本實(shí)用新型涉及用于各種電子設(shè)備的由較低的電阻值的厚膜電阻體形成的芯片電阻器。

背景技術(shù)：

如圖5所示，現(xiàn)有的這種芯片電阻器具備：絕緣基板1、被設(shè)置于該絕緣基板1的上表面的兩端部的一對(duì)上表面電極2、被設(shè)置于絕緣基板1的上表面并且形成于一對(duì)上表面電極2之間的電阻體3、被設(shè)置為至少覆蓋電阻體3的保護(hù)膜4、被設(shè)置于絕緣基板1的兩端面使得與一對(duì)上表面電極2電連接的一對(duì)端面電極5、和形成于上表面電極2的一部分和一對(duì)端面電極5的表面的鍍覆層6。此外，保護(hù)膜4由樹脂構(gòu)成，成為與絕緣基板1的寬度相同的寬度。

并且，如圖6(a)所示，該芯片電阻器在具有多個(gè)作為分割用的狹縫的縱槽(縱分割部)7a和橫槽(橫分割部)7b并且劃分出多個(gè)相當(dāng)于1個(gè)芯片電阻器的芯片區(qū)域8的片狀絕緣基板7，在規(guī)定位置形成一對(duì)上表面電極2和電阻體3之后，如圖6(b)所示，將保護(hù)膜4形成為帶狀使得橫跨多個(gè)橫槽7b。然后，通過縱槽7a、橫槽7b來進(jìn)行分割，形成一對(duì)端面電極5、鍍覆層6從而得到芯片電阻器。

另外，作為與本申請(qǐng)的實(shí)用新型有關(guān)的在先技術(shù)文獻(xiàn)信息，例如已知專利文獻(xiàn)1。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2014-60435號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

-實(shí)用新型要解決的課題-

在上述的現(xiàn)有的芯片電阻器中，由于若電阻值變低則電阻體3的厚度變厚，因此為了保護(hù)電阻體3的邊緣部分需要加厚保護(hù)膜4的厚度，在分割時(shí)保護(hù)膜4也分割，因此分割的部分的厚度變得非常厚，由此，可能在片狀絕緣基板7的分割面產(chǎn)生毛刺，或者在規(guī)定的位置產(chǎn)生不能分割的部分，因此具有可能發(fā)生分割不良的課題。

本實(shí)用新型解決上述現(xiàn)有的課題，其目的在于，提供一種抑制分割不良的發(fā)生的芯片電阻器。

-解決課題的手段-

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型由下層的第1保護(hù)膜和上層的第2保護(hù)膜構(gòu)成保護(hù)膜，第1保護(hù)膜設(shè)為與絕緣基板的寬度相同的寬度，第2保護(hù)膜不從絕緣基板露出，進(jìn)一步地，第1保護(hù)膜的厚度比第2保護(hù)膜的厚度薄，并且使第2保護(hù)膜的長(zhǎng)度比第1保護(hù)膜的長(zhǎng)度長(zhǎng)。

-發(fā)明效果-

本實(shí)用新型的芯片電阻器使分割片狀絕緣基板時(shí)同時(shí)被分割(切斷)的第1保護(hù)膜的厚度較薄，因此分割的部分的厚度變薄，由此，起到能夠抑制分割不良的發(fā)生這一優(yōu)良的效果。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的一實(shí)施方式中的芯片電阻器的剖視圖。

圖2是該芯片電阻器的主要部分的俯視圖。

圖3是表示該芯片電阻器的制造方法的一部分的俯視圖。

圖4是表示該芯片電阻器的制造方法的一部分的俯視圖。

圖5是現(xiàn)有的芯片電阻器的剖視圖。

圖6是表示該芯片電阻器的制造方法的一部分的俯視圖。

-符號(hào)說明-

11 絕緣基板

12 一對(duì)上表面電極

13 電阻體

14 保護(hù)膜

14a 第1保護(hù)膜

14b 第2保護(hù)膜

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖來對(duì)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式中的芯片電阻器進(jìn)行說明。

