相關(guān)申請(qǐng)案的交叉參考

本申請(qǐng)案主張2015年2月5日提出申請(qǐng)的序列號(hào)為62/112,603的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)案的權(quán)益，所述臨時(shí)專利申請(qǐng)案的內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。

背景技術(shù)：

導(dǎo)論

各種實(shí)施例一般來(lái)說(shuō)涉及質(zhì)譜術(shù)，且更明確地說(shuō)涉及用于在數(shù)據(jù)獨(dú)立采集(dia)串級(jí)質(zhì)譜術(shù)方法中提供允許使產(chǎn)物離子與前體離子相關(guān)的前體離子信息的系統(tǒng)及方法。

串級(jí)質(zhì)譜術(shù)或質(zhì)譜/質(zhì)譜術(shù)(ms/ms)是用于分析化合物的眾所周知的技術(shù)。最初，將串級(jí)質(zhì)譜儀視為以串級(jí)方式布置的兩個(gè)質(zhì)譜儀。然而，現(xiàn)代串級(jí)質(zhì)譜儀是復(fù)雜得多的儀器且可具有許多不同配置。然而，一般來(lái)說(shuō)，串級(jí)質(zhì)譜術(shù)涉及將來(lái)自樣本的一或多種化合物離子化、選擇所述一或多種化合物的一或多個(gè)前體離子、將所述一或多個(gè)前體離子碎裂成若干產(chǎn)物離子且對(duì)所述產(chǎn)物離子進(jìn)行質(zhì)量分析。

串級(jí)質(zhì)譜術(shù)可提供定性及定量信息兩者。產(chǎn)物離子光譜可用于識(shí)別所關(guān)注分子。一或多個(gè)產(chǎn)物離子的強(qiáng)度可用于對(duì)存在于樣本中的化合物的量進(jìn)行定量。

大量不同類型的實(shí)驗(yàn)方法或工作流可使用串級(jí)質(zhì)譜儀來(lái)執(zhí)行。這些工作流中的兩個(gè)寬廣類別是信息相依采集(ida)及數(shù)據(jù)獨(dú)立采集(dia)。

ida是一種其中在將樣本引入到串級(jí)質(zhì)譜儀中時(shí)用戶可規(guī)定用于執(zhí)行ms/ms的準(zhǔn)則的靈活串級(jí)質(zhì)譜術(shù)方法。舉例來(lái)說(shuō)，在ida方法中，執(zhí)行前體離子或質(zhì)譜術(shù)(ms)調(diào)查掃描(surveyscan)以產(chǎn)生前體離子峰值列表。用戶可選擇在峰值列表上篩選前體離子的子組的峰值列表的準(zhǔn)則。接著，對(duì)前體離子的子組中的每一前體離子執(zhí)行ms/ms。產(chǎn)生每一前體的產(chǎn)物離子光譜。對(duì)前體離子的子組中的前體離子重復(fù)地執(zhí)行ms/ms，樣本被引入到串級(jí)質(zhì)譜儀中。舉例來(lái)說(shuō)，樣本是通過(guò)注射或色譜儀運(yùn)行而引入。

一種類型的ida方法稱作多反應(yīng)監(jiān)測(cè)(mrm)或選定反應(yīng)監(jiān)測(cè)(srm)或者稱作mrm或srm掃描或躍遷(transition)。mrm通常用于定量分析。換句話說(shuō)，mrm通常用于從單個(gè)產(chǎn)物離子的強(qiáng)度量化樣本中的前體離子的量。mrm用于包含藥物測(cè)試及殺蟲(chóng)劑篩選方法以及其它方法的多分析物篩選方法。

然而，在蛋白質(zhì)組及許多其它樣本類型中，化合物的復(fù)雜性及動(dòng)態(tài)范圍是非常大的。這對(duì)傳統(tǒng)ida工作流提出挑戰(zhàn)，要求非常高速度的ms/ms采集以深度地探測(cè)樣本以便識(shí)別并量化分析物的寬廣范圍。因此，已使用dia工作流來(lái)增加數(shù)據(jù)收集的再現(xiàn)性及綜合性。

在傳統(tǒng)dia工作流中，基于在前一掃描中采集的數(shù)據(jù)，串級(jí)質(zhì)譜儀的動(dòng)作在各掃描間無(wú)變化。替代地，選擇前體離子質(zhì)量范圍。接著，對(duì)所述質(zhì)量范圍中的所有前體離子進(jìn)行碎裂，且對(duì)所有前體離子的所有產(chǎn)物離子進(jìn)行質(zhì)量分析。此前體離子質(zhì)量范圍可非常狹窄，其中多個(gè)前體在窗內(nèi)的可能性較小?；蛘?，此窗可較大，且多個(gè)前體在此窗內(nèi)的可能性較高。

dia的其它名稱可包含但不限于ms/ms^all或非特定碎裂方法。swath^tm采集也是一種類型的dia工作流。在swath^tm采集中，前體離子質(zhì)量隔離窗跨過(guò)整個(gè)質(zhì)量范圍。對(duì)每一質(zhì)量隔離窗中的所有前體離子進(jìn)行碎裂，且對(duì)每一質(zhì)量隔離窗中的所有前體離子的所有產(chǎn)物離子進(jìn)行質(zhì)量分析。

然而，dia工作流并非不具有限制。舉例來(lái)說(shuō)，在常規(guī)swath^tm采集中，難以將在同一前體質(zhì)量隔離窗中發(fā)生的共洗脫產(chǎn)物離子解卷積。dia工作流的非特定性質(zhì)不提供幫助解卷積的足夠前體離子信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明揭示一種系統(tǒng)，其用于通過(guò)用碎裂參數(shù)(舉例來(lái)說(shuō))的不同值將每一前體離子隔離窗碎裂兩次或多于兩次而在串級(jí)質(zhì)譜術(shù)數(shù)據(jù)獨(dú)立采集(dia)實(shí)驗(yàn)中提供前體離子信息。所述系統(tǒng)包含離子源、串級(jí)質(zhì)譜儀及與所述串級(jí)質(zhì)譜儀進(jìn)行通信的處理器。

