯底，或反之亦然)向焊盤區(qū)域或襯底104提供esd保護(hù)的薄膜二極管。在特定方面，薄膜器件的不同極性為襯底104和焊盤區(qū)域兩者提供esd保護(hù)。例如，第一極性可以使得電流能夠從焊盤區(qū)域向襯底104放電，并且第二極性可以使得電流能夠從襯底向焊盤區(qū)域的放電(反之亦然)。與諸如“并排”二極管配置的其他器件布置相比，(對(duì)于類似的電路面積)器件112、116可以具有減小的二極管串聯(lián)電阻。因此，與具有這種“并排”器件的器件相比，(由于針對(duì)類似電路面積的較低電阻)根據(jù)示例5的器件可以改善esd保護(hù)。

圖1示出了可以將器件112、116從襯底104“卸載”到堆疊區(qū)域102。過孔120、124實(shí)現(xiàn)器件108、112和116之間的通信。因此，通過將器件“卸載”到堆疊區(qū)域102，襯底104的電路面積被節(jié)約(例如，以增加對(duì)核心電路系統(tǒng)106可用的區(qū)域)。

此外，可以使用薄膜沉積工藝形成esd保護(hù)二極管和去耦合電容器。某些玻璃襯底器件可以使用薄膜沉積工藝來形成組件。然而，玻璃襯底器件通常不采用esd保護(hù)和去耦合電容器。通過使用薄膜工藝在堆疊配置中形成esd保護(hù)二極管和/或去耦合電容器，可以在不增加片上電路面積的情況下，(例如，通過降低二極管電阻和/或通過增加襯底104的類似片上電路面積的電容)增加esd保護(hù)二極管的面積和/或去耦合電容器的面積，從而改善器件操作。

如參考圖2-圖5進(jìn)一步描述的，堆疊區(qū)域102可以包括一個(gè)或多個(gè)金屬層，以及連接一個(gè)或多個(gè)金屬層的一個(gè)或多個(gè)過孔。例如，器件112可以形成在第一金屬層中或第一金屬層下方，并且器件116可以形成在第二金屬層中或第二金屬層下方。根據(jù)具體應(yīng)用，器件112可以通過堆疊區(qū)域102的一個(gè)或多個(gè)過孔耦合到器件116。盡管為了方便起見，從圖1-圖5省略了某些結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)線和/或互連)，但是應(yīng)當(dāng)理解，圖1-圖5是示例性的，并且可以包括未示出的一個(gè)或多個(gè)組件。此外，可以在不脫離本公開的范圍的情況下修改圖1-圖5中所示的連接和結(jié)構(gòu)。

圖2示出了電子裝置200的特定示例性方面。電子裝置200可對(duì)應(yīng)于圖1的電子裝置100。例如，電子裝置200可以包括圖1的堆疊區(qū)域102和襯底104。襯底104可以包括器件108和過孔120。堆疊區(qū)域102可以包括器件112、116。

在圖2的示例中，器件108是包括區(qū)域202和區(qū)域204的結(jié)二極管。在特定方面，器件108是半導(dǎo)體-半導(dǎo)體結(jié)二極管(例如，n-p結(jié)二極管或p-n結(jié)二極管)。在該示例中，區(qū)域202可以對(duì)應(yīng)于n型高摻雜區(qū)域，并且區(qū)域204可以對(duì)應(yīng)于p型摻雜區(qū)域(反之亦然)。在另一實(shí)現(xiàn)中，器件108是金屬-半導(dǎo)體結(jié)二極管(例如，肖特基二極管)。在這種情況下，區(qū)域202可以對(duì)應(yīng)于高摻雜區(qū)域(例如，n型高摻雜區(qū)域或p型高摻雜區(qū)域)，并且區(qū)域204可對(duì)應(yīng)于金屬區(qū)域(反之亦然)。應(yīng)當(dāng)理解，在金屬-半導(dǎo)體結(jié)二極管的情況下，可以在襯底104上沉積金屬區(qū)域(例如，區(qū)域204可以由沉積在襯底104的表面上或沉積在襯底104的溝槽內(nèi)的金屬形成)。在另一示例中，區(qū)域202、204具有相同的極性(例如，n型或p型)并且形成金屬-半導(dǎo)體結(jié)二極管的半導(dǎo)體部分，并且接觸206、208中的一個(gè)形成金屬-半導(dǎo)體結(jié)二極管的金屬部分。

圖2的示例還示出了器件112可以包括接觸206、208。接觸206、208被定位在器件112和第一圖案化金屬層(m1)210之間。電子裝置100還包括過孔220、222、224和226，以及第二圖案化金屬層(m2)228。

