技術(shù)編號：12833810
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種高遷移率氮化鎵半導(dǎo)體器件及其制備方法。背景技術(shù)現(xiàn)有的電力半導(dǎo)體市場以硅的功率器件為主，過去20年，硅功率器件每隔十年提高5-6倍的電力密度，但已經(jīng)接近理論極限，很難期待接下來的性能方面的改進。相比硅或砷化鎵，GaN半導(dǎo)體具有能隙(Eg＝3.4eV)寬，高溫中穩(wěn)定等優(yōu)點。另外，相對硅電力半導(dǎo)體，GaN電力半導(dǎo)體具有低溫抵抗特性，這具有隨著電力半導(dǎo)體而產(chǎn)生的轉(zhuǎn)換損失最少化及系統(tǒng)消費電力最少化等優(yōu)點。GaN半導(dǎo)體器件通過小型化，高電壓，高速轉(zhuǎn)換來實現(xiàn)低損失，...
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