所述離子源經(jīng)配置以接收樣本且將所述樣本離子化，從而產(chǎn)生離子束。所述串級(jí)質(zhì)譜儀經(jīng)配置以接收所述離子束且分析所述離子束的m/z范圍。

所述處理器將所述m/z范圍劃分成兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗，且選擇碎裂參數(shù)的兩個(gè)或多于兩個(gè)值。所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的第一值具有使所述離子束的最小量離子碎裂的水平。所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的一或多個(gè)額外值具有使所述離子束的所述離子產(chǎn)生越來(lái)越多的碎裂的越來(lái)越具侵攻性的水平。

針對(duì)所述兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗中的每一前體離子隔離窗，所述處理器指令所述串級(jí)質(zhì)譜儀使用所述每一前體離子隔離窗且使用所述第一值來(lái)執(zhí)行對(duì)所述離子束的選擇及碎裂。所述處理器接著指令所述串級(jí)質(zhì)譜儀使用所述每一前體離子隔離窗且使用所述一或多個(gè)額外值來(lái)執(zhí)行對(duì)所述離子束的一或多個(gè)額外選擇及碎裂。針對(duì)所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的每一值產(chǎn)生產(chǎn)物離子光譜。

本發(fā)明揭示一種方法，其用于通過(guò)用碎裂參數(shù)的不同值將每一前體離子隔離窗碎裂兩次或多于兩次而在串級(jí)質(zhì)譜術(shù)dia實(shí)驗(yàn)中提供前體離子信息。使用離子源將樣本離子化，從而產(chǎn)生離子束。使用串級(jí)質(zhì)譜儀接收所述離子束。使用處理器將m/z范圍劃分成兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗。

使用所述處理器選擇碎裂參數(shù)的兩個(gè)或多于兩個(gè)值。所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的第一值具有使所述離子束的最小量離子碎裂的水平。所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的一或多個(gè)額外值具有使所述離子束的所述離子產(chǎn)生越來(lái)越多的碎裂的越來(lái)越具侵攻性的水平。

針對(duì)所述兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗中的每一前體離子隔離窗，指令所述串級(jí)質(zhì)譜儀使用所述每一前體離子隔離窗且使用所述第一值來(lái)執(zhí)行對(duì)所述離子束的選擇及碎裂，且指令所述串級(jí)質(zhì)譜儀使用所述每一前體離子隔離窗且使用所述一或多個(gè)額外值來(lái)執(zhí)行對(duì)所述離子束的一或多個(gè)額外選擇及碎裂，從而針對(duì)所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的每一值產(chǎn)生產(chǎn)物離子光譜。針對(duì)所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的每一值產(chǎn)生產(chǎn)物離子光譜。

本發(fā)明揭示一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其包含非暫時(shí)性且有形計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體，所述非暫時(shí)性且有形計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體的內(nèi)容包含具有指令的程序，所述指令在處理器上執(zhí)行以便執(zhí)行用于通過(guò)用碎裂參數(shù)的不同值將每一前體離子隔離窗碎裂兩次或多于兩次而在串級(jí)質(zhì)譜術(shù)dia實(shí)驗(yàn)中提供前體離子信息的方法。所述方法包含提供一系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)包括一或多個(gè)相異軟件模塊，且其中所述相異軟件模塊包括控制模塊。

所述控制模塊將待由串級(jí)質(zhì)譜儀分析的離子束的m/z范圍劃分成兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗。所述串級(jí)質(zhì)譜儀從將樣本離子化的離子源接收所述離子束。所述控制模塊選擇碎裂參數(shù)的兩個(gè)或多于兩個(gè)值。所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的第一值具有使所述離子束的最小量離子碎裂的水平。所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的一或多個(gè)額外值具有使所述離子束的所述離子產(chǎn)生越來(lái)越多的碎裂的越來(lái)越具侵攻性的水平。

針對(duì)所述兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗中的每一前體離子隔離窗，所述控制模塊指令所述串級(jí)質(zhì)譜儀使用所述每一前體離子隔離窗且使用所述第一值來(lái)執(zhí)行對(duì)所述離子束的選擇及碎裂，且指令所述串級(jí)質(zhì)譜儀使用所述每一前體離子隔離窗且使用所述一或多個(gè)額外值來(lái)執(zhí)行對(duì)所述離子束的一或多個(gè)額外選擇及碎裂。針對(duì)所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的每一值產(chǎn)生產(chǎn)物離子光譜。

本文中陳述申請(qǐng)人的教示的這些及其它特征。

附圖說(shuō)明

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，下文所描述的圖式僅出于圖解說(shuō)明目的。所述圖式并非打算以任何方式限制本發(fā)明教示的范圍。

圖1是圖解說(shuō)明可在上面實(shí)施本發(fā)明教示的實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖。

圖2是根據(jù)各種實(shí)施例的針對(duì)數(shù)據(jù)獨(dú)立采集(dia)工作流將前體離子質(zhì)量與電荷比(m/z)范圍劃分成六個(gè)前體離子質(zhì)量隔離窗的示范性圖式。

圖3是根據(jù)各種實(shí)施例的使用足夠低以防止前體離子的碎裂的第一碰撞能量從對(duì)圖2中所展示的第一前體離子質(zhì)量隔離窗的第一選擇及碎裂產(chǎn)生的產(chǎn)物離子質(zhì)譜的一部分的示范性曲線圖。

圖4是根據(jù)各種實(shí)施例的使用足夠高以將圖2中所展示的第一前體離子質(zhì)量隔離窗的前體離子碎裂的第二碰撞能量從對(duì)第一前體離子質(zhì)量隔離窗的第二選擇及碎裂產(chǎn)生的產(chǎn)物離子質(zhì)譜的一部分的示范性曲線圖。

