本實用新型涉及顯示技術領域，特別涉及一種顯示基板。

背景技術：

COA(Color Filter On Array)是一種將彩色光阻(Color Filter)直接制備在陣列基板上的技術，其優(yōu)點是可以提高開口率、改善產品的對比度，且不存在彩膜基板與陣列基板的對位問題，也降低了液晶盒制成的難度。

圖1是現有的一種COA顯示基板的結構示意圖，如圖1所示，包括：襯底基板1、形成為襯底基板1上方的薄膜晶體管2(Thin Film Transistor，簡稱TFT)、覆蓋薄膜晶體管2和襯底基板1的鈍化層4、位于鈍化層4上方的彩色色阻、覆蓋所述彩色色阻12/13/14和所述鈍化層4的平坦化層5、位于平坦化層5上方且對應像素區(qū)域10的顯示電極7，顯示電極7通過過孔與對應的薄膜晶體管2連接。

由圖1可見，由于在像素區(qū)域10內存在彩色色阻12/13/14，使得平坦化層5位于像素區(qū)域10的部分的高度明顯高于位于非像素區(qū)域9的部分的高度，平坦化效果不佳，影響后序其他結構的制備；此外，在制備顯示電極7時，由于位于彩色色阻12/13/14上方的平坦化層5膜厚很厚，使得顯示電極7與漏極之間有較大的高度差H(高度差近似等于鈍化層膜厚、彩色色阻膜厚、位于彩色色阻上方的平坦化層膜厚的三者之和與漏極膜厚的差)，當顯示電極7通過過孔與漏極連接時，顯示電極7位于過孔中的部分容易出現斷裂，從而導致顯示電極7與漏極連接不良。

由此可見，如何改善平坦化層的平坦性以及避免顯示電極與漏極連接不良，是本領域技術人員亟需解決的技術問題。

技術實現要素：

本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種顯示基板，以改善平坦化層的平坦性和避免顯示電極斷裂。

為實現上述目的，本實用新型還提供了一種顯示基板的制備方法，所述顯示基板劃分有非像素區(qū)域和彩色像素區(qū)域，所述顯示基板的制備方法包括：

在襯底基板的上方且位于所述非像素區(qū)域內形成薄膜晶體管；

在所述薄膜晶體管的上方形成鈍化層；

在所述鈍化層的上方且位于所述彩色像素區(qū)域內形成彩色色阻；

在所述鈍化層和所述彩色色阻的上方形成平坦化層；

減薄所述彩色像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度，以使得所述彩色像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度小于所述非像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度；

在所述平坦化層的上方形成顯示電極，所述顯示電極與所述漏極過孔連接。

可選地，所述在所述鈍化層和所述彩色色阻的上方形成平坦化層的步驟與所述減薄所述彩色像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度的步驟同步進行，形成平坦化層的步驟具體包括：

在所述鈍化層和所述彩色色阻的上方形成平坦化材料薄膜，所述平坦化材料薄膜包括：全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和不保留區(qū)域，所述半保留區(qū)域與所述彩色像素區(qū)域對應，所述不保留區(qū)域與所述漏極所處區(qū)域對應；

采用半色調掩膜版對所述平坦化材料薄膜進行掩膜、曝光處理；

對曝光處理后的所述平坦化材料薄膜進行顯影處理，剩余的平坦化材料構成所述平坦化層，所述不保留區(qū)域處形成有第一過孔，所述彩色像素區(qū)域中的所述平坦化材料部分保留以實現減薄。