器件116可以包括區(qū)域214和區(qū)域216。區(qū)域214、216可以包括使用薄膜沉積工藝沉積的薄膜材料。盡管圖2中未示出，但是應(yīng)當(dāng)理解，堆疊區(qū)域102可以包括一個(gè)或多個(gè)介電材料或隔離材料。例如，區(qū)域214、216可以形成在介電材料(例如，第一圖案化金屬層210和第二圖案化金屬層228之間的層間電介質(zhì))上。器件116可以通過導(dǎo)電區(qū)域212、218(例如，鋁和/或銅材料)被連接到過孔222、224。此外，可以在第二圖案化金屬層228上方堆疊一個(gè)或多個(gè)附加器件(圖2中未示出)。

圖2的示例示出了堆疊區(qū)域102可以用于在堆疊配置中堆疊多個(gè)二極管。例如，通過使用多個(gè)二極管，與“并排”襯底二極管配置相比，在不增加襯底104的面積的情況下，可以增強(qiáng)(例如，加倍)esd保護(hù)。

圖3示出了電子裝置300的特定示例性方面。電子裝置300可對(duì)應(yīng)于圖1的電子裝置100。例如，電子裝置300可以包括圖1的堆疊區(qū)域102和襯底104。襯底104可以包括過孔120。堆疊區(qū)域102可以包括器件112、116。

在圖3的示例中，器件112可以對(duì)應(yīng)于包括區(qū)域306和區(qū)域307的薄膜二極管。區(qū)域306、307可以包括使用薄膜沉積工藝沉積的薄膜材料。盡管圖2中未示出，但是應(yīng)當(dāng)理解，堆疊區(qū)域102可以包括一個(gè)或多個(gè)介電材料或隔離材料。例如，區(qū)域306、306可以形成在介電材料上。在其他實(shí)現(xiàn)中，區(qū)域306、307可以直接形成在襯底104上。

電子裝置300還可以包括第一圖案化金屬層(m1)310、導(dǎo)電區(qū)域305、308(例如，鋁和/或銅材料)以及過孔320、322、324和326。在圖3的示例中，器件116可以對(duì)應(yīng)于包括區(qū)域314和區(qū)域316的薄膜二極管。區(qū)域314、316可以包括使用薄膜沉積工藝沉積的薄膜材料。區(qū)域314、316可以通過導(dǎo)電區(qū)域312、318(例如，鋁和/或銅材料)被連接到過孔322、324。過孔322、324可以連接到第二圖案化金屬層(m2)328。此外，一個(gè)或多個(gè)附加器件(圖3中未示出)可以堆疊在第二圖案化金屬層328上方。

器件112、116可以包括具有被選擇用于實(shí)現(xiàn)特定esd保護(hù)特性(例如，電阻)的寬度的薄膜二極管。例如，通過增加薄膜二極管的寬度，薄膜二極管的電阻被減小(由于較大的溝道面積)。此外，在堆疊裸片三維(3d)實(shí)現(xiàn)中，可以限制電路面積開銷，并且因此加寬薄膜二極管以實(shí)現(xiàn)特定的esd保護(hù)特性(而不是擴(kuò)展二極管高度)可能是有利的。盡管圖3的示例示出了兩個(gè)薄膜二極管，但是應(yīng)當(dāng)理解，電子裝置300可以包括任何數(shù)目的薄膜二極管(例如，一個(gè)薄膜二極管、三個(gè)薄膜二極管或另一數(shù)目的薄膜二極管)?？梢赃x擇薄膜二極管的數(shù)目以獲得特定的二極管電阻。

圖3示出了器件112、116可以包括使用薄膜沉積工藝在堆疊區(qū)域102內(nèi)形成的薄膜二極管。通過在堆疊區(qū)域102中堆疊薄膜二極管，與在襯底內(nèi)相鄰形成二極管的“并排”二極管配置相比，可以加寬薄膜二極管。由于與硅基二極管相比，薄膜材料可能與較差的esd特性相關(guān)聯(lián)，所以在薄膜二極管中的一個(gè)或兩個(gè)用作esd保護(hù)二極管的應(yīng)用中，加寬薄膜二極管可以改善性能。

圖4示出了電子裝置400的特定示例性方面。電子裝置400可對(duì)應(yīng)于圖1的電子裝置100。例如，電子裝置400可以包括圖1的堆疊區(qū)域102和襯底104。襯底104可以包括過孔120。堆疊區(qū)域102可以包括器件112、116和過孔124。

在圖4的示例中，器件112可以對(duì)應(yīng)于平面電容器，例如，去耦合電容器(decap)。在該示例中，器件112可以包括極板402、極板406、以及極板402、406之間的介電層404(例如，氮化物、氧化物和/或另一種材料)。

器件112可以通過一個(gè)或多個(gè)過孔被耦合到電子裝置400的一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)。例如，圖4示出了器件112可以被連接到過孔407、408和409，過孔407、408和409可以被連接到第一圖案化金屬層(m1)410。第一圖案化金屬層410可以經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)其他連接(圖4中未示出)而連接到一個(gè)或多個(gè)其他組件。應(yīng)當(dāng)理解，圖4所示的配置是示例性的，并且其他結(jié)構(gòu)在本公開的范圍內(nèi)。例如，在特定方面，過孔407被連接到極板402。在該示例中，例如通過使用過孔407向極板402施加電源電壓，以及通過使用過孔408向極板406施加接地電位，可以使用不同的電位對(duì)板402、406進(jìn)行偏置。備選地，電子裝置400可以具有另一配置。