圖5是根據(jù)各種實(shí)施例的使用高于第二碰撞能量的第三碰撞能量從對(duì)圖2中所展示的第一前體離子質(zhì)量隔離窗的第三選擇及碎裂產(chǎn)生的產(chǎn)物離子質(zhì)譜的一部分的示范性曲線圖。

圖6是根據(jù)各種實(shí)施例的針對(duì)圖3的前體離子及圖5的產(chǎn)物離子中的兩者計(jì)算的強(qiáng)度跡線的示范性曲線圖。

圖7是根據(jù)各種實(shí)施例的用于通過(guò)用碎裂參數(shù)的不同值將每一前體離子隔離窗碎裂兩次或多于兩次而在串級(jí)質(zhì)譜術(shù)dia實(shí)驗(yàn)中提供前體離子信息的系統(tǒng)的示意圖。

圖8是圖解性地描繪根據(jù)各種實(shí)施例的由圖7中所展示的處理器在分析m/z范圍時(shí)執(zhí)行的步驟的示范性圖式。

圖9是圖解性地描繪根據(jù)各種實(shí)施例的由圖7中所展示的處理器在隨時(shí)間分析m/z范圍時(shí)執(zhí)行的步驟的示范性圖式。

圖10是展示根據(jù)各種實(shí)施例的用于通過(guò)用碎裂參數(shù)的不同值將每一前體離子隔離窗碎裂兩次或多于兩次而在串級(jí)質(zhì)譜術(shù)dia實(shí)驗(yàn)中提供前體離子信息的方法的流程圖。

圖11是根據(jù)各種實(shí)施例的包含執(zhí)行用于通過(guò)用碎裂參數(shù)的不同值將每一前體離子隔離窗碎裂兩次或多于兩次而在串級(jí)質(zhì)譜術(shù)dia實(shí)驗(yàn)中提供前體離子信息的方法的一或多個(gè)相異軟件模塊的系統(tǒng)的示意圖。

在詳細(xì)描述本發(fā)明教示的一或多個(gè)實(shí)施例之前，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，本發(fā)明教示在其應(yīng)用方面并不限于以下詳細(xì)描述中所陳述或圖式中所圖解說(shuō)明的構(gòu)造細(xì)節(jié)、組件布置及步驟安排。而且，應(yīng)理解，本文中所使用的措辭及術(shù)語(yǔ)用于描述目的且不應(yīng)視為具有限制性。

具體實(shí)施方式

計(jì)算機(jī)實(shí)施的系統(tǒng)

圖1是圖解說(shuō)明可在上面實(shí)施本發(fā)明教示的實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100的框圖。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100包含用于傳達(dá)信息的總線102或其它通信機(jī)構(gòu)，及與總線102耦合以用于處理信息的處理器104。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100還包含存儲(chǔ)器106，其可為耦合到總線102以用于存儲(chǔ)待由處理器104執(zhí)行的指令的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)或其它動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)裝置。存儲(chǔ)器106還可用于在待由處理器104執(zhí)行的指令的執(zhí)行期間存儲(chǔ)暫時(shí)變量或其它中間信息。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100進(jìn)一步包含耦合到總線102以用于存儲(chǔ)用于處理器104的靜態(tài)信息及指令的只讀存儲(chǔ)器(rom)108或其它靜態(tài)存儲(chǔ)裝置。提供例如磁盤或光盤等存儲(chǔ)裝置110且存儲(chǔ)裝置110耦合到總線102以用于存儲(chǔ)信息及指令。

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可經(jīng)由總線102耦合到用于向計(jì)算機(jī)用戶顯示信息的顯示器112，例如陰極射線管(crt)或液晶顯示器(lcd)。包含字母數(shù)字鍵及其它鍵的輸入裝置114耦合到總線102以用于將信息及命令選擇傳達(dá)到處理器104。另一類型的用戶輸入裝置為用于將方向信息及命令選擇傳達(dá)到處理器104且用于控制顯示器112上的光標(biāo)移動(dòng)的光標(biāo)控制件116，例如鼠標(biāo)、軌跡球或光標(biāo)方向鍵。此輸入裝置通常具有在兩個(gè)軸(第一軸(即，x)及第二軸(即，y))上的兩個(gè)自由度，這允許所述裝置規(guī)定在一平面中的位置。

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可執(zhí)行本發(fā)明教示。依照本發(fā)明教示的某些實(shí)施方案，由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100響應(yīng)于處理器104執(zhí)行存儲(chǔ)器106中所含有的一或多個(gè)指令的一或多個(gè)序列而提供結(jié)果?？蓪⒋祟愔噶顝睦绱鎯?chǔ)裝置110的另一計(jì)算機(jī)可讀媒體讀取到存儲(chǔ)器106中。存儲(chǔ)器106中所含有的指令序列的執(zhí)行致使處理器104執(zhí)行本文中所描述的過(guò)程?；蛘撸策B線電路可取代軟件指令或與軟件指令組合使用以實(shí)施本發(fā)明教示。因此，本發(fā)明教示的實(shí)施方案并不限于硬件電路與軟件的任何特定組合。

在各種實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可跨越網(wǎng)絡(luò)連接到一或多個(gè)其它計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(如計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100)以形成聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)。所述網(wǎng)絡(luò)可包含專用網(wǎng)絡(luò)或公用網(wǎng)絡(luò)，例如因特網(wǎng)。在聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中，一或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)且將數(shù)據(jù)供應(yīng)給其它計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。在云計(jì)算情境中，存儲(chǔ)且供應(yīng)數(shù)據(jù)的一或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可稱為服務(wù)器或云。所述一或多個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可包含一或多個(gè)web服務(wù)器，舉例來(lái)說(shuō)。將數(shù)據(jù)發(fā)送到服務(wù)器或云且從服務(wù)器或云接收數(shù)據(jù)的其它計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可稱為客戶端或云裝置，舉例來(lái)說(shuō)。

