1.一種基于SPiN二極管的SOI基可重構等離子全息天線，其特征在于，包括：
Si基SOI半導體基片(1)；
制作在所述Si基SOI半導體基片(1)上的第一天線臂(2)、第二天線臂(3)、同軸饋線(4)及全息圓環(huán)(14)；
其中，所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)包括分布在所述同軸饋線(4)兩側(cè)且等長的SPiN二極管串，所述全息圓環(huán)(14)包括多個SPiN二極管串(w7)。
2.如權利要求1所述的天線，其特征在于，所述全息圓環(huán)(14)為由八段等長的SPiN二極管串排列形成正八邊形結(jié)構，其中，所述正八邊形的邊長與所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)長度之和相同。
3.如權利要求1所述的天線，其特征在于，所述全息圓環(huán)(14)為由多個等長的SPiN二極管串構成并形成正多邊形結(jié)構，所述正多邊形的外接圓的半徑為所述天線接收或發(fā)送的電磁波波長的四分之三。
4.如權利要求1所述的天線，其特征在于，所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)沿所述同軸饋線(4)軸對稱分布且包括相同數(shù)量的SPiN二極管串。
5.如權利要求4所述的天線，其特征在于，還包括制作于所述Si基SOI半導體基片(1)的直流偏置線(5、6、7、8、9、10、11、12)；所述直流偏置線(5、6、7、8、9、10、11、12)間隔性的電連接至所述SPiN二極管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6)兩端。
6.如權利要求5所述的天線，其特征在于，所述直流偏置線(5、6、7、8、9、10、11、12)采用化學氣相淀積的方法制作于所述Si基SOI半導體基片(1)上，其材料為銅、鋁或經(jīng)過摻雜的多晶硅中的任意一種。
7.如權利要求1所述的天線，其特征在于，構成所述SPiN二極管串的SPiN二極管包括P+區(qū)(27)、N+區(qū)(26)和本征區(qū)(22)，且還包括第一金屬接觸區(qū)(23)和第二金屬接觸區(qū)(24)；其中，
所述第一金屬接觸區(qū)(23)分別電連接所述P+區(qū)(27)與正電壓，所述第二金屬接觸區(qū)(24)分別電連接所述N+區(qū)(26)與負電壓，以使對應SPiN二極管串兩端被施加電壓后其所有SPiN二極管處于正向?qū)顟B(tài)。
8.如權利要求1所述的天線，其特征在于，所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)的導通長度根據(jù)預接收或發(fā)送的電磁波波長所確定。