可選地，所述平坦化層上對應所述漏極的區(qū)域形成有第一過孔；

所述在所述薄膜晶體管的上方形成鈍化層的步驟具體包括：

在所述薄膜晶體管的上方形成鈍化材料薄膜；

所述在所述平坦化層的上方形成顯示電極的步驟具體包括：

對所述鈍化材料薄膜進行一次構圖工藝，以在所述第一過孔的下方形成第二過孔，剩余的鈍化材料構成所述鈍化層；

在所述平坦化層的上方以及所述第一過孔、所述第二過孔內形成透明導電材料薄膜；

對所述透明導電材料薄膜進行一次構圖工藝，以形成所述顯示電極的圖形，所述顯示電極通過所述第一過孔、所述第二過孔與所述漏極連接。

可選地，所述平坦化層上對應所述漏極的區(qū)域形成有第一過孔；

所述在所述薄膜晶體管的上方形成鈍化層的步驟具體包括：

在所述薄膜晶體管的上方形成鈍化材料薄膜；

對所述鈍化材料薄膜進行一次構圖工藝，以形成第二過孔，所述第二過孔與所述漏極對應設置且與后序形成的所述第一過孔連通，剩余的鈍化材料構成所述鈍化層；

所述在所述平坦化層的上方形成顯示電極的步驟具體包括：

在所述平坦化層的上方以及所述第一過孔、所述第二過孔內形成透明導電材料薄膜；

對所述透明導電材料薄膜進行一次構圖工藝，以形成所述顯示電極的圖形，所述顯示電極通過所述第一過孔、所述第二過孔與所述漏極連接。

可選地，所述顯示基板為OLED基板，所述顯示電極為陽極，所述顯示基板的制備方法還包括：

在所述平坦化層的上方形成像素界定層，所述像素界定層上形成有若干個容納孔，所述容納孔與所述顯示電極對應設置；

在所述容納孔內形成有機發(fā)光層；

在所述有機發(fā)光層的上方形成陰極；

在所述陰極的上方設置保護基板。

可選地，所述顯示基板為液晶顯示基板，所述顯示電極為像素電極，所述顯示基板的制備方法還包括：

在所述像素電極的上方形成保護層；

在所述保護層的上方形成取向層。

可選地，所述顯示基板還劃分有白色像素區(qū)域。

可選地，所述非像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度與所述彩色像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度的差為：2μm～3μm。

可選地，所述非像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度為3μm～3.5μm；

所述彩色像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度為0～1.5μm。

為實現上述目的，本實用新型還提供了一種顯示基板，所述顯示基板劃分有非像素區(qū)域和彩色像素區(qū)域，所述顯示基板包括：襯底基板，所述襯底基板的上方且位于所述非像素區(qū)域內形成有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的上方形成有鈍化層，所述鈍化層的上方且位于所述彩色像素區(qū)域內形成有彩色色阻，所述鈍化層和所述彩色色阻的上方形成有平坦化層，所述彩色像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度小于所述非像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度，所述平坦化層的上方形成有顯示電極，所述顯示電極與所述薄膜晶體管中的漏極過孔連接。

可選地，所述顯示基板為OLED基板，所述顯示電極為陽極；

所述平坦化層的上方形成有像素界定層，所述像素界定層上形成有若干個容納孔，所述容納孔與所述顯示電極對應設置，所述容納孔內形成有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層的上方形成有陰極；

所述陰極的上方設置有保護基板。

可選地，所述顯示基板為液晶顯示基板，所述顯示電極為像素電極，所述像素電極的上方形成有保護層，所述保護層的上方形成有取向層。

可選地，所述顯示基板還劃分有白色像素區(qū)域。

可選地，所述非像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度與所述彩色像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度的差為：2μm～3μm。

可選地，所述非像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度為3μm～3.5μm；

所述彩色像素區(qū)域中的所述平坦化層的厚度為0～1.5μm。

本實用新型具有以下有益效果：

本實用新型提供了一種顯示基板，包括：在襯底基板的上方且位于非像素區(qū)域內形成薄膜晶體管；在薄膜晶體管的上方形成鈍化層；在鈍化層的上方且位于彩色像素區(qū)域內形成彩色色阻；在鈍化層和彩色色阻的上方形成平坦化層，平坦化層上形成有第一過孔；減薄彩色像素區(qū)域中的平坦化層的厚度；在平坦化層的上方形成顯示電極，顯示電極與薄膜晶體管中的漏極過孔連接。本實用新型的技術方案通過對位于彩色像素區(qū)域中的平坦化層進行減薄處理，以使得位于彩色色阻上方的平坦化層膜厚減小，從而能有效改善平坦化層的平坦性。此外，由于彩色色阻上方的平坦化層膜厚減小，可使得顯示電極與漏極之間的高度差減小，從而可有效降低顯示電極通過過孔與漏極連接時其位于過孔中的部分出現斷裂的風險。