如本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“計(jì)算機(jī)可讀媒體”是指參與將指令提供到處理器104以供執(zhí)行的任何媒體。此媒體可采取許多形式，包含但不限于非易失性媒體、易失性媒體及傳輸媒體。舉例來(lái)說(shuō)，非易失性媒體包含光盤或磁盤，例如存儲(chǔ)裝置110。易失性媒體包含動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，例如存儲(chǔ)器106。傳輸媒體包含同軸電纜、銅線及光纖，包含包括總線102的導(dǎo)線。

舉例來(lái)說(shuō)，常見(jiàn)形式的計(jì)算機(jī)可讀媒體或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包含軟盤、柔性磁盤、硬盤、磁帶或任何其它磁性媒體、cd-rom、數(shù)字視頻光盤(dvd)、藍(lán)光光盤、任何其它光學(xué)媒體、拇指驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)器卡、ram、prom及eprom、快閃eprom、任何其它存儲(chǔ)器芯片或盒式磁盤，或者計(jì)算機(jī)可從其讀取的任何其它有形媒體。

在將一或多個(gè)指令的一或多個(gè)序列載運(yùn)到處理器104以供執(zhí)行時(shí)可涉及各種形式的計(jì)算機(jī)可讀媒體。舉例來(lái)說(shuō)，可最初在遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)的磁盤上載運(yùn)所述指令。所述遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)可將指令加載到其動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中并使用調(diào)制解調(diào)器經(jīng)由電話線發(fā)送指令。在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100本地的調(diào)制解調(diào)器可接收電話線上的數(shù)據(jù)并使用紅外發(fā)射器將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為紅外信號(hào)。耦合到總線102的紅外檢測(cè)器可接收在紅外信號(hào)中載運(yùn)的數(shù)據(jù)并將數(shù)據(jù)置于總線102上?？偩€102將數(shù)據(jù)載運(yùn)到存儲(chǔ)器106，處理器104從存儲(chǔ)器106檢索并執(zhí)行指令。可任選地在由處理器104執(zhí)行之前或之后將由存儲(chǔ)器106接收的指令存儲(chǔ)于存儲(chǔ)裝置110上。

根據(jù)各種實(shí)施例，經(jīng)配置以由處理器執(zhí)行以執(zhí)行一方法的指令存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀媒體上。所述計(jì)算機(jī)可讀媒體可為存儲(chǔ)數(shù)字信息的裝置。舉例來(lái)說(shuō)，計(jì)算機(jī)可讀媒體包含此項(xiàng)技術(shù)中已知的用于存儲(chǔ)軟件的光盤只讀存儲(chǔ)器(cd-rom)。所述計(jì)算機(jī)可讀媒體由適合用于執(zhí)行經(jīng)配置以執(zhí)行的指令的處理器存取。

已出于圖解說(shuō)明及描述的目的而呈現(xiàn)對(duì)本發(fā)明教示的各種實(shí)施方案的以下描述。其并非窮盡性的且不將本發(fā)明教示限制于所揭示的精確形式。修改及變化鑒于以上教示而可能存在或可從本發(fā)明教示的實(shí)踐獲得。另外，所描述的實(shí)施方案包含軟件，但本發(fā)明教示可實(shí)施為硬件與軟件的組合或單獨(dú)以硬件實(shí)施。可用面向?qū)ο蟮木幊滔到y(tǒng)及非面向?qū)ο蟮木幊滔到y(tǒng)兩者來(lái)實(shí)施本發(fā)明教示。

用于提供前體離子數(shù)據(jù)的系統(tǒng)及方法

如上文所描述，各種實(shí)施例明確地說(shuō)涉及用于在數(shù)據(jù)獨(dú)立采集(dia)串級(jí)質(zhì)譜術(shù)方法中提供允許使產(chǎn)物離子與前體離子相關(guān)的前體離子信息的系統(tǒng)及方法。串級(jí)質(zhì)譜術(shù)工作流的兩個(gè)寬廣類別是信息相依采集(ida)及dia。

在ida中，通過(guò)執(zhí)行前體離子或質(zhì)譜術(shù)(ms)調(diào)查掃描而提供前體信息。接著，選擇前體離子以從所得前體離子光譜進(jìn)行碎裂。一般來(lái)說(shuō)，在ida方法中使產(chǎn)物離子與前體離子相關(guān)是直截了當(dāng)?shù)?，因?yàn)槭褂谜绑w離子隔離窗進(jìn)行碎裂。

相比來(lái)說(shuō)，在dia方法中，使用寬前體離子隔離窗，從而允許同時(shí)對(duì)許多前體離子進(jìn)行碎裂。因此，舉例來(lái)說(shuō)，在常規(guī)swath^tm采集中，難以將在同一前體離子質(zhì)量隔離窗中發(fā)生的共洗脫產(chǎn)物離子解卷積。dia工作流的非特定性質(zhì)不提供幫助解卷積的足夠前體離子信息。

在各種實(shí)施例中，通過(guò)提供額外前體離子信息而改善dia工作流。特定來(lái)說(shuō)，在dia工作流中，指令串級(jí)質(zhì)譜儀來(lái)針對(duì)每一前體離子質(zhì)量隔離窗執(zhí)行一或多個(gè)循環(huán)實(shí)驗(yàn)。在第一實(shí)驗(yàn)中，選擇前體離子質(zhì)量隔離窗且在無(wú)顯著碰撞能量的情況下進(jìn)行碎裂。此允許對(duì)完整前體離子進(jìn)行質(zhì)量分析。在對(duì)同一前體離子質(zhì)量隔離窗執(zhí)行的一或多個(gè)額外實(shí)驗(yàn)中，使碰撞能量遞增地增加。來(lái)自這些一或多個(gè)額外實(shí)驗(yàn)的結(jié)果具有增加的產(chǎn)物離子強(qiáng)度及減小的殘余前體離子強(qiáng)度。