在圖4的示例中，器件116可以對(duì)應(yīng)于包括區(qū)域414和區(qū)域416的薄膜二極管。區(qū)域414、416可以包括使用薄膜沉積工藝沉積的薄膜材料。區(qū)域414、416可以通過導(dǎo)電區(qū)域412、418(例如，鋁和/或銅材料)被連接到過孔420、422。過孔420、422可以被連接到第二圖案化金屬層(m2)428。第二圖案化金屬層428可以被連接到一個(gè)或多個(gè)其他結(jié)構(gòu)。一個(gè)或多個(gè)附加器件(圖4中未示出)可以堆疊在第二圖案化金屬層428上方。

圖4示出了堆疊區(qū)域102可以實(shí)現(xiàn)二極管和電容器兩者的功能。例如，器件112可以用作被配置為將“噪聲”(例如，高頻信號(hào))過濾的平面decap，并且器件116可以用作諸如esd保護(hù)二極管的二極管。

圖5示出了電子裝置500的特定示例性方面。電子裝置500可對(duì)應(yīng)于圖1的電子裝置100。例如，電子裝置500可以包括圖1的堆疊區(qū)域102和襯底104。襯底104可以包括器件108和過孔120。堆疊區(qū)域102可以包括器件112、116和過孔124。

在圖5的示例中，器件108包括一個(gè)或多個(gè)電容器，例如，形成在襯底104中的一個(gè)或多個(gè)溝槽電容器。作為說明性示例，一個(gè)或多個(gè)溝槽電容器可以被包括在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)器件中。在該示例中，一個(gè)或多個(gè)溝槽電容器可以被包括在dram器件的一個(gè)或多個(gè)相應(yīng)dram存儲(chǔ)元件中。備選地或附加地，一個(gè)或多個(gè)溝槽電容器可以結(jié)合一個(gè)或多個(gè)其他應(yīng)用來操作，例如，結(jié)合去耦合電容器(decap)應(yīng)用。在該示例中，一個(gè)或多個(gè)溝槽電容器可以包括decap。將進(jìn)一步理解，可以例如結(jié)合電阻-電容(rc)定時(shí)器電路(作為說明性示例)而在其他應(yīng)用中使用電容器。

為了示例，圖5描繪了形成在襯底104的溝槽中的代表性溝槽電容器502。在(例如，使用蝕刻工藝)形成溝槽之后，第一溝槽層504可以沉積在溝槽中。第一溝槽層可以對(duì)應(yīng)于形成溝槽電容器502的第一“極板”的高摻雜區(qū)域。器件108還可以包括沉積在第一溝槽層504上的介電材料506。器件108還可以包括第二溝槽層508(例如，導(dǎo)電區(qū)域，諸如形成溝槽電容器502的第二“極板”的金屬接觸)。第二溝槽層508可以沉積在介電材料506上。器件108的一個(gè)或多個(gè)溝槽電容器可以被連接到第一圖案化金屬層(m1)510。在圖5的示例中，器件108包括對(duì)應(yīng)于溝槽電容器502的四個(gè)溝槽電容器。在其他示例中，器件108可以包括不同數(shù)目的溝槽電容器和/或不同配置的溝槽電容器。

在圖5的示例中，器件112包括耦合到第一圖案化金屬層510和襯底104的接觸。在該示例中，器件112可以被配置為例如通過對(duì)溝槽電容器的第一溝槽層施加接地電位，經(jīng)由襯底104偏置溝槽電容器的第一溝槽層(例如，溝槽電容器502的第一溝槽層504)。例如通過將電源電壓施加到第一圖案化金屬層510連接到第二溝槽層的一部分，溝槽電容器的第二溝槽層(例如，溝槽電容器502的第二溝槽層508)可以通過第一圖案化金屬層510被偏置。

在圖5中，器件116可以對(duì)應(yīng)于包括區(qū)域514和區(qū)域516的薄膜二極管。區(qū)域514、516可以包括使用薄膜沉積工藝沉積的薄膜材料。區(qū)域514、516可以通過導(dǎo)電區(qū)域512、518(例如，鋁和/或銅材料)被連接到過孔520、522。過孔520、522可以被連接到第二圖案化金屬層(m2)528。第二圖案化金屬層528可以被連接到一個(gè)或多個(gè)其他結(jié)構(gòu)。一個(gè)或多個(gè)附加器件(圖5中未示出)可以被堆疊在第二圖案化金屬層528上方。

