本申請(qǐng)涉及領(lǐng)域太陽能電池
技術(shù)領(lǐng)域:
,具體涉及一種碲化鎘薄膜太陽能電池。
背景技術(shù):
:在社會(huì)、環(huán)境、能源和可持續(xù)性發(fā)展等要求的推動(dòng)下,新能源的推廣應(yīng)用已成為全球共識(shí)。而太陽能作為新能源中最主要的可再生能源,在未來發(fā)展中占有重要地位。薄膜太陽電池主要包括非晶硅、碲化鎘、銅銦鎵硒以及染料敏化等多種類型,其由于消耗材料少,具有所共識(shí)的很大的降低成本空間,受到世界各國的越來越多的關(guān)注。其中,碲化鎘(CdTe)薄膜太陽電池,其結(jié)構(gòu)主體由的光吸收層CdTe層與窗口層CdS層形成,吸光效率系數(shù)>105cm-1,可吸收90%以上的光,轉(zhuǎn)換效率以在8%以上,是新一代高效、低成本、可大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的太陽電池。而目前常用的碲化鎘(CdTe)薄膜太陽電池CdTe層厚度為3微米到8微米,元素Te是稀有元素,材料稀少且價(jià)格昂貴,造成碲化鎘(CdTe)薄膜太陽電池生產(chǎn)成本高,成為限制其發(fā)展的一大因素。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:有鑒于此,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N碲化鎘薄膜太陽能電池,所述電池在保證太陽光的吸收效率的基礎(chǔ)上,減小光吸收層的厚度,降低Te原料的消耗,降低生產(chǎn)成本,批量生長可行性高。為解決以上技術(shù)問題,本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案是一種碲化鎘薄膜太陽能電池,包括襯底,所述襯底上設(shè)置有疊層薄膜,所述疊層薄膜由下往上依次包括透明導(dǎo)電膜、窗口層、光吸收層、背接觸層、背反射層和背電極層;所述窗口層為硫化鎘薄膜層,所述光吸收層為碲化鎘薄膜層,所述背接觸層為硫氰酸亞銅薄膜層,所述背反射層為銀薄膜層。優(yōu)選的,所述襯底為玻璃或高分子聚合物。優(yōu)選的,所述高分子聚合物為聚酰亞胺。優(yōu)選的,所述透明導(dǎo)電膜為TCO薄膜。優(yōu)選的,所述背電極層包括鎳薄膜層和鉻薄膜層。優(yōu)選的,所述窗口層厚度為10nm~200nm。優(yōu)選的,所述光吸收層厚度為50nm~2000nm。優(yōu)選的,所述光吸收層厚度為500nm~2000nm。優(yōu)選的,所述光吸收層厚度為500nm。優(yōu)選的,所述背接觸層厚度為5nm~100nm。優(yōu)選的,所述背接觸層厚度為20nm。優(yōu)選的,所述背反射層厚度為30nm~800nm。優(yōu)選的,所述背反射層厚度為80nm~800nm。優(yōu)選的,所述背反射層厚度為80nm優(yōu)選的,所述疊層薄膜還包括封裝材料層和背板,所述封裝材料層和所述背板依次設(shè)置于所述背電極層上。優(yōu)選的,所述背板為玻璃。在本申請(qǐng)技術(shù)方案中,一種碲化鎘薄膜太陽能電池,包括襯底,所述襯底上設(shè)置有疊層薄膜,所述疊層薄膜由下往上依次包括透明導(dǎo)電膜、窗口層、光吸收層、背接觸層、背反射層和背電極后進(jìn)行封裝;所述窗口層為硫化鎘薄膜層,所述光吸收層為碲化鎘薄膜層;所述背接觸層為硫氰酸亞銅薄膜層,硫氰酸亞銅薄膜層與碲化鎘薄膜層容易實(shí)現(xiàn)歐姆接觸,透明導(dǎo)電膜有減反效果,能夠使更多的光進(jìn)入電池內(nèi)部;加上為銀薄膜層的背反射層,能夠使到達(dá)電池底部的光充分反射回電池內(nèi)部進(jìn)行再次吸收,提升對(duì)入射太陽光的捕捉效率,提高電池的光利用率;背電極包括鎳薄膜層和鉻薄膜層,為多層結(jié)構(gòu),具有良好的導(dǎo)電性;因此,本申請(qǐng)?zhí)峁┑捻诨k薄膜太陽能電池能使太陽光被非常有效地反射,在光吸收層的路徑上可以實(shí)現(xiàn)非常好的量子效率,在保證太陽光的吸收效率的基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)減小光吸收層的厚度,降低Te原料的消耗,降低生產(chǎn)成本。本申請(qǐng)與現(xiàn)有技術(shù)相比,其詳細(xì)說明如下:本申請(qǐng)?jiān)O(shè)置銀薄膜層,在600nm至1200nm的波長范圍內(nèi)具有大于等于95%的積分全反射率,有效提升對(duì)入射太陽光的捕捉效率,進(jìn)而提高對(duì)太陽光的吸收效率,并獲得高效率碲化鎘薄膜太陽能電池,降低生產(chǎn)成本;同時(shí),銀薄膜層厚度為30nm~800nm,也有效控制了成本;采用廉價(jià)的硫氰酸亞銅薄膜層作背接觸層,硫氰酸亞銅薄膜層與碲化鎘薄膜層容易實(shí)現(xiàn)歐姆接觸,提高太陽光的吸收效率;本申請(qǐng)?jiān)诠馕諏拥穆窂缴峡梢詫?shí)現(xiàn)非常好的量子效率,在保證太陽光的吸收效率的基礎(chǔ)上,減小光吸收層的厚度,降低Te原料的消耗,降低生產(chǎn)成本批量生長可行性高。