圖2是根據(jù)各種實(shí)施例的dia工作流的前體離子質(zhì)量與電荷比(m/z)范圍劃分成六個(gè)前體離子質(zhì)量隔離窗的示范性圖式200。圖2中所展示的m/z范圍是120m/z。注意，術(shù)語(yǔ)“質(zhì)量”與“m/z”在本文中互換地使用。一般來(lái)說(shuō)，以m/z為單位進(jìn)行質(zhì)譜術(shù)測(cè)量且通過(guò)除以電荷而將其轉(zhuǎn)換為質(zhì)量。

六個(gè)前體離子質(zhì)量隔離窗210到260中的每一者橫跨20m/z。前體離子質(zhì)量隔離窗210到260展示為具有相同寬度的非重疊窗。在各種實(shí)施例中，前體離子質(zhì)量隔離窗可重疊及/或可具有可變寬度。在常規(guī)swath^tm采集中，選擇前體離子質(zhì)量隔離窗210到260中的每一者并接著進(jìn)行碎裂，從而針對(duì)整個(gè)m/z范圍產(chǎn)生六個(gè)產(chǎn)物離子光譜。

所述方法可進(jìn)一步與隨時(shí)間提供樣本的樣本引入裝置(舉例來(lái)說(shuō))聯(lián)合。因此，針對(duì)每一時(shí)間步驟，選擇前體離子質(zhì)量隔離窗210到260中的每一者并接著進(jìn)行碎裂，從而針對(duì)整個(gè)m/z范圍產(chǎn)生六個(gè)產(chǎn)物離子光譜。樣本引入裝置可使用包含但不限于注射、液相色譜法、氣相色譜法、毛細(xì)管電泳或離子遷移的技術(shù)將樣本引入到質(zhì)譜儀。

在各種實(shí)施例中，替代跨越整個(gè)m/z范圍選擇前體離子質(zhì)量隔離窗210到260中的每一者并進(jìn)行碎裂僅一次，利用不同碰撞能量選擇前體離子質(zhì)量隔離窗210到260中的每一者并進(jìn)行碎裂兩次或多于兩次。另外，第一碰撞能量足夠低以防止前體離子的碎裂。換句話說(shuō)，對(duì)前體離子質(zhì)量隔離窗210到260中的每一者的第一選擇及碎裂選擇前體離子但不將前體離子碎裂，從而允許前體離子完整地流動(dòng)。對(duì)前體離子質(zhì)量隔離窗210到260中的每一者的后續(xù)選擇及碎裂使用越來(lái)越高的碰撞能量來(lái)將前體離子碎裂。

圖3是根據(jù)各種實(shí)施例的使用足夠低以防止前體離子的碎裂的第一碰撞能量從對(duì)圖2中所展示的第一前體離子質(zhì)量隔離窗的第一選擇及碎裂產(chǎn)生的產(chǎn)物離子質(zhì)譜的一部分的示范性曲線圖300。因此，在產(chǎn)物離子光譜中僅找到兩個(gè)前體離子310及320。在產(chǎn)物離子光譜中未找到前體離子310及320的產(chǎn)物離子，這是因?yàn)槲磳⑶绑w離子碎裂。舉例來(lái)說(shuō)，圖2中所展示的第一前體離子質(zhì)量隔離窗是前體離子質(zhì)量隔離窗210。

圖4是根據(jù)各種實(shí)施例的使用足夠高以將圖2中所展示的第一前體離子質(zhì)量隔離窗的前體離子碎裂的第二碰撞能量從對(duì)第一前體離子質(zhì)量隔離窗的第二選擇及碎裂產(chǎn)生的產(chǎn)物離子質(zhì)譜的一部分的示范性曲線圖400。產(chǎn)物離子光譜展示殘余前體離子310及320，但其強(qiáng)度被降低。產(chǎn)物離子質(zhì)譜現(xiàn)在還展示由前體離子310及320產(chǎn)生的產(chǎn)物離子410到450。

圖5是根據(jù)各種實(shí)施例的使用高于第二碰撞能量的第三碰撞能量從對(duì)圖2中所展示的第一前體離子質(zhì)量隔離窗的第三選擇及碎裂產(chǎn)生的產(chǎn)物離子質(zhì)譜的一部分的示范性曲線圖500。產(chǎn)物離子光譜仍展示殘余前體離子310及320，但其強(qiáng)度幾乎不可檢測(cè)。產(chǎn)物離子質(zhì)譜還展示由于前體離子310及320的甚至更大碎裂而具有甚至更大強(qiáng)度的產(chǎn)物離子410到450。

圖3到5展示針對(duì)圖2的僅一個(gè)前體離子質(zhì)量隔離窗收集的光譜。類似地，還針對(duì)圖2的其它五個(gè)前體離子質(zhì)量隔離窗收集光譜，以便分析整個(gè)m/z范圍?？山M合三個(gè)不同碰撞能量中的每一者的光譜，從而產(chǎn)生每一碰撞能量的光譜。

如果樣本引入裝置隨時(shí)間提供樣本，那么可針對(duì)每一碰撞能量的每一光譜的每一m/z計(jì)算強(qiáng)度跡線。然而，強(qiáng)度跡線的時(shí)間并非色譜時(shí)間。計(jì)算強(qiáng)度跡線中的每一者的時(shí)間是由q1執(zhí)行對(duì)m/z范圍的質(zhì)量過(guò)濾的時(shí)間。在各種實(shí)施例中，接著通過(guò)使產(chǎn)物離子的強(qiáng)度跡線與利用最低或非碎裂碰撞能量找到的前體離子的強(qiáng)度跡線相關(guān)而找到前體離子的產(chǎn)物離子。