圖1是本實(shí)用新型的一實(shí)施方式中的芯片電阻器的剖視圖，圖2是該芯片電阻器的主要部分的俯視圖。

如圖1、圖2所示，本實(shí)用新型的一實(shí)施方式中的芯片電阻器構(gòu)成為具備：絕緣基板11、設(shè)置于該絕緣基板11的上表面的兩端部的一對(duì)上表面電極12、設(shè)置于所述絕緣基板11的上表面并且形成于所述一對(duì)上表面電極12之間的電阻體13、設(shè)置成至少覆蓋所述電阻體13的保護(hù)膜14、設(shè)置于所述絕緣基板11的兩端面使得與所述一對(duì)上表面電極12電連接的一對(duì)端面電極15、和形成于所述上表面電極12的一部分和所述一對(duì)端面電極15的表面的鍍覆層16。

并且，所述保護(hù)膜14由下層的第1保護(hù)膜14a、和覆蓋第1保護(hù)膜14a的上層的第2保護(hù)膜14b構(gòu)成，所述第1保護(hù)膜14a設(shè)為與所述絕緣基板11的寬度相同的寬度，所述第2保護(hù)膜14b不從所述絕緣基板11露出，進(jìn)一步地，所述第1保護(hù)膜14a的厚度比所述第2保護(hù)膜14b的厚度薄。

另外，在圖2中，省略一對(duì)端面電極15、鍍覆層16，并透視了第2保護(hù)膜14b。

在上述構(gòu)成中，所述絕緣基板11由含有96％的Al₂O₃的氧化鋁構(gòu)成，其形狀為矩形形狀(俯視下為長(zhǎng)方形)。

此外，所述一對(duì)上表面電極12被設(shè)置于絕緣基板11上表面的兩端部，通過對(duì)由銅構(gòu)成的厚膜材料進(jìn)行印刷、燒制而形成。另外，也可以在一對(duì)上表面電極12各自的上面再設(shè)置上表面電極(未圖示)。

進(jìn)一步地，在絕緣基板11的上表面，在一對(duì)上表面電極12之間，通過對(duì)由銅鎳、銀鈀或者氧化釕構(gòu)成的厚膜材料進(jìn)行印刷之后進(jìn)行燒制，從而形成所述電阻體13。另外，也可以在電阻體13設(shè)置電阻值調(diào)整用的修整槽(以下，未圖示)。

并且，所述保護(hù)膜14被設(shè)置為覆蓋一對(duì)上表面電極12的一部分和電阻體13，由下層的第1保護(hù)膜14a和上層的第2保護(hù)膜14b構(gòu)成。

下層的第1保護(hù)膜14a由玻璃或者環(huán)氧樹脂形成，使得覆蓋電阻體13的整體。此外，第1保護(hù)膜14a的寬度是與絕緣基板11的寬度相同的寬度，即，第1保護(hù)膜14a的兩側(cè)面從絕緣基板11的兩側(cè)面露出。

上層的第2保護(hù)膜14b由環(huán)氧樹脂形成，使得覆蓋下層的第1保護(hù)膜14a和一對(duì)上表面電極12的一部分。此外，第2保護(hù)膜14b的寬度比一對(duì)上表面電極12、電阻體13的寬度寬，且比第1保護(hù)膜14a的寬度窄。

因此，第2保護(hù)膜14b位于絕緣基板11的內(nèi)側(cè)，不從絕緣基板11露出。也就是說，第2保護(hù)膜14b位于與絕緣基板11的兩側(cè)面隔開一定的距離，使得不被切斷。

通過該第2保護(hù)膜14b來決定一對(duì)上表面電極12間的距離，并確定最終的電阻值。

并且，第2保護(hù)膜14b的長(zhǎng)度比第1保護(hù)膜14a的長(zhǎng)度長(zhǎng)，第2保護(hù)膜14b在長(zhǎng)度方向覆蓋第1保護(hù)膜14a整體。也就是說，在長(zhǎng)度方向上，第2保護(hù)膜14b的兩個(gè)端部比第1保護(hù)膜14a向外側(cè)方向突出。另外，優(yōu)選第2保護(hù)膜14b的長(zhǎng)度為第1保護(hù)膜14a的長(zhǎng)度的1.1～1.5倍。