圖5的示例示出了器件108包括電路系統(tǒng)(例如，一個(gè)或多個(gè)電容器)，并且器件116包括相對(duì)于器件108具有堆疊配置的二極管的一個(gè)示例實(shí)現(xiàn)。盡管圖5示出了器件108可以包括電容器，但是注意，根據(jù)特定應(yīng)用，器件108可以包括其他電路系統(tǒng)(例如，晶體管或其他器件)。

圖1-圖5描述了堆疊器件的示例性實(shí)現(xiàn)。盡管為了便于描述，單獨(dú)描述了圖1-圖5的示例，但是應(yīng)當(dāng)理解，電子裝置可以包括圖1-圖5的示例結(jié)構(gòu)的任何組合(或修改)。作為示例性示例，電子裝置可以包括電子裝置100、200、300、400和500中每一個(gè)的結(jié)構(gòu)。

參考圖6，描繪了制造電子裝置的方法的特定示例性方面，該方面被整體標(biāo)示為600。例如，可以執(zhí)行方法600，以制造電子裝置100、200、300、400和500中的任一個(gè)或其組合。

方法600可以包括在602處，在襯底內(nèi)形成一個(gè)或多個(gè)過孔。例如，一個(gè)或多個(gè)過孔可以包括貫穿襯底的過孔(或硅通孔)(tsv)，其可以例如通過在襯底內(nèi)蝕刻溝槽并利用導(dǎo)電材料(例如，諸如銅的金屬)填充溝槽而形成在硅襯底內(nèi)。tsv可以對(duì)應(yīng)于過孔120，并且襯底可以對(duì)應(yīng)于襯底104。

可選地，方法600可以包括在604處，在襯底內(nèi)形成器件(例如，器件108)。為了進(jìn)一步說明，再次參考圖2，器件可以包括由區(qū)域202、204形成的諸如半導(dǎo)體-半導(dǎo)體結(jié)二極管的二極管。在該示例中，形成器件可以包括例如通過在襯底104中摻雜、注入、生長(zhǎng)、擴(kuò)散和/或外延地創(chuàng)建一個(gè)或多個(gè)材料，在襯底104內(nèi)形成區(qū)域202、204。在其他實(shí)現(xiàn)中，器件可以是金屬-半導(dǎo)體結(jié)二極管(例如，肖特基勢(shì)壘二極管)。在這種情況下，區(qū)域202、204中的一個(gè)可以包括形成在襯底104上或襯底104的溝槽內(nèi)的金屬材料。在另一示例中，器件包括溝槽電容器，例如，圖5的溝槽電容器502。在其他情況下，可以在方法600的操作中省略在襯底內(nèi)形成器件。例如，圖3和圖4示出了在襯底104內(nèi)未形成器件的示例。

方法600還可以包括在606處，在中介板(例如，堆疊區(qū)域102)內(nèi)形成器件(例如，器件112)。例如，中介板可以包括接觸206、208中的任一個(gè)。該示例中，接觸206、208可以通過在襯底104上沉積金屬(例如，銅)而形成。在另一示例中，器件可以包括薄膜二極管，例如，包括圖3的區(qū)域306、307的薄膜二極管。作為另一示例，器件可以包括薄膜電容器，例如，參考圖4描述的薄膜電容器。在另一實(shí)現(xiàn)中，器件可以包括諸如參照?qǐng)D5所描述的接觸。

根據(jù)特定應(yīng)用，中介板可以與襯底分開形成(并且隨后附接到襯底)，或者中介板可以(例如，單片地)形成在襯底上。為了說明，在特定實(shí)現(xiàn)中，堆疊區(qū)域102可以與襯底104分開形成，并且堆疊區(qū)域102可以在形成堆疊區(qū)域102之后附接到(例如，鍵合到)襯底104。備選地，堆疊區(qū)域102可以結(jié)合與襯底104相關(guān)聯(lián)的工藝形成(例如，堆疊區(qū)域102和襯底104可以具有整體或單片布置)。在一些實(shí)現(xiàn)中，使用可以并行執(zhí)行的某些操作來形成襯底和中介板的器件。例如，與606處的在中介板內(nèi)形成器件并行，在604處，可以在襯底內(nèi)形成器件。在其他實(shí)現(xiàn)中，在604處，可以在襯底內(nèi)形成器件，接著在606處，在中介板內(nèi)形成器件(例如，在606處在中介板內(nèi)形成器件之前，在604處，在襯底內(nèi)形成器件)。

方法600還可以包括在608處，圖案化中介板的第一金屬層。為了示例，第一金屬層可以沉積在堆疊區(qū)域102內(nèi)，并且第一金屬層可以被圖案化(例如，鉆孔、蝕刻或激光劃刻)，以定義第一圖案化金屬層210、310、410和510中的任一個(gè)。方法600還可以包括圖案化過孔的第一集合。例如，過孔的第一集合可以包括過孔220、226、320、326、407、408、409、520和522中的任一個(gè)。為了圖案化過孔的第一集合，堆疊區(qū)域102的介電材料或隔離材料可以被蝕刻、鉆孔或激光劃刻，以定義腔的第一集合，并且腔的第一集合可以利用金屬(例如，銅)來填充，以形成過孔的第一集合。