強(qiáng)度跡線是跨越任何維度相關(guān)的特定離子的一組強(qiáng)度。另外，所述維度可能并非直接測(cè)量獲得的而是在所測(cè)量維度的某種變換之后獲得。一個(gè)示范性維度是時(shí)間。隨時(shí)間相關(guān)的一個(gè)示范性強(qiáng)度跡線是第一四極(q1)強(qiáng)度跡線。

圖6是根據(jù)各種實(shí)施例的針對(duì)圖3的前體離子及圖5的產(chǎn)物離子中的兩者計(jì)算的強(qiáng)度跡線的示范性曲線圖600。在將圖3與圖5進(jìn)行比較時(shí)，不可能確定圖5中的哪些產(chǎn)物離子410到450對(duì)應(yīng)于圖3中的哪些前體離子310及320。然而，如果將利用最低且非碎裂碰撞能量選擇及碎裂的前體離子的強(qiáng)度跡線與利用足夠高以將前體離子碎裂的碰撞能量選擇及碎裂的產(chǎn)物離子的強(qiáng)度跡線進(jìn)行比較，那么可找到產(chǎn)物離子的前體離子。在圖6中，從圖3的產(chǎn)物離子光譜中的前體離子310的強(qiáng)度且從隨時(shí)間使用用于產(chǎn)生圖3的碰撞能量產(chǎn)生的其它產(chǎn)物離子光譜中的前體離子310的強(qiáng)度計(jì)算強(qiáng)度跡線610。從圖3的產(chǎn)物離子光譜中的前體離子320的強(qiáng)度且從隨時(shí)間使用用于產(chǎn)生圖3的碰撞能量產(chǎn)生的其它產(chǎn)物離子光譜中的前體離子310的強(qiáng)度計(jì)算圖6的強(qiáng)度跡線620。從圖5的產(chǎn)物離子光譜中的產(chǎn)物離子430的強(qiáng)度且從隨時(shí)間使用用于產(chǎn)生圖5的碰撞能量產(chǎn)生的其它產(chǎn)物離子光譜中的產(chǎn)物離子430的強(qiáng)度計(jì)算圖6的強(qiáng)度跡線630。從圖5的產(chǎn)物離子光譜中的產(chǎn)物離子440的強(qiáng)度且從隨時(shí)間使用用于產(chǎn)生圖5的碰撞能量產(chǎn)生的其它產(chǎn)物離子光譜中的產(chǎn)物離子440的強(qiáng)度計(jì)算圖6的強(qiáng)度跡線640。

圖6展示強(qiáng)度跡線610與640具有類似形狀及保持時(shí)間。換句話說(shuō)，強(qiáng)度跡線610與640很好地相關(guān)。因此，可能是圖3的前體離子310產(chǎn)生圖5的產(chǎn)物離子440。類似地，圖6展示強(qiáng)度跡線620與630具有類似形狀及保持時(shí)間。換句話說(shuō)，強(qiáng)度跡線620與630很好地相關(guān)。舉例來(lái)說(shuō)，跡線或強(qiáng)度跡線可通過(guò)保持時(shí)間、形狀及/或離子分布函數(shù)而相關(guān)。因此，可能是圖3的前體離子320產(chǎn)生圖5的產(chǎn)物離子430。

在上文所描述的各種實(shí)施例中，使用越來(lái)越高的碰撞能量來(lái)將前體離子碎裂。在碰撞誘導(dǎo)解離(cid)方法中使用碰撞能量。然而，本文中所描述的系統(tǒng)及方法不限于使用cid方法的碰撞能量?？墒褂萌魏嗡榱逊椒ǖ乃榱褏?shù)的越來(lái)越具侵攻性的值。舉例來(lái)說(shuō)，可使用rf解離方法的越來(lái)越具侵攻性的射頻(rf)激勵(lì)，或可使用電子捕獲解離(ecd)方法的越來(lái)越具侵攻性的電子能量。

并且，在上文所描述的各種實(shí)施例中，碰撞能量的增加針對(duì)質(zhì)量范圍的所有質(zhì)量隔離窗相同。在各種實(shí)施例中，碰撞能量的增加或任何碎裂參數(shù)值的侵攻性的增加可變化或?yàn)橘|(zhì)量隔離窗的增加的m/z的函數(shù)。

用于提供前體離子信息的系統(tǒng)

圖7是根據(jù)各種實(shí)施例的用于通過(guò)用碎裂參數(shù)的不同值將每一前體離子隔離窗碎裂兩次或多于兩次而在串級(jí)質(zhì)譜術(shù)dia實(shí)驗(yàn)中提供前體離子信息的系統(tǒng)的示意圖700。

系統(tǒng)700包含離子源710、串級(jí)質(zhì)譜儀720及處理器730。在各種實(shí)施例中，系統(tǒng)700還可包含樣本引入裝置740。樣本引入裝置740可使用各種技術(shù)中的一者將樣本提供到離子源710。這些技術(shù)包含但不限于氣相色譜法(gc)、液相色譜法(lc)、毛細(xì)管電泳(ce)或流動(dòng)注射分析(fia)。

離子源710可為串級(jí)質(zhì)譜儀720的一部分或可為單獨(dú)裝置。離子源710經(jīng)配置以接收樣本且將樣本離子化，從而產(chǎn)生離子束。

舉例來(lái)說(shuō)，串級(jí)質(zhì)譜儀720可包含一或多個(gè)物理質(zhì)量過(guò)濾器及一或多個(gè)物理質(zhì)量分析器。串級(jí)質(zhì)譜儀720的質(zhì)量分析器可包含但不限于飛行時(shí)間(time-of-flight，tof)質(zhì)量分析器、四極質(zhì)量分析器、離子陷阱質(zhì)量分析器、線性離子陷阱質(zhì)量分析器、軌道陷阱質(zhì)量分析器或傅里葉變換質(zhì)量分析器。

