本實(shí)用新型涉及軟磁鐵氧體應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種適用于電源上的軟磁鐵氧體磁芯。

背景技術(shù)：

軟磁鐵氧體磁芯主要用來制作各種電感元件，如變壓器磁芯、電感器磁芯和濾波器磁芯等，隨著電感元件的小型化，要求在不降低其效率的情況下通過結(jié)構(gòu)改進(jìn)使磁芯的體積更小。傳統(tǒng)的軟磁鐵氧體磁芯主要是E型結(jié)構(gòu)，在工作時(shí)產(chǎn)生的漏磁和漏感大，對(duì)電路板上其它的電子元件產(chǎn)生較大的干擾。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供～種適用于電源上的軟磁鐵氧體磁芯，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

一種適用于電源上的軟磁鐵氧體磁芯，其整體為半球形，包括弧壁、高臺(tái)階、小臺(tái)階、中柱和圓形平臺(tái)，弧壁外徑為10～200mm，內(nèi)壁為5～195mm；弧壁上端有階梯型半弧高臺(tái)階、小臺(tái)階，高臺(tái)階高度為3～100mm，小臺(tái)階高度為1～30mm，凹進(jìn)去的兩側(cè)長度為10～80mm；半球型頂端為圓形平臺(tái)，圓形平臺(tái)直徑1～50mm；半球型內(nèi)側(cè)中心位置設(shè)有中柱，中柱的中央位置開有定位盲孔，定位盲孔的深度為中柱高度的一半，在盲孔的外側(cè)設(shè)置有四個(gè)限位凸起。

作為本實(shí)用新型更進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述中柱直徑為5～50mm。

作為本實(shí)用新型更進(jìn)一步的技術(shù)方案，中柱高度為5～50mm。

作為本實(shí)用新型更進(jìn)一步的技術(shù)方案，四個(gè)限位凸起呈圓周對(duì)稱分布在中柱的頂面上。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型該適用于電源上的軟磁鐵氧體磁芯，通過對(duì)半圓球體頂端圓形平臺(tái)設(shè)計(jì)，可以將空間極大的利用，安裝時(shí)通過限位結(jié)構(gòu)能夠很好的固定，亦可以通過組合形成組合形成球形結(jié)構(gòu)，基本做到?jīng)]有漏感，減少了渦流損耗。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一種適用于電源上的軟磁鐵氧體磁芯的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型一種適用于電源上的軟磁鐵氧體磁芯的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本專利的技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)地說明。

請參閱圖1～2，一種適用于電源上的軟磁鐵氧體磁芯，其整體為半球形，包括弧壁1、高臺(tái)階2、小臺(tái)階3、中柱4、圓形平臺(tái)5，弧壁1外徑為10～200mm，內(nèi)壁為5～195mm；弧壁1上端有階梯型半弧高臺(tái)階2、小臺(tái)階3，高臺(tái)階2高度為3～100mm，小臺(tái)階3高度為1～30mm，凹進(jìn)去的兩側(cè)長度為10～80mm；半球型頂端為圓形平臺(tái)5，圓形平臺(tái)5直徑1～50mm；半球型內(nèi)側(cè)中心位置設(shè)有中柱4，中柱4的中央位置開有定位盲孔6，定位盲孔6的深度為中柱4高度的一半，在盲孔6的外側(cè)設(shè)置有四個(gè)限位凸起7，四個(gè)限位凸起呈圓周對(duì)稱分布在中柱4的頂面上。

所述中柱4直徑為5～50mm，中柱4高度為5～50mm。

本實(shí)用新型該適用于電源上的軟磁鐵氧體磁芯，通過對(duì)半圓球體頂端圓形平臺(tái)設(shè)計(jì)，可以將空間極大的利用，安裝時(shí)通過限位結(jié)構(gòu)能夠很好的固定，亦可以通過組合形成組合形成球形結(jié)構(gòu)，基本做到?jīng)]有漏感，減少了渦流損耗。

上面對(duì)本專利的較佳實(shí)施方式作了詳細(xì)說明，但是本專利并不限于上述實(shí)施方式，在本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可以在不脫離本專利宗旨的前提下作出各種變化。