本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，尤其涉及一種圖形化藍(lán)寶石襯底。

背景技術(shù)：

藍(lán)寶石襯底是目前市場(chǎng)上LED芯片制作中大多數(shù)工藝選用材料，主要是由于其生產(chǎn)技術(shù)成熟、穩(wěn)定性好，能夠運(yùn)用在高溫生長(zhǎng)過程中，同時(shí)，藍(lán)寶石的機(jī)械強(qiáng)度高，易于處理和清洗；圖形化藍(lán)寶石襯底是藍(lán)寶石襯底的一種發(fā)展提升，指在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)干法刻蝕用掩膜，用標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝將掩膜刻出圖形，利用ICP刻蝕技術(shù)刻蝕藍(lán)寶石，并去掉掩膜，再在其上生長(zhǎng)GaN材料，使GaN材料的縱向外延變?yōu)闄M向外延。

圖形化藍(lán)寶石襯底一方面可以有效減少GaN外延材料的位錯(cuò)密度，從而減小有源區(qū)的非輻射復(fù)合，減小反向漏電流，提高LED的壽命;另一方面有源區(qū)發(fā)出的光，經(jīng)GaN和藍(lán)寶石襯底界面多次散射，改變了全反射光的出射角，增加了倒裝LED的光從藍(lán)寶石襯底出射的幾率，從而提高了光的提取效率。

隨著LED領(lǐng)域工藝技術(shù)的發(fā)展，以及整個(gè)LED行業(yè)的迅速壯大，對(duì)圖形化藍(lán)寶石襯底的研究也逐漸增多，但是許多圖形化藍(lán)寶石襯底同樣存在著差排缺陷，致使光提取效率不高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是克服上述缺陷，提供的一種圖形化藍(lán)寶石襯底，它包括襯底本體和襯底反射層，通過獨(dú)有的本體工藝規(guī)格限定，從而有效減少生長(zhǎng)在藍(lán)寶石基板上GaN之間的差排缺陷，形成周期性圖形陣列的反射層，改善磊晶質(zhì)量，并提高LED內(nèi)部量子效率，增加光萃取效率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下方式進(jìn)行。

一種圖形化藍(lán)寶石襯底，其特征在于它包括襯底本體和襯底反射層。

所述的襯底本體正面粗糙度≤0.2nm,背面粗糙度為0.8≤Ra≤1.2μm。

所述的襯底本體的制作規(guī)格限定為晶向：0.2±0.05°；角向軸：0±0.1°；平邊角度：0±0.2°；線性偏差≤3.0μm；平整度≤5.0μm；翹曲度為0到-0.8μm之間。

所述的襯底反射層為周期性圖形陣列。

所述的襯底本體的尺寸為2寸、4寸、6寸或8寸。

所述的襯底本體為純度≥99.996%的單晶藍(lán)寶石。

本實(shí)用新型的有益效果是：

提供一種圖形化藍(lán)寶石襯底，通過獨(dú)有的本體工藝規(guī)格限定，從而有效減少生長(zhǎng)在藍(lán)寶石基板上GaN之間的差排缺陷，形成周期性圖形陣列的反射層，改善磊晶質(zhì)量，并提高LED內(nèi)部量子效率，增加光萃取效率。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。

圖1是本實(shí)用新型提供的一種圖形化藍(lán)寶石襯底的本體。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的一種圖形化藍(lán)寶石襯底作進(jìn)一步的描述。

如圖1所示，采用純度≥99.996%的單晶藍(lán)寶石作為襯底本體的原材料，將其規(guī)格限定為正面粗糙度≤0.2nm,背面粗糙度為0.8≤Ra≤1.2μm；晶向：0.2±0.05°；角向軸：0±0.1°；平邊角度：0±0.2°；線性偏差≤3.0μm；平整度≤5.0μm；翹曲度為0到-0.8μm之間。

襯底反射層呈周期性圖形陣列分布，有效減少生長(zhǎng)在藍(lán)寶石基板上GaN之間的差排缺陷，圖形單元為圓錐結(jié)構(gòu)，有效地降低外延片的缺陷密度，提高LED內(nèi)部量子效率，增加光萃取效率。

以上所述的實(shí)施例，只是本實(shí)用新型較典型的具體實(shí)施方式的一種，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換都應(yīng)包含在本實(shí)用新型的操作范圍內(nèi)。