串級(jí)質(zhì)譜儀720經(jīng)配置以接收離子束且分析離子束的m/z范圍。

處理器730可為但不限于計(jì)算機(jī)、微處理器，或能夠從串級(jí)質(zhì)譜儀720發(fā)送及接收控制信號(hào)及數(shù)據(jù)并處理數(shù)據(jù)的任何裝置。舉例來(lái)說(shuō)，處理器730可為圖1的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100。在各種實(shí)施例中，處理器730與串級(jí)質(zhì)譜儀720及樣本引入裝置710進(jìn)行通信。

處理器730將m/z范圍劃分成兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗。舉例來(lái)說(shuō)，m/z范圍及兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗的窗寬度是由用戶選擇。處理器730選擇碎裂參數(shù)的兩個(gè)或多于兩個(gè)值。所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的第一值具有使所述離子束的最小量離子碎裂的水平。所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的一或多個(gè)額外值具有使所述離子束的所述離子產(chǎn)生越來(lái)越多的碎裂的越來(lái)越具侵攻性的水平。

針對(duì)所述兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗中的每一前體離子隔離窗，處理器730指令串級(jí)質(zhì)譜儀720使用所述每一前體離子隔離窗且使用所述第一值來(lái)執(zhí)行對(duì)所述離子束的選擇及碎裂。處理器720接著指令串級(jí)質(zhì)譜儀720使用每一前體離子隔離窗且使用所述一或多個(gè)額外值來(lái)執(zhí)行對(duì)所述離子束的一或多個(gè)額外選擇及碎裂。針對(duì)所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的每一值產(chǎn)生產(chǎn)物離子光譜。

圖8是圖解性地描繪根據(jù)各種實(shí)施例的由圖7中所展示的處理器730在分析m/z范圍時(shí)執(zhí)行的步驟的示范性圖式800。在步驟810中，將m/z范圍劃分成兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗。在步驟820中，選擇碎裂參數(shù)的兩個(gè)或多于兩個(gè)值。在圖8中，將所述碎裂參數(shù)展示為碰撞能量。在步驟830中，針對(duì)所述兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗中的每一前體離子隔離窗，圖7的串級(jí)質(zhì)譜儀720針對(duì)所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的每一者將所述前體離子隔離窗中的前體離子碎裂，從而針對(duì)每一值產(chǎn)生產(chǎn)物離子光譜。

在各種實(shí)施例中，圖7的處理器730進(jìn)一步組合所述兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗的使用碎裂參數(shù)的相同值產(chǎn)生的產(chǎn)物離子光譜，從而針對(duì)所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的每一者產(chǎn)生整個(gè)m/z范圍的經(jīng)組合產(chǎn)物離子光譜。舉例來(lái)說(shuō)，此在圖8中描繪為步驟840。

在各種實(shí)施例中，樣本引入裝置740隨時(shí)間將樣本提供到離子源710。處理器730接著執(zhí)行圖8中所描繪的步驟一或多個(gè)額外次數(shù)。因此，針對(duì)所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的每一者，產(chǎn)生一時(shí)間系列的經(jīng)組合產(chǎn)物離子光譜。

圖9是圖解性地描繪根據(jù)各種實(shí)施例的由圖7中所展示的處理器730在隨時(shí)間分析m/z范圍時(shí)執(zhí)行的步驟的示范性圖式900。在步驟901中，在由q1執(zhí)行對(duì)m/z范圍的質(zhì)量過(guò)濾的每一時(shí)間t1、t2、…、tn，針對(duì)所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的每一者產(chǎn)生經(jīng)組合產(chǎn)物離子光譜。因此，所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的每一者具有一時(shí)間系列的經(jīng)組合產(chǎn)物離子光譜。

圖7的處理器730進(jìn)一步在所述第一值的所述時(shí)間系列的經(jīng)組合產(chǎn)物離子光譜中計(jì)算每一完整前體離子的完整前體離子強(qiáng)度跡線，從而產(chǎn)生一或多個(gè)完整前體離子強(qiáng)度跡線。處理器730還在所述一或多個(gè)額外值的一時(shí)間系列的經(jīng)組合產(chǎn)物離子光譜中計(jì)算至少一個(gè)產(chǎn)物離子的至少一個(gè)產(chǎn)物離子強(qiáng)度跡線。舉例來(lái)說(shuō)，此描繪于圖9中的步驟902中。

在所述第一值的所述時(shí)間系列的經(jīng)組合產(chǎn)物離子光譜中計(jì)算每一完整前體離子的完整前體離子強(qiáng)度跡線910及920。在所述一或多個(gè)額外值的一時(shí)間系列的經(jīng)組合產(chǎn)物離子光譜中計(jì)算至少一個(gè)產(chǎn)物離子的至少一個(gè)產(chǎn)物離子強(qiáng)度跡線940。

圖7的處理器730進(jìn)一步將所述至少一個(gè)產(chǎn)物離子強(qiáng)度跡線與所述一或多個(gè)完整前體離子強(qiáng)度跡線進(jìn)行比較。如果所述至少一個(gè)產(chǎn)物離子強(qiáng)度跡線與所述一或多個(gè)完整前體離子強(qiáng)度跡線的完整前體離子跡線相關(guān)，那么處理器730將所述完整前體離子跡線的完整前體離子識(shí)別為產(chǎn)生所述至少一個(gè)產(chǎn)物離子強(qiáng)度跡線的所述至少一個(gè)產(chǎn)物離子。

返回到圖9，將至少一個(gè)產(chǎn)物離子強(qiáng)度跡線940與完整前體離子強(qiáng)度跡線910及920進(jìn)行比較。舉例來(lái)說(shuō)，如果產(chǎn)物離子強(qiáng)度跡線940與完整前體離子強(qiáng)度跡線910相關(guān)，那么將完整前體離子強(qiáng)度跡線910的完整前體離子識(shí)別為產(chǎn)生產(chǎn)物離子強(qiáng)度跡線940的產(chǎn)物離子。