附圖說明

圖1是現有的一種COA顯示基板的結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例一提供的一種顯示基板的制備方法的流程圖；

圖3為采用圖2所示制備方法制備出的顯示基板的結構示意圖；

圖4a至圖4g為制備圖3所示的顯示基板的中間結構示意圖；

圖5為采用半色調掩膜版形成第一過孔和對位于彩色像素區(qū)域中的平坦化層進行減薄處理的流程圖；

圖6為采用半色調掩膜版對平坦化材料薄膜進行圖案化處理時的示意圖；

圖7為本實用新型實施例二提供的一種顯示基板的制備方法的流程圖；

圖8為采用圖7所示制備方法制備出的顯示基板的結構示意圖；

圖9為本實用新型實施例三提供的一種顯示基板的制備方法的流程圖；

圖10為采用圖9所示制備方法制備出的顯示基板的結構示意圖。

具體實施方式

為使本領域的技術人員更好地理解本實用新型的技術方案，下面結合附圖對本實用新型提供的顯示基板進行詳細描述。

圖2為本實用新型實施例一提供的一種顯示基板的制備方法的流程圖，圖3為采用圖1所示制備方法制備出的顯示基板的結構示意圖，圖4a至圖4g為制備圖3所示的顯示基板的中間結構示意圖,如圖2至圖4g所示，該顯示基板劃分有非像素區(qū)域9和彩色像素區(qū)域10，其中，非像素區(qū)域9是指不進行像素顯示的區(qū)域，彩色像素區(qū)域10是指能夠進行彩色像素顯示的區(qū)域，該顯示基板的制備方法包括：

步驟S1、在襯底基板的上方且位于非顯示區(qū)域內形成薄膜晶體管。

參見圖4a所示，在襯底基板1的上方且位于非像素區(qū)域9內形成薄膜晶體管2，其中，該襯底基板1可以為玻璃基板或樹脂材料基板，該薄膜晶體管2可采用現有技術中任意一種薄膜晶體管2的制備方法得以制備。薄膜晶體管2包括：柵極、有源層、源極和漏極，其中，柵極和有源層之間設置有一層柵絕緣層3。

本領域技術人員應該知曉的是，在制備薄膜晶體管2的過程中同時制備出柵線(未示出)和數據線(未示出)。

步驟S2、在薄膜晶體管的上方形成鈍化層。

參見圖4b所示，具體地，可在薄膜晶體管2和柵極絕緣層的上方形成鈍化材料薄膜41?？蛇x地，鈍化材料為氧化硅(化學式SiOx)、氮化硅(化學式SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一者。

需要說明的是，本實用新型中可通過沉積、涂敷、濺射等方式來形成薄膜。在步驟S2中，優(yōu)選采用等離子體增強化學氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,簡稱PECVD)來形成鈍化材料薄膜41。

步驟S3、在鈍化層的上方且位于彩色像素區(qū)域內形成彩色色阻。

參見圖4c所示，本實施例中，可選地，彩色像素區(qū)域10包括：紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域和藍色像素區(qū)域。彩色色阻12/13/14(又稱為彩色濾光片)具體包括：紅色色阻圖形12、綠色色阻圖形13和藍色色阻圖形14。在步驟S3中，可采用現有技術中任意一種紅色色阻圖形的制備方法以在紅色像素區(qū)域制備出紅色色阻圖形12、在綠色像素區(qū)域制備出綠色色阻圖形13、在藍色色像素區(qū)域制備出藍色色阻圖形14。

步驟S4、在鈍化層和彩色色阻的上方形成平坦化層。

參見圖4d和4e所示，具體地，在鈍化層4和彩色色阻的上方形成平坦化材料薄膜51，并對平坦化材料薄膜51進行圖案化，以形成第一過孔8，第一過孔8位于薄膜晶體管2的漏極的正上方，剩余的平坦化材料構成平坦化層5。其中，可選地，平坦化材料薄膜51的膜厚為：3μm～3.5μm。