由于第2保護(hù)膜14b的寬度比一對(duì)上表面電極12、電阻體13的寬度寬，并且第2保護(hù)膜14b的長(zhǎng)度比第1保護(hù)膜14a的長(zhǎng)度長(zhǎng)，因此第2保護(hù)膜14b能夠具有與絕緣基板11直接相接的位置，由此，第2保護(hù)膜14b的緊貼性提高。此外，其結(jié)果，位于其下層的第1保護(hù)膜14a的緊貼性也能夠更加提高。

進(jìn)一步地，第1保護(hù)膜14a的厚度比第2保護(hù)膜14b的厚度薄。此時(shí)，優(yōu)選第1保護(hù)膜14a的厚度為第2保護(hù)膜14b的厚度的1/5～1/2。若第1保護(hù)膜14a的厚度比該厚度薄則不能得到本實(shí)用新型的效果，若比該厚度厚則分割性惡化。

這里，上述的寬度是指與一對(duì)上表面電極12間的電流流過的方向正交的方向的尺寸，長(zhǎng)度是指一對(duì)上表面電極12間的電流流過的方向的尺寸。

此外，所述一對(duì)端面電極15被設(shè)置于絕緣基板11的兩端面，通過對(duì)由Ag和樹脂構(gòu)成的材料進(jìn)行印刷使得與從保護(hù)膜14露出的一對(duì)上表面電極12的上表面電連接而形成。另外，也可以通過對(duì)金屬材料進(jìn)行濺射來形成。

進(jìn)一步地，在該一對(duì)端面電極15的表面形成由Ni鍍覆層、Sn鍍覆層構(gòu)成的鍍覆層16。此時(shí)，鍍覆層16與保護(hù)膜14相接。另外，也可以在Ni鍍覆層的下層存在Cu鍍覆層。

接下來，參照?qǐng)D3、圖4來對(duì)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式中的芯片電阻器的制造方法進(jìn)行說明。另外，為了使說明簡(jiǎn)單化，在圖3、圖4中，表示芯片電阻器形成為縱3列、橫3列的片狀的部件的俯視圖。

首先，如圖3(a)所示，準(zhǔn)備具有多個(gè)作為分割用的狹縫的縱槽(縱分割部)21a和橫槽(橫分割部)21b并且劃分出多個(gè)相當(dāng)于一個(gè)芯片電阻器的芯片區(qū)域22的片狀絕緣基板21。此外，該芯片區(qū)域22在縱向、橫向上排列多個(gè)。并且，該片狀絕緣基板21由含有96％的Al₂O₃的氧化鋁構(gòu)成。進(jìn)一步地，相當(dāng)于一個(gè)芯片電阻器的絕緣基板11的形狀為矩形形狀(俯視下為長(zhǎng)方形)。另外，縱分割部21a、橫分割部21b也可以不是分割用的狹縫而是切割線或劃片的形成部分，在該情況下，縱分割部21a和橫分割部21b相當(dāng)于切割或劃片的中心部，是通過切割或劃片而被分割的位置。

接下來，如圖3(b)所示，在片狀的絕緣基板21的上表面，印刷并燒制銅系厚膜材料使得橫跨縱槽21a來設(shè)置多個(gè)上表面電極12。

接下來，如圖3(c)所示，在各個(gè)芯片區(qū)域22，通過印刷并燒制銅鎳、銀鈀或者氧化釕中含有玻璃料的糊膏使得將上表面電極12之間電連接，來將厚度5μm～40μm的電阻體13平行于橫槽21b而形成。另外，上表面電極12與電阻體13的形成順序也可以相反。

