技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型的目的在于，提供一種能夠抑制分割不良的發(fā)生的芯片電阻器。本實(shí)用新型的芯片電阻器具備：絕緣基板；被設(shè)置于所述絕緣基板的上表面的兩端部的一對(duì)上表面電極；被設(shè)置于所述絕緣基板的上表面，并且在所述一對(duì)上表面電極之間形成的電阻體；和被設(shè)置為至少覆蓋所述電阻體的保護(hù)膜，所述保護(hù)膜由下層的第1保護(hù)膜、和上層的第2保護(hù)膜構(gòu)成，所述第1保護(hù)膜設(shè)為與所述絕緣基板的寬度相同的寬度，所述第2保護(hù)膜不從所述絕緣基板露出，進(jìn)一步地，使所述第1保護(hù)膜的厚度比所述第2保護(hù)膜的厚度薄，并且使所述第2保護(hù)膜的長度比所述第1保護(hù)膜的長度長。

技術(shù)研發(fā)人員：中尾光明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201621408061
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.20
技術(shù)公布日：2017.06.27