可選地，平坦化材料為有機樹脂材料?？墒褂妙A設的掩膜版對平坦化材料薄膜51進行掩膜、曝光處理，再對曝光處理后的平坦化材料薄膜51進行顯影處理，以將位于漏極正上方的平坦化材料去除，形成第一過孔8。

本實施例中，可選地，該顯示基板除了包括非像素區(qū)域9和彩色像素區(qū)域10之外，還包括：白色像素區(qū)域11，白色像素區(qū)域11的設置可有效提升顯示面板的亮度，降低整體功耗。在本實施例中，可利用填充于空白區(qū)域內的平坦化層5作為白色色阻，這樣白色色阻的設置不需要增加一次圖案化工藝。

在經過步驟S4之后，平坦化層5位于像素區(qū)域的部分的上表面高度明顯高于位于非像素區(qū)域9和位于白色像素區(qū)域11的部分的上表面高度，平坦化效果不佳。

步驟S5、減薄彩色像素區(qū)域中的平坦化層的厚度。

參見圖4f所示，在步驟S5中，通過對位于彩色像素區(qū)域10中的平坦化層5進行減薄處理，以降低平坦化層5的位于像素區(qū)域的部分的上表面高度，以使得彩色像素區(qū)域10中的平坦化層5的厚度小于非像素區(qū)域9中的平坦化層5的厚度，此時可有效改善平坦化層5的平坦性。

可選地，經過步驟S5處理后，非像素區(qū)域9中的平坦化層5的厚度與彩色像素區(qū)域10中的平坦化層5的厚度的差為2μm～3μm。

具體地，經過步驟S5處理后，非像素區(qū)域9中的平坦化層的厚度為：3μm～3.5μm，彩色像素區(qū)域10中的平坦化層的厚度為：0～1.5μm。

步驟S6、在平坦化層的上方形成顯示電極，顯示電極與薄膜晶體管中的漏極過孔連接。

參見圖3和圖4g所示，具體地，首先，對鈍化材料薄膜41進行一次構圖工藝，以在第一過孔8的下方形成第二過孔6，剩余的鈍化材料構成鈍化層4；然后，在平坦化層5的上方以及第一過孔8、第二過孔6內形成透明導電材料薄膜；接著，對透明導電材料薄膜進行一次構圖工藝，以形成顯示電極7的圖形，顯示電極7通過第一過孔8、第二過孔6與漏極連接。需要說明的是，本實用新型中的構圖工藝具體可包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。

由于在步驟S5中對位于彩色像素區(qū)域10中的平坦化層5進行減薄處理，即位于彩色色阻上方的平坦化層5膜厚減小，從而可使得步驟S6中所形成的顯示電極7與漏極之間的高度差減小，進而可有效降低顯示電極7通過過孔與漏極連接時其位于過孔中的部分出現斷裂的風險。

由上述內容可見，本實用新型的技術方案可有效改善平坦化層5的平坦性，以及降低顯示電極7斷裂的風險。

需要說明的是，上述先在平坦化材料薄膜51上形成第一過孔8，再在鈍化材料薄膜41上形成第二過孔6的情況，其不會對本實用新型的技術方案產生限制。在本實施例中，也可先在鈍化材料薄膜41上形成第二過孔6，再在平坦化材料薄膜51上形成第一過孔8。

具體地，在步驟S2中，可先在薄膜晶體管2和柵絕緣層3的上方形成鈍化材料薄膜41，然后對對于鈍化材料薄膜41進行一次構圖工藝，以形成第二過孔6，第二過孔6與漏極對應設置且與后序形成的第一過孔8連通，剩余的鈍化材料構成鈍化層4。此時，在步驟S6中，無需再對鈍化材料薄膜41進行處理，可直接形成透明導電材料薄膜并對透明導電材料薄膜進行一次構圖工藝即可。此種情況未給出相應附圖。

此外，本實施例中也可通過一次圖案化工藝以在形成第一過孔8的同時完成對彩色像素區(qū)域10中的平坦化層5的減薄處理，即步驟S4和步驟S5可同步進行。圖5為采用半色調掩膜版形成第一過孔和對位于彩色像素區(qū)域中的平坦化層進行減薄處理的流程圖，圖6為采用半色調掩膜版對平坦化材料薄膜進行圖案化處理時的示意圖，如圖5和圖6所示，形成平坦化層5的步驟具體包括：