舉例來(lái)說(shuō)，圖7的處理器730通過(guò)以下操作而確定所述至少一個(gè)產(chǎn)物離子強(qiáng)度跡線與所述一或多個(gè)完整前體離子強(qiáng)度跡線的完整前體離子跡線相關(guān)：確定所述至少一個(gè)產(chǎn)物離子強(qiáng)度跡線的頂點(diǎn)是否與所述一或多個(gè)完整前體離子強(qiáng)度跡線的完整前體離子跡線的頂點(diǎn)在相同時(shí)間出現(xiàn)。處理器730進(jìn)一步通過(guò)以下操作而確定所述至少一個(gè)產(chǎn)物離子強(qiáng)度跡線與所述一或多個(gè)完整前體離子強(qiáng)度跡線的完整前體離子跡線相關(guān)：確定所述至少一個(gè)產(chǎn)物離子強(qiáng)度跡線的形狀是否與所述一或多個(gè)完整前體離子強(qiáng)度跡線的完整前體離子跡線的形狀相同。

用于提供前體離子信息的方法

圖10是展示根據(jù)各種實(shí)施例的用于通過(guò)用碎裂參數(shù)的不同值將每一前體離子隔離窗碎裂兩次或多于兩次而在串級(jí)質(zhì)譜術(shù)dia實(shí)驗(yàn)中提供前體離子信息的方法1000的流程圖。

在方法1000的步驟1010中，使用離子源將樣本離子化，從而產(chǎn)生離子束。

在步驟1020中，使用串級(jí)質(zhì)譜儀接收所述離子束。

在步驟1030中，使用處理器將m/z范圍劃分成兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗。

在步驟1040中，使用所述處理器選擇碎裂參數(shù)的兩個(gè)或多于兩個(gè)值。所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的第一值具有使所述離子束的最小量離子碎裂的水平。所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的一或多個(gè)額外值具有使所述離子束的所述離子產(chǎn)生越來(lái)越多的碎裂的越來(lái)越具侵攻性的水平。

針對(duì)所述兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗中的每一前體離子隔離窗執(zhí)行步驟1050。指令所述串級(jí)質(zhì)譜儀使用所述每一前體離子隔離窗且使用所述第一值來(lái)執(zhí)行對(duì)所述離子束的選擇及碎裂，且指令所述串級(jí)質(zhì)譜儀使用所述每一前體離子隔離窗且使用所述一或多個(gè)額外值來(lái)執(zhí)行對(duì)所述離子束的一或多個(gè)額外選擇及碎裂。針對(duì)所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的每一值產(chǎn)生產(chǎn)物離子光譜。

用于提供前體離子信息的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品

在各種實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包含有形計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體，所述有形計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體的內(nèi)容包含具有指令的程序，所述指令在處理器上執(zhí)行以便執(zhí)行用于通過(guò)用碎裂參數(shù)的不同值將每一前體離子隔離窗碎裂兩次或多于兩次而在串級(jí)質(zhì)譜術(shù)dia實(shí)驗(yàn)中提供前體離子信息的方法。此方法由包含一或多個(gè)相異軟件模塊的系統(tǒng)執(zhí)行。

圖11是根據(jù)各種實(shí)施例的包含執(zhí)行用于通過(guò)用碎裂參數(shù)的不同值將每一前體離子隔離窗碎裂兩次或多于兩次而在串級(jí)質(zhì)譜術(shù)dia實(shí)驗(yàn)中提供前體離子信息的方法的一或多個(gè)相異軟件模塊的系統(tǒng)1100的示意圖。系統(tǒng)1100包含控制模塊1110。

控制模塊1110將待由串級(jí)質(zhì)譜儀分析的離子束的m/z范圍劃分成兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗。所述串級(jí)質(zhì)譜儀從將樣本離子化的離子源接收所述離子束?？刂颇K1110選擇碎裂參數(shù)的兩個(gè)或多于兩個(gè)值。所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的第一值具有使所述離子束的最小量離子碎裂的水平。所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的一或多個(gè)額外值具有使所述離子束的所述離子產(chǎn)生越來(lái)越多的碎裂的越來(lái)越具侵攻性的水平。

針對(duì)所述兩個(gè)或多于兩個(gè)前體離子隔離窗中的每一前體離子隔離窗，控制模塊1110指令所述串級(jí)質(zhì)譜儀使用所述每一前體離子隔離窗且使用所述第一值來(lái)執(zhí)行對(duì)所述離子束的選擇及碎裂，且指令所述串級(jí)質(zhì)譜儀使用所述每一前體離子隔離窗且使用所述一或多個(gè)額外值來(lái)執(zhí)行對(duì)所述離子束的一或多個(gè)額外選擇及碎裂。針對(duì)所述碎裂參數(shù)的所述兩個(gè)或多于兩個(gè)值中的每一值產(chǎn)生產(chǎn)物離子光譜。

盡管聯(lián)合各種實(shí)施例描述了本發(fā)明教示，但并不打算將本發(fā)明教示限制于此類實(shí)施例。相反，本發(fā)明教示涵蓋各種替代方案、修改及等效形式，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解。

此外，在描述各種實(shí)施例時(shí)，本說(shuō)明書(shū)可已將方法及/或過(guò)程呈現(xiàn)為特定步驟序列。然而，在所述方法或過(guò)程不依賴于本文中所陳述的特定步驟次序的前提下，所述方法或過(guò)程不應(yīng)限制于所描述的特定步驟序列。如所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將了解，可能有其它步驟序列。因此，說(shuō)明書(shū)中所陳述的步驟的特定次序不應(yīng)理解為對(duì)權(quán)利要求書(shū)的限制。另外，針對(duì)于所述方法及/或過(guò)程的技術(shù)方案不應(yīng)限制于其步驟以所寫(xiě)的次序的執(zhí)行，且所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可容易了解，所述序列可變化且仍保持在各種實(shí)施例的精神及范圍內(nèi)。