技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開了一種鈍化層結(jié)構(gòu)，采用二氧化硅鈍化膜、第一氮化硅鈍化膜、第二氮化硅鈍化膜、氮氧化硅鈍化膜組成的疊層鈍化膜結(jié)構(gòu)，從而克服了氮化硅鈍化膜的界面缺陷密度高和硅氫鍵不穩(wěn)定的缺點(diǎn)，解決了二氧化硅鈍化膜金屬離子阻擋能力差，易吸附水氣，光的減反效果不好等缺點(diǎn)。提高了太陽能電池抗PID的效果。其中，氮氧化硅是介于氮化硅和二氧化硅間的一種物質(zhì)，其折射率可在1.47(SiO2)～2.3(SiNx)之間。優(yōu)化制膜工藝形成富氮的SiOxNy薄膜，結(jié)構(gòu)與性能上趨向SiNx膜保留了SiO2的膜部分優(yōu)點(diǎn)，提高了薄膜的物理與電學(xué)性能，可以使晶體硅的轉(zhuǎn)化效率提高0.2％。并且本實(shí)用新型采用雙層結(jié)構(gòu)的二氧化硅鈍化膜，能進(jìn)一步提高其金屬離子的阻擋能力及光的減反效果。

技術(shù)研發(fā)人員：吳翔;陳璐;郭永剛;王舉亮;劉軍寶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：國家電投集團(tuán)西安太陽能電力有限公司
文檔號(hào)碼：201621172134
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.26
技術(shù)公布日：2017.05.03