步驟S401、在鈍化層和彩色色阻的上方形成平坦化材料薄膜。

參見圖6所示，以平坦化材料為可作為負性光刻膠的有機樹脂材料為例子進行示例性說明，平坦化材料薄膜51包括：全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和不保留區(qū)域，半保留區(qū)域與彩色像素區(qū)域10對應，不保留區(qū)域(與漏極對應)與待形成第一過孔8的區(qū)域對應。

步驟S402、采用半色調掩膜版對平坦化材料薄膜進行掩膜、曝光處理。

繼續(xù)參見圖6所示，半色調掩膜版15包括：完全透光區(qū)域15a、部分透光區(qū)域15c和不全透光區(qū)域15b，完全透光區(qū)域15a與全保留區(qū)域對應設置，部分透光區(qū)域15c與部分保留區(qū)域對應設置，不透光區(qū)域15b與不保留區(qū)域對應設置。

步驟S403、對曝光處理后的平坦化材料薄膜進行顯影處理。

剩余的平坦化材料構成平坦化層5，其中，全保留區(qū)域中的平坦化材料全部保留，不保留區(qū)域的平坦化材料全部去除以形成第一過孔8，彩色像素區(qū)域10中的平坦化材料部分保留以實現減薄。

在本實施例中，采用一次圖案化工藝以在形成第一過孔8的同時完成對彩色像素區(qū)域10中的平坦化層5的減薄處理，可有效減少工藝處理步驟，縮短顯示基板的制備周期。

需要說明的是，本實施例中的平坦化材料也可以是可作為正性光刻膠的有機樹脂材料，其也可通過一次圖案化工藝形成第一過孔8的同時完成對彩色像素區(qū)域10中的平坦化層5的減薄處理。具體過程此處不再贅述。

本實用新型實施例一還提供了一種顯示基板，參見圖3所示，該本實用新型還提供了一種顯示基板，顯示基板劃分有非像素區(qū)域9和彩色像素區(qū)域10，顯示基板包括：襯底基板1，襯底基板1的上方且位于非像素區(qū)域9內形成有薄膜晶體管2，薄膜晶體管2的上方形成有鈍化層4，鈍化層4的上方且位于彩色像素區(qū)域10內形成有彩色色阻12/13/14，鈍化層4和彩色色阻12/13/14的上方形成有平坦化層5，彩色像素區(qū)域10中的平坦化層5的厚度小于非像素區(qū)域9中的平坦化層5的厚度，平坦化層5的上方形成有顯示電極7，顯示電極7與薄膜晶體管5中的漏極過孔連接。

可選地，非像素區(qū)域9中的平坦化層5的厚度與彩色像素區(qū)域10中的平坦化層5的厚度的差為2μm～3μm。

可選地，非像素區(qū)域9中的平坦化層的厚度為：3μm～3.5μm，彩色像素區(qū)域10中的平坦化層的厚度為：0～1.5μm。

與現有技術相比，本實用新型的技術方案通過對位于彩色像素區(qū)域10中的平坦化層5進行減薄處理，以使得彩色像素區(qū)域10中的平坦化層5的厚度小于非像素區(qū)域9中的平坦化層5的厚度，從而能有效改善平坦化層5的平坦性。此外，由于彩色色阻12/13/14上方的平坦化層5膜厚減小，可使得顯示電極7與漏極之間的高度差H減小，從而可有效降低顯示電極7通過過孔與漏極連接時其位于過孔中的部分出現斷裂的風險。

可選地，平坦化層5的材料包括：有機樹脂材料。

可選地，顯示基板還劃分有白色像素區(qū)域11。

圖7為本實用新型實施例二提供的一種顯示基板的制備方法的流程圖，圖8為采用圖7所示制備方法制備出的顯示基板的結構示意圖，如圖7和圖8所示，該顯示基板為有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，簡稱OELD)基板，顯示電極7為陽極，該顯示基板的制備方法除了包括上述實施例一中的步驟S1～步驟S6之外，還包括步驟S7a～步驟S10a，對于步驟S1～步驟S6的描述可參見上述實施例一中的內容，下面僅對步驟S7a～步驟S10a進行詳細描述。