方法600可以進(jìn)一步包括在610處將一個(gè)或多個(gè)薄膜材料沉積在中介板內(nèi)(例如，以形成薄膜堆疊)。為了示例，例如通過使用薄膜沉積工藝將一個(gè)或多個(gè)薄膜材料沉積在堆疊區(qū)域102的介電材料上，可以在堆疊區(qū)域102內(nèi)形成區(qū)域214、216、314、316、414、416、514和516中的任一個(gè)。

方法600可以進(jìn)一步包括在612處，圖案化一個(gè)或多個(gè)薄膜材料，以在中介板內(nèi)形成另一器件(例如，器件116)。例如，區(qū)域214、216、316、316、414、416、514和516中的任一個(gè)可以被蝕刻或以其他方式被定義，以形成器件116。例如，器件可以包括薄膜二極管，例如，圖2-圖5的示例中所示的二極管。在其他應(yīng)用中，作為說明性示例，器件可以包括一個(gè)或多個(gè)其他組件，例如，薄膜電容器。

方法600可以進(jìn)一步包括在614處，圖案化中介板的第二金屬層。為了示例，第二金屬層可以沉積在堆疊區(qū)域102內(nèi)，并且第二金屬層可以被圖案化(例如，鉆孔、蝕刻或激光劃刻)，以定義第二圖案化金屬層228、328、428和528中的任一個(gè)。方法600還可以包括圖案化過孔的第二集合。例如，過孔的第二集合可以包括過孔124、222、224、322、324、420、422、520和522中的任一個(gè)。為了圖案化過孔的第二集合，堆疊區(qū)域102的介電材料或隔離材料可以被蝕刻、鉆孔或激光劃刻，以定義腔的第二集合，并且腔的第二集合可以利用金屬(例如，銅)來填充，以形成過孔222、224中一個(gè)或多個(gè)。

在完成堆疊區(qū)域102的每個(gè)器件的形成之后，介電材料和/或隔離材料可以“被填充”在堆疊區(qū)域102中(例如，使用生長(zhǎng)工藝或沉積工藝)?？蛇x地，方法600可以包括堆疊多個(gè)電子裝置，以創(chuàng)建堆疊的電子裝置(例如，堆疊的裸片三維器件)。例如，電子裝置100、200、300、400和500中的兩個(gè)或更多個(gè)可以被堆疊，以創(chuàng)建堆疊的電子裝置。堆疊的電子裝置可以可選地集成在封裝件內(nèi)，以形成系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)器件。例如，第一半導(dǎo)體裸片可以被附接到(例如，鍵合到)中介板(例如，堆疊區(qū)域102)的第一側(cè)，并且第二半導(dǎo)體裸片可以被附接到(例如，鍵合到)中介板的第二側(cè)。第一裸片、第二裸片和中介板可以被集成在封裝件內(nèi)，以形成sip器件。

方法600示出了包括具有堆疊配置的多個(gè)器件的電子裝置的制造。例如，圖1的堆疊區(qū)域102可以包括器件112、116，并且襯底104可以包括器件108。器件108、112和116可以具有堆疊配置。在該示例中，三個(gè)器件(器件108、112和116)具有堆疊配置。在其他實(shí)現(xiàn)中，電子裝置可以具有不同數(shù)目的堆疊器件(例如，兩個(gè)堆疊器件、或四個(gè)或更多個(gè)堆疊器件)。以這種方式堆疊器件可以增加襯底的可用電路面積(例如，使得可以使用襯底形成更多的電路系統(tǒng))，或者可以使得集成電路的尺寸能夠減小(例如，可以通過垂直堆疊器件來實(shí)現(xiàn)較小的襯底)。

參考圖7，電子裝置的制造方法的另一特定示例性方面被描繪，并總體上由700表示。電子裝置可以對(duì)應(yīng)于電子裝置100、200、300、400和500中的任一個(gè)。

方法700可以包括在702處，形成第一器件。第一器件被設(shè)置在電子裝置的襯底(例如，襯底104)內(nèi)，或者被設(shè)置在電子裝置的中介板(例如，堆疊區(qū)域102)內(nèi)。例如，器件108被包括在襯底104中。在該示例中，第一器件可以包括形成在襯底104內(nèi)的器件，例如作為說明性示例的二極管(例如，如參考圖2所述)或溝槽電容器(例如，如參考圖5所述)。作為另一示例，器件112被包括在中介板中。在該示例中，作為說明性示例，第一器件可以包括形成在中介板內(nèi)的薄膜二極管(例如，如參考圖3所述)或形成在中介板內(nèi)的薄膜電容器(例如，如參考圖4所述)。