附圖說明圖1是本申請(qǐng)所述的碲化鎘薄膜電池結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本申請(qǐng)的技術(shù)方案,下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖,對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒旧暾?qǐng)的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。實(shí)施例1如圖1所示的一種碲化鎘薄膜太陽能電池,包括襯底1,所述襯底1上設(shè)置有疊層薄膜,所述疊層薄膜由下往上依次包括透明導(dǎo)電膜2、窗口層3、光吸收層4、背接觸層5、背反射層6、背電極層7、封裝材料層8和背板9;其中,所述襯底1為玻璃或高分子聚合物,所述高分子聚合物為聚酰亞胺;所述透明導(dǎo)電膜2為TCO薄膜;所述窗口層3為硫化鎘薄膜層,厚度為10nm~200nm;所述光吸收層4為碲化鎘薄膜層,厚度為500nm;所述背接觸層5為硫氰酸亞銅薄膜層,厚度為20nm;所述背反射層6為銀薄膜層,厚度為80nm;所述背電極層7包括鎳薄膜層10和鉻薄膜層11,所述背板9為玻璃。實(shí)施例2光吸收層厚度對(duì)碲化鎘薄膜太陽能電池樣品的電池性能影響1、實(shí)驗(yàn)樣品:碲化鎘薄膜太陽能電池樣品A、B、C、D(光吸收層厚度分別為50nm、300nm、500nm、2000nm);2、實(shí)驗(yàn)方法:采用GB/T6495.1-1996中所述方法進(jìn)行性能測試;3、實(shí)驗(yàn)結(jié)果:見表1。表1光吸收層厚度對(duì)碲化鎘薄膜太陽能電池樣品的電池性能影響結(jié)果電池樣品Eff(%)Voc(V)Jsc(mA/cm2)FF(%)樣品A4.350.62315.245.936樣品B7.640.79518.751.352樣品C12.850.82422.469.619樣品D12.930.82222.868.991其中,Eff為充放電效率,Voc為開路電壓,Jsc為短路電流,F(xiàn)F為填充因子。從以上數(shù)據(jù)可以看出吸收層厚度為500nm~2000nm時(shí),電池性能較好,為優(yōu)選方案,結(jié)合不同厚度原料消耗量,吸收層厚度為500nm時(shí),為最優(yōu)選方案。實(shí)施例3背接觸層厚度對(duì)碲化鎘薄膜太陽能電池樣品的電池性能影響1、實(shí)驗(yàn)樣品:碲化鎘薄膜太陽能電池樣品a、b、c(背接觸層厚度分別為5nm、20nm、100nm);2、實(shí)驗(yàn)方法:采用GB/T6495.1-1996中所述方法進(jìn)行性能測試;3、實(shí)驗(yàn)結(jié)果:見表2。表2背接觸層厚度對(duì)碲化鎘薄膜太陽能電池樣品的電池性能影響結(jié)果電池樣品Eff(%)Voc(V)Jsc(mA/cm2)FF(%)樣品a9.260.78821.30.5517樣品b12.850.82422.469.619樣品c7.870.79120.149.500其中,Eff為充放電效率,Voc為開路電壓,Jsc為短路電流,F(xiàn)F為填充因子。從以上數(shù)據(jù)可以看出的樣品b電池性能最好,即背接觸層的厚度在20nm時(shí),其電池性能更好,為最優(yōu)選方案。實(shí)施例4背反射層厚度對(duì)碲化鎘薄膜太陽能電池樣品的電池性能影響1、實(shí)驗(yàn)樣品:碲化鎘薄膜太陽能電池樣品d、e、f(背反射層厚度分別為30nm、80nm、800nm);2、實(shí)驗(yàn)方法:采用GB/T6495.1-1996中所述方法進(jìn)行性能測試;3、實(shí)驗(yàn)結(jié)果:見表3。表3背反射層厚度對(duì)碲化鎘薄膜太陽能電池樣品的電池性能影響結(jié)果電池樣品Eff(%)Voc(V)Jsc(mA/cm2)FF(%)樣品d7.540.79814.244.85樣品e12.410.82522.367.455樣品f12.850.82422.469.619其中,Eff為充放電效率,Voc為開路電壓,Jsc為短路電流,F(xiàn)F為填充因子。從以上數(shù)據(jù)可以看出,背反射層厚度為80nm~800nm時(shí),電池性能較好,為優(yōu)選方案,結(jié)合不同厚度原料消耗量,背反射層厚度為80nm時(shí),為最優(yōu)選方案。以上僅是本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出的是,上述優(yōu)選實(shí)施方式不應(yīng)視為對(duì)本申請(qǐng)的限制,本申請(qǐng)的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。對(duì)于本
技術(shù)領(lǐng)域:
的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本申請(qǐng)的精神和范圍內(nèi),還可以做出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本申請(qǐng)的保護(hù)范圍。當(dāng)前第1頁1 2 3