技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
提供一種降低了寄生電容的半導(dǎo)體裝置。一種半導(dǎo)體裝置包括：第一絕緣層；第一絕緣層上的第一氧化物半導(dǎo)體層；第一氧化物半導(dǎo)體層上的第二氧化物半導(dǎo)體層；第二氧化物半導(dǎo)體層上的源電極層及漏電極層；第一絕緣層、源電極層及漏電極層上的第二絕緣層；第二絕緣層上的第三絕緣層；第二氧化物半導(dǎo)體層上的第三氧化物半導(dǎo)體層；第三氧化物半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層；以及柵極絕緣層上的柵電極層。第二絕緣層為氧阻擋層并具有與第一氧化物半導(dǎo)體層、第二氧化物半導(dǎo)體層、源電極層及漏電極層的側(cè)面接觸的區(qū)域。第三氧化物半導(dǎo)體層具有與第二氧化物半導(dǎo)體層、源電極層、漏電極層、第二絕緣層及第三絕緣層的側(cè)面接觸的區(qū)域。

技術(shù)研發(fā)人員：淺見良信
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.28
技術(shù)公布日：2017.09.26