本實(shí)用新型涉及一種繼電器，尤其涉及一種PWM板內(nèi)置式繼電器。

背景技術(shù)：

Pulse Width Modulation脈寬調(diào)制，簡(jiǎn)稱(chēng)PWM，是利用微處理器的數(shù)字輸出來(lái)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)，有效的節(jié)省輸入功率，廣泛應(yīng)用在從測(cè)量、通信到功率控制與變換的許多領(lǐng)域中。

現(xiàn)有繼電器的電路板有的也使用PWM板，例如現(xiàn)有的高壓直流繼電器通常是將PWM板置于外殼外，并將與外殼內(nèi)部的線(xiàn)圈進(jìn)行接進(jìn)而控制線(xiàn)圈的通斷電，達(dá)到對(duì)繼電器控制的目的；但是，由于外部環(huán)境因素會(huì)對(duì)PWM板影響較大，PWM板外置會(huì)降低PWM板的工作穩(wěn)定性及縮短工作壽命，從而導(dǎo)致繼電器的使用壽命較短。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種PWM板內(nèi)置式繼電器，其PWM板內(nèi)置式可減少環(huán)境因素的影響，有效地延長(zhǎng)繼電器的使用壽命。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的PWM板內(nèi)置式繼電器包括外殼、PWM板及線(xiàn)圈，所述外殼具有真空內(nèi)腔，所述PWM板內(nèi)置于所述真空內(nèi)腔內(nèi)并與所述線(xiàn)圈電連接，并控制與所述線(xiàn)圈連接的電路的通斷。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本實(shí)用新型通過(guò)將所述PWM板內(nèi)置于所述繼電器的外殼內(nèi)，由于所述外殼的內(nèi)部為真空內(nèi)腔，在正常情況下，所述真空內(nèi)腔會(huì)抽真空后再充入惰性氣體，從而可以使所述真空內(nèi)腔的內(nèi)部環(huán)境非常穩(wěn)定，進(jìn)而保證所述PWM板受環(huán)境因素的影響極小，使所述PWM板工作更穩(wěn)定，有效地延長(zhǎng)使用壽命。

較佳地，所述PWM板設(shè)置位置于所述真空內(nèi)腔的底部或者頂部或者側(cè)面。

較佳地，所述PWM板內(nèi)置式繼電器還包括保護(hù)外罩，所述保護(hù)外罩包覆于所述外殼外。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的PWM板內(nèi)置式繼電器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)的效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說(shuō)明。

如圖1所示，本實(shí)用新型PWM板內(nèi)置式繼電器100包括外殼1、PWM板2及線(xiàn)圈3，所述外殼1具有真空內(nèi)腔11，所述PWM板2內(nèi)置于所述真空內(nèi)腔11內(nèi)并與所述線(xiàn)圈3電連接，并控制與所述線(xiàn)圈3連接的電路的通斷。

所述PWM板2設(shè)置于所述真空內(nèi)腔11的底部、頂部或側(cè)面。

所述PWM板內(nèi)置式繼電器100還包括保護(hù)外罩4，所述保護(hù)外罩4包覆于所述外殼1外。所述保護(hù)外罩4可起到保護(hù)所述外殼1的作用。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本實(shí)用新型通過(guò)將所述PWM板2內(nèi)置于所述繼電器的外殼1內(nèi)，由于所述外殼1的內(nèi)部為真空內(nèi)腔11，在正常情況下，所述真空內(nèi)腔11會(huì)在抽真空后再充入惰性氣體，從而可以使所述真空內(nèi)腔11的內(nèi)部環(huán)境非常穩(wěn)定，進(jìn)而保證所述PWM板2受環(huán)境因素的影響極小，使所述PWM板2工作更穩(wěn)定，有效地延長(zhǎng)使用壽命。

本實(shí)用新型PWM板內(nèi)置式繼電器100所涉及到繼電器的其他結(jié)構(gòu)均為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所熟知，在此不再做詳細(xì)的說(shuō)明。

以上所揭露的僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本實(shí)用新型之權(quán)利范圍，因此依本實(shí)用新型申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所作的等同變化，仍屬于本實(shí)用新型所涵蓋的范圍。