步驟S7a、在平坦化層的上方形成像素界定層。

具體地，首先，在平坦化層5上形成像素界定材料薄膜，其中像素界定材料可為透明的有機樹脂材料；然后，對像素界定材料薄膜進行圖案化處理，以形成若干個容納孔，容納孔與顯示電極7對應設置，剩余的像素界定材料構成像素界定層16。

步驟S8a、在容納孔內形成有機發(fā)光層。

在步驟S8a中，可采用噴墨工藝在容納孔內形成有機發(fā)光溶液，并對有機發(fā)光溶液進行干燥處理，以形成有機發(fā)光層17。在本實施例中，有機發(fā)光層17在電壓作用下發(fā)出白光。

需要說明的是，在實際制備過程中，為保證各容納孔內有機發(fā)光溶液的量的一致性以及后序形成的陰極18的平整度，在進行噴墨工藝時，會使得整個容納孔內以及像素界定層16的上表面均存在有機發(fā)光溶液，在經過干燥處理后，各容納孔中均填充滿有機發(fā)光材料且像素界定層16的上表面存在一層很薄的有機發(fā)光材料。

步驟S9a、在有機發(fā)光層的上方形成陰極。

具體地，在有機發(fā)光層17的上方形成透明導電材料薄膜，該透明導電材料薄膜構成陰極18。

步驟S10a、在陰極的上方設置保護基板。

在步驟S10a中，該保護基板19可以為玻璃基板或樹脂材料基板，用于對陰極18進行保護。

需要說明的是，本實施例中為提升OLED的發(fā)光性能，還可在陽極和有機發(fā)光層17之間形成空穴傳輸層和電子阻擋層，在陰極18和有機發(fā)光層17之間形成電子傳輸層和空穴阻擋層。此種情況未給出相應附圖。

本實用新型實施例二還提供了一種顯示基板，參見圖8所示，該顯示基板為OLED基板，該顯示基板不但包括襯底基板1、薄膜晶體管2、鈍化層4、平坦化層5、彩色色阻12/13/14、顯示電極7，還包括：像素界定層16、有機發(fā)光層17和陰極18。

其中，像素界定層16位于平坦化層5的上方，像素界定層16上形成有若干個容納孔，容納孔與顯示電極7對應設置，有機發(fā)光層17位于容納孔內，陰極18位于有機發(fā)光層17的上方。

圖9為本實用新型實施例三提供的一種顯示基板的制備方法的流程圖，圖10為采用圖9所示制備方法制備出的顯示基板的結構示意圖，如圖9和圖10所示，該顯示基板為液晶顯示基板(液晶顯示面板中的陣列基板)，顯示電極7為像素電極，該顯示基板的制備方法除了包括上述實施例一中的步驟S1～步驟S6之外，還包括步驟S7b和步驟S8b，對于步驟S1～步驟S6的描述可參見上述實施例一中的內容，下面僅對步驟S7b和步驟S8b進行詳細描述。

步驟S7b、在像素電極的上方形成保護層。

在平坦化層5上形成保護材料薄膜，其中保護材料可為透明的有機樹脂材料，該保護材料薄膜構成保護層20。

步驟S8b、在保護層的上方形成取向層。

首先，在保護層20上形成取向材料薄膜；然后，對取向材料薄膜進行薄膜取向或光控取向處理，以在取向材料薄膜的表面形成預傾角，剩余的取向材料構成取向層21。

本實用新型實施例三還提供了一種顯示基板，參見圖10所示，該顯示基板為液晶顯示基板，該顯示基板不但包括襯底基板1、薄膜晶體管2、鈍化層4、平坦化層5、彩色色阻12/13/14、顯示電極7，還包括：保護層20和取向層21。

其中，保護層20位于平坦化層5的上方，取向層21位于保護層20的上方。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本實用新型的原理而采用的示例性實施方式，然而本實用新型并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本實用新型的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本實用新型的保護范圍。