此外，之后，也可以通過向電阻體13照射激光來形成修整槽，來調(diào)整電阻體13的電阻值。

接下來，如圖4(a)所示，對(duì)玻璃或者環(huán)氧樹脂糊膏進(jìn)行絲網(wǎng)印刷來形成第1保護(hù)膜14a，使得至少上表面電極12的一部分露出并且覆蓋電阻體13。

此時(shí)，第1保護(hù)膜14a設(shè)為帶狀使得位于遍及各芯片區(qū)域22的整個(gè)寬度，以橫跨多個(gè)橫槽21b，與縱向鄰接的芯片區(qū)域22中的第1保護(hù)膜14a連續(xù)。此外，帶狀的第1保護(hù)膜14a與縱槽21a平行。

然后，在使用環(huán)氧樹脂糊膏時(shí)，以200℃來使其固化，在使用玻璃時(shí)，以600℃來進(jìn)行燒制。

接下來，如圖4(b)所示，對(duì)環(huán)氧樹脂糊膏進(jìn)行絲網(wǎng)印刷來形成第2保護(hù)膜14b，使得覆蓋下層的第1保護(hù)膜14a和一對(duì)上表面電極12的一部分。

此時(shí)，不橫跨橫槽21b或縱槽21a地、即與橫槽21b隔開一定的距離地使其位于芯片區(qū)域22的內(nèi)側(cè)，來分別獨(dú)立形成多個(gè)第2保護(hù)膜14b。使第2保護(hù)膜14b的寬度比一對(duì)上表面電極12、電阻體13的寬度寬，并且比第1保護(hù)膜14a的寬度窄。并且，使第2保護(hù)膜14b的長(zhǎng)度比第1保護(hù)膜14a的長(zhǎng)度長(zhǎng)。進(jìn)一步地，使第2保護(hù)膜14b的厚度比第1保護(hù)膜14a的厚度厚。

然后，以200℃來使環(huán)氧樹脂糊膏固化。

接下來，通過縱槽(縱分割部)21a和橫槽(橫分割部)21b來分割片狀絕緣基板21，并且如圖1所示，形成一對(duì)端面電極15、鍍覆層16來得到多個(gè)單片狀的芯片電阻器。

這里，由于第2保護(hù)膜14b位于與橫槽21b、即作為絕緣基板11的兩側(cè)面的部分隔開一定的距離，因此在沿著橫槽21b分割時(shí)不會(huì)被切斷。

如上所述，在本實(shí)用新型的一實(shí)施方式中，由于使與分割片狀絕緣基板21時(shí)同時(shí)被切斷的第1保護(hù)膜14a的厚度較薄，因此分割、切斷的部分的厚度變薄，由此，能夠減少在片狀絕緣基板的分割面產(chǎn)生毛刺或者在規(guī)定的位置產(chǎn)生不能分割的部分的可能性，因此能夠得到能夠抑制分割不良的發(fā)生的效果。

并且，厚度較薄的第1保護(hù)膜14a對(duì)于分割性沒有影響，于此同時(shí)，通過厚度較厚并且獨(dú)立的第2保護(hù)膜14b能夠更可靠地保護(hù)電阻體13等。

這里，在電阻值較低的情況下，由于電阻體13的厚度變厚，因此為了保護(hù)電阻體13的邊緣部分(兩端部)，需要使保護(hù)膜14的厚度較厚。在本實(shí)用新型中，由于第1保護(hù)膜14a的厚度較薄而導(dǎo)致電阻體13的邊緣部分可能從第1保護(hù)膜14a露出，但是通過厚度比第1保護(hù)膜14a厚并且長(zhǎng)度比第1保護(hù)膜14a長(zhǎng)的第2保護(hù)膜14b，能夠可靠地保護(hù)電阻體13的邊緣部分。

并且，由于第2保護(hù)膜14b獨(dú)立(未從絕緣基板11露出)，因此不會(huì)被切斷，即使厚度較厚也不會(huì)影響分割性。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本實(shí)用新型所涉及的芯片電阻器具有能夠抑制分割不良的發(fā)生的效果，特別地，在被用于各種電子設(shè)備的由低電阻值的厚膜電阻體形成的芯片電阻器等中有用。