方法700還可以包括在704處，在中介板內(nèi)形成第二器件。例如，作為說明性示例，第一器件可以對(duì)應(yīng)于器件112，并且第二器件可以對(duì)應(yīng)于器件116。作為另一示例，第一器件可以對(duì)應(yīng)于器件108，并且第二器件可以對(duì)應(yīng)于器件112。第一器件和第二器件具有堆疊配置。作為說明性示例，第二器件可以包括薄膜二極管或薄膜電容器，例如，平面去耦合電容器(decap)。在示例性實(shí)現(xiàn)中，第一器件包括使用摻雜工藝形成的半導(dǎo)體器件(例如，二極管)，并且第二器件包括使用薄膜沉積工藝形成的薄膜器件。在另一實(shí)現(xiàn)中，第一器件和第二器件均包括使用薄膜沉積工藝在中介板(例如，堆疊區(qū)域102)內(nèi)形成的薄膜器件。

方法700示出了電子裝置可以包括形成在堆疊區(qū)域(例如，中介板)中的一個(gè)或多個(gè)器件。通過將一個(gè)或多個(gè)器件從襯底(例如，襯底104)“卸載”到堆疊區(qū)域，襯底的電路面積被節(jié)約，這可以減小集成電路的尺寸和成本。

參考圖8，描繪了電子裝置的特定示例性方面的框圖，并且該框圖總體上被標(biāo)示為800。作為說明性示例，電子裝置800可以對(duì)應(yīng)于移動(dòng)設(shè)備(例如，蜂窩電話)、計(jì)算機(jī)(例如，膝上型計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)或桌面計(jì)算機(jī))、機(jī)頂盒、娛樂單元、導(dǎo)航器件、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、監(jiān)視器、電視機(jī)、調(diào)諧器、無線電臺(tái)、音樂播放器、視頻播放器或其組合。

電子裝置800可以包括第一裸片822。第一裸片822可以包括圖1的襯底104。第一裸片822可以被耦合到堆疊區(qū)域102，并且堆疊區(qū)域102可以被耦合到第二裸片823。第一裸片822、堆疊區(qū)域102和第二裸片823可以被集成在電子裝置內(nèi)(例如，被集成在系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)器件890內(nèi))。sip器件890可以包括堆疊器件。例如，第一裸片822可以包括器件108，并且器件108可與堆疊區(qū)域102的器件112、116堆疊(在圖8中未示出，因?yàn)樵趫D8所示的視角中，第一裸片822被定位在堆疊區(qū)域102的前面)。盡管圖8的示例示出了電子裝置800包括一個(gè)堆疊區(qū)域(堆疊區(qū)域102)和兩個(gè)裸片(第一裸片822和第二裸片823)，但是注意，電子裝置800可以包括不同數(shù)目的堆疊區(qū)域和裸片(例如，作為說明性示例，兩個(gè)堆疊區(qū)域和三個(gè)裸片)。

作為說明性示例，電子裝置800包括諸如數(shù)字信號(hào)處理器(dsp)、中央處理單元(cpu)和/或圖形處理單元(gpu)的處理器810。電子裝置800還可以包括存儲(chǔ)器832。存儲(chǔ)器832被耦合到處理器810。存儲(chǔ)器832包括可由處理器810訪問的指令868。指令868可以包括可由處理器810執(zhí)行的一個(gè)或多個(gè)指令。

圖8還示出了耦合到處理器810和顯示器828的顯示控制器826。編碼器/解碼器(codec)834也可以被耦合到處理器810。揚(yáng)聲器836和麥克風(fēng)838可以被耦合到codec834。圖8還指示諸如無線控制器和/或收發(fā)器的無線接口840可以被耦合到處理器810和天線842。

第一裸片822和第二裸片823中的一個(gè)或兩個(gè)可以對(duì)應(yīng)于片上系統(tǒng)(soc)器件。例如，在特定方面，器件108、處理器810、顯示控制器826、存儲(chǔ)器832、codec834和無線接口840被包括在soc器件中。此外，輸入設(shè)備830和電源844可以被耦合到soc器件。此外，在特定方面，如圖8所示，顯示器828、輸入設(shè)備830、揚(yáng)聲器836、麥克風(fēng)838、天線842和電源844在soc器件的外部。然而，顯示器828、輸入設(shè)備830、揚(yáng)聲器836、麥克風(fēng)838、天線842和電源844中的每一個(gè)可以被耦合到soc器件的組件，例如，接口或控制器。

