1.一種高遷移率氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
基板；
設(shè)置于所述基板上的氮化鋁晶種層；
設(shè)置于所述氮化鋁晶種層上的緩沖層；
設(shè)置于所述緩沖層上的非有意摻雜氮化鎵層；
設(shè)置于所述非有意摻雜氮化鎵層上的通道層，所述通道層為氮化銦鎵層、氮化鋁鎵層或復(fù)合層；
設(shè)置于所述通道層上的第二氮化鋁鎵層；
以及設(shè)置于所述第二氮化鋁鎵層上的氮化鎵帽層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高遷移率氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述復(fù)合層為多層交替層疊的氮化銦鎵層和氮化鋁鎵層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高遷移率氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述復(fù)合層的層數(shù)為2-20層，厚度為0.1μm-0.5μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高遷移率氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層的材質(zhì)為氮化鎵、氮化鋁或氮化鎵鋁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高遷移率氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述非有意摻雜氮化鎵層包含多層的應(yīng)變控制層和多層的掩蔽層，所述應(yīng)變控制層的層數(shù)≥0；所述掩蔽層的層數(shù)≥0。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高遷移率氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述氮化鎵帽層為p型氮化鎵層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的高遷移率氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基板的材質(zhì)為硅。