參考圖9，制造系統(tǒng)900可以包括耦合到諸如存儲(chǔ)器904的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的處理器902。存儲(chǔ)器904存儲(chǔ)可由處理器902執(zhí)行以制造中介板(例如，堆疊區(qū)域102)的指令906，以用于制造電子裝置，例如，電子裝置100、200、300、400和500中的任一個(gè)或其組合。例如，指令906可以由處理器902執(zhí)行，以啟動(dòng)或控制方法600的一個(gè)或多個(gè)操作。作為說明性示例，指令906可以由處理器902執(zhí)行，以啟動(dòng)或控制由制造設(shè)備908執(zhí)行的操作來制造電子裝置100、200、300、400和500中的任一個(gè)。指令906可以由處理器902執(zhí)行，以控制或啟動(dòng)制造設(shè)備908處的一個(gè)或多個(gè)工藝，例如，作為說明性示例，一個(gè)或多個(gè)基于襯底的工藝(例如，摻雜工藝、注入工藝、生長(zhǎng)工藝、擴(kuò)散工藝或外延生長(zhǎng)工藝中的一個(gè)或多個(gè))、一個(gè)或多個(gè)沉積工藝(例如，薄膜沉積工藝或金屬沉積工藝中的一個(gè)或多個(gè))、一個(gè)或多個(gè)圖案化工藝(例如，蝕刻工藝、鉆孔工藝或激光刻劃工藝中的一個(gè)或多個(gè))或其組合。

存儲(chǔ)器904可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)910。數(shù)據(jù)910可以指示本文所述的一個(gè)或多個(gè)器件。例如，數(shù)據(jù)910可由制造設(shè)備908使用，以制造本文所述的一個(gè)或多個(gè)器件。數(shù)據(jù)910可以表示一個(gè)或多個(gè)器件的物理設(shè)計(jì)。制造設(shè)備908可以被配置為在制造一個(gè)或多個(gè)器件期間訪問數(shù)據(jù)910并使用數(shù)據(jù)910。例如，數(shù)據(jù)910可以指定與一個(gè)或多個(gè)器件相關(guān)聯(lián)的物理性質(zhì)，并且制造設(shè)備908可以被配置為基于數(shù)據(jù)910來制造一個(gè)或多個(gè)器件。

結(jié)合所描述的方面，非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)(例如，存儲(chǔ)器904)存儲(chǔ)可由制造設(shè)備(例如，制造設(shè)備908)使用的數(shù)據(jù)(例如，數(shù)據(jù)910)，以(例如，通過執(zhí)行方法600的一個(gè)或多個(gè)操作、方法700的一個(gè)或多個(gè)操作或其組合)制造器件。器件可以包括設(shè)置在襯底(例如，襯底104)內(nèi)或中介板(例如，堆疊區(qū)域102)內(nèi)的第一器件。例如，器件108被包括在襯底104中。在該示例中，第一器件可以包括形成在襯底104內(nèi)的器件，例如，二極管(例如，如參考圖2所述)或溝槽電容器(例如，如參照?qǐng)D5所述)。作為另一示例，器件112被包括在中介板中。在該示例中，第一器件可以包括形成在中介板內(nèi)的薄膜二極管(例如，如參考圖3所述)或形成在中介板內(nèi)的薄膜電容器(例如，如參考圖4所述)。

器件還可以包括中介板內(nèi)的第二器件。例如，第一器件可以對(duì)應(yīng)于器件112，并且第二器件可以對(duì)應(yīng)于器件116。作為另一示例，第一器件可以對(duì)應(yīng)于器件108，并且第二器件可以對(duì)應(yīng)于器件112。第一器件和第二器件具有堆疊配置。作為說明性示例，第二器件可以包括薄膜二極管或薄膜電容器，例如，平面去耦合電容器(decap)。在示例性實(shí)現(xiàn)中，第一器件包括使用摻雜工藝形成的半導(dǎo)體器件(例如，二極管)，并且第二器件包括使用薄膜沉積工藝形成的薄膜器件。在另一實(shí)現(xiàn)中，第一器件和第二器件均包括使用薄膜沉積工藝在中介板(例如，堆疊區(qū)域102)內(nèi)形成的薄膜器件。數(shù)據(jù)可以表示器件的物理設(shè)計(jì)。

結(jié)合所描述的方面，裝置(例如，電子裝置100)包括襯底(例如，襯底104)和與襯底相關(guān)聯(lián)的中介板(例如，堆疊區(qū)域102)。裝置還可以包括設(shè)置在襯底內(nèi)或中介板內(nèi)的第一器件。例如，第一器件可以對(duì)應(yīng)于器件108或器件112。器件108被設(shè)置在襯底104內(nèi)，并且器件112被設(shè)置在堆疊區(qū)域102內(nèi)。裝置還可以包括設(shè)置在中介板內(nèi)的第二器件。例如，器件112、116形成在堆疊區(qū)域102內(nèi)。第一器件和第二器件可以被布置成堆疊配置。例如，器件108、112被布置成堆疊配置。作為另一示例，器件112、116被布置成堆疊配置。作為附加示例，器件108、116被布置成堆疊配置。

結(jié)合所描述的方面，裝置包括用于執(zhí)行電路操作(例如，作為說明性示例，電容器的操作(例如，存儲(chǔ)電荷)或二極管的操作(例如，確定電流的方向并提供二極管電阻))的第一部件。用于執(zhí)行電路操作的第一部件被設(shè)置在襯底內(nèi)或中介板內(nèi)。裝置還包括用于執(zhí)行電路操作的第二部件。用于執(zhí)行電路操作的第二部件被設(shè)置在中介板內(nèi)，并且用于執(zhí)行電路操作的第一部件和用于執(zhí)行電路操作的第二部件具有堆疊配置。例如，襯底可以對(duì)應(yīng)于襯底104，并且中介板可以對(duì)應(yīng)于堆疊區(qū)域102。第一部件可以對(duì)應(yīng)于器件108或器件112。例如，第一部件可以對(duì)應(yīng)于器件108，并且第二部件可以對(duì)應(yīng)于器件112。作為另一示例，第一部件可以對(duì)應(yīng)于器件112，并且第二部件可以對(duì)應(yīng)于器件116。

中介板可以將第一裸片耦合到第二裸片。第一裸片可以包括襯底。例如，第一裸片可以對(duì)應(yīng)于第一裸片822，并且第二裸片可以對(duì)應(yīng)于第二裸片823。在特定方面，第一裸片、用于連接的部件以及第二裸片被集成在系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)器件(例如，sip器件890)內(nèi)。裝置還可以包括用于通信地耦合第一裸片和第二裸片的部件。用于通信地耦合的部件可以包括通信地耦合第一裸片和第二裸片的過孔(例如，過孔124)。例如，過孔可以被配置為實(shí)現(xiàn)第一裸片和第二裸片之間的通信。

可以使用可以包括數(shù)據(jù)910(或數(shù)據(jù)910的表示)的一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)文件(例如，rtl、gdsii、gerber等)來設(shè)計(jì)和表示前述所公開的器件和功能。一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)文件可以被存儲(chǔ)在諸如存儲(chǔ)器904的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上。一些或所有這樣的文件可以被提供給例如使用制造設(shè)備908來基于這樣的文件制造器件的制造處理機(jī)。產(chǎn)生的產(chǎn)品包括晶片，晶片然后被切割成裸片(例如，第一裸片822和第二裸片823中的任一個(gè))并封裝到集成電路(或“芯片”)中。然后將這些芯片用于電子裝置中，諸如在電子裝置800內(nèi)。

此外，參考圖1-圖9中任一個(gè)所描述的一個(gè)或多個(gè)功能或組件可以與圖1-圖9的一個(gè)或多個(gè)其他功能或組件組合。因此，本文所述的單個(gè)示例都不應(yīng)被解釋為限制。相反，在不脫離本公開的教導(dǎo)的情況下，可以適當(dāng)?shù)亟M合本公開的示例。

本領(lǐng)域技術(shù)人員將進(jìn)一步理解，結(jié)合本文所公開的方面描述的各種示例性邏輯塊、配置、模塊、電路和算法步驟可以被實(shí)現(xiàn)為電子硬件、由處理器執(zhí)行的計(jì)算機(jī)軟件或二者的組合。上面已經(jīng)在其功能方面整體描述了各種示例性組件、塊、配置、模塊、電路和步驟。這種功能是否被實(shí)現(xiàn)為硬件或處理器可執(zhí)行指令取決于施加在整個(gè)系統(tǒng)上的特定應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束。技術(shù)人員可以針對(duì)每個(gè)特定應(yīng)用以不同的方式實(shí)現(xiàn)所描述的功能，但是這種實(shí)現(xiàn)決定不應(yīng)被解釋為導(dǎo)致脫離本公開的范圍。

存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，存儲(chǔ)器832、904中的任一個(gè))可以包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)、閃速存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器(rom)、可編程只讀存儲(chǔ)器(prom)、可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(eprom)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(eeprom)、寄存器、硬盤、可移除盤、壓縮盤只讀存儲(chǔ)器(cd-rom)或本領(lǐng)域已知的任何其他形式的非暫時(shí)性存儲(chǔ)介質(zhì)。示例性存儲(chǔ)介質(zhì)可以被耦合到處理器(例如，處理器810、902中的任一個(gè))，使得處理器可以從存儲(chǔ)介質(zhì)讀取信息并向存儲(chǔ)介質(zhì)寫入信息。在備選方案中，存儲(chǔ)介質(zhì)可以與處理器一體。處理器和存儲(chǔ)介質(zhì)可以駐留在專用集成電路(asic)中。asic可以駐留在計(jì)算設(shè)備或用戶終端中。在備選方案中，處理器和存儲(chǔ)介質(zhì)可以作為離散組件駐留在計(jì)算設(shè)備或用戶終端中。

提供了所公開方面的先前描述，以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠制作或使用所公開的方面。對(duì)于這些方面的各種修改對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的，并且在不脫離本公開的范圍的情況下，本文定義的原理可以應(yīng)用于其他方面。因此，本公開不旨在限于本文所示的方面，而是被賦予與由所附權(quán)利要求限定的原理和新穎特征一致的最寬的范圍。