本實(shí)用新型涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鈍化層結(jié)構(gòu)及背表面鈍化結(jié)構(gòu)的太陽能電池。
背景技術(shù)：
光伏發(fā)電是當(dāng)前利用太陽能的主要方式之一，太陽能光伏發(fā)電因其清潔、安全、便利、高效等特點(diǎn)，已成為世界各國普遍關(guān)注和重點(diǎn)發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)。因此，深入研究和利用太陽能資源，對(duì)緩解資源危機(jī)、改善生態(tài)環(huán)境具有十分重要的意義。
然而，電位誘發(fā)衰減效應(yīng)(PID,Potential Induced Degradation)卻嚴(yán)重地影響了太陽能電池的壽命和性能。PID效應(yīng)最早在2005年發(fā)現(xiàn)，指的是太陽能電池組件在野外環(huán)境和高電壓作用下，由于高溫、潮濕和逆變器陣列接地方式，引起的太陽能電池組件嚴(yán)重的腐蝕和功率的衰減。
電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的原因主要?dú)w結(jié)于太陽能電池組件的封裝材料－玻璃，玻璃內(nèi)部的鈉離子往太陽能電池運(yùn)動(dòng)，破壞電池的p－n結(jié)，從而導(dǎo)致功率的衰減。針對(duì)這個(gè)問題，出現(xiàn)了以下兩種抗PID技術(shù)：
1、高折射率氮化硅減反膜，這種高折射率的氮化硅減反膜致密性高，能起到阻擋鈉離子的效果；
2、二氧化硅/氮化硅疊層技術(shù)，這種復(fù)合膜阻擋鈉離子的效果比前者稍好。
但是，由于目前電站企業(yè)對(duì)組件的抗PID的要求越來越高，上述方法已經(jīng)難以滿足市場(chǎng)需求，因此急需開發(fā)更優(yōu)異抗PID性能的電池。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型的目的在于提供一種鈍化層結(jié)構(gòu)及背表面鈍化結(jié)構(gòu)的太陽能電池，以提高太陽能電池的抗PID效果。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下：
一種鈍化層結(jié)構(gòu)，包括：
二氧化硅鈍化膜，沉積在一晶體硅襯底上；
第一氮化硅鈍化膜，沉積在所述二氧化硅鈍化膜上；
第二氮化硅鈍化膜，沉積在所述第一氮化硅鈍化膜上；
氮氧化硅鈍化膜，沉積在所述第二氮化硅鈍化膜上。
在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述二氧化硅鈍化膜的厚度為3-5納米，其折射率為1.4～1.46。
在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一氮化硅鈍化膜的厚度為15-20納米，其折射率為2.2～2.3。
在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述第二氮化硅鈍化膜的厚度為50-60納米，其折射率為2.0～2.1。
在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述氮氧化硅鈍化膜的厚度為10-15納米，其折射率為1.9～2.0。
一種背表面鈍化結(jié)構(gòu)的太陽能電池，包括晶體硅襯底、局部鋁背場(chǎng)以及上述的鈍化層結(jié)構(gòu)；其中，所述鈍化層結(jié)構(gòu)和所述局部鋁背場(chǎng)依次沉積在所述晶體硅襯底的背表面上。
本實(shí)用新型由于采用以上技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點(diǎn)和積極效果：
1)本實(shí)用新型提供的鈍化層結(jié)構(gòu)采用二氧化硅鈍化膜、第一氮化硅鈍化膜、第二氮化硅鈍化膜、氮氧化硅鈍化膜組成的疊層鈍化膜結(jié)構(gòu)，從而克服了氮化硅鈍化膜的界面缺陷密度高和硅氫鍵不穩(wěn)定的缺點(diǎn)，解決了二氧化硅鈍化膜金屬離子阻擋能力差，易吸附水氣，光的減反效果不好等缺點(diǎn)。提高了太陽能電池抗PID的效果。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的鈍化層結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
標(biāo)號(hào)說明：
101－晶體硅襯底，102－二氧化硅鈍化膜，103－第一氮化硅鈍化膜，104－第二氮化硅鈍化膜，105－氮氧化硅鈍化膜
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提出的鈍化層結(jié)構(gòu)及背表面鈍化結(jié)構(gòu)的太陽能電池作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用于方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
請(qǐng)參考圖1，其中，圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的鈍化層結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，本實(shí)用新型提供的鈍化層結(jié)構(gòu)，包括：
二氧化硅鈍化膜102，沉積在一晶體硅襯底101上；
第一氮化硅鈍化膜103，沉積在所述二氧化硅鈍化膜102上；
第二氮化硅鈍化膜104，沉積在所述第一氮化硅鈍化膜103上；
氮氧化硅鈍化膜105，沉積在所述第二氮化硅鈍化膜104上。
作為優(yōu)選實(shí)施例，所述二氧化硅鈍化膜102的厚度為3-5納米，其折射率為1.4～1.46。所述第一氮化硅鈍化膜103的厚度為15-20納米，其折射率為2.2～2.3。所述第二氮化硅鈍化膜104的厚度為50-60納米，其折射率為2.0～2.1。所述氮氧化硅鈍化膜105的厚度為10-15納米，其折射率為1.9～2.0。
同時(shí)，本實(shí)用新型還提供了一種背表面鈍化結(jié)構(gòu)的太陽能電池，包括晶體硅襯底、局部鋁背場(chǎng)以及上述的鈍化層結(jié)構(gòu)；其中，所述鈍化層結(jié)構(gòu)和所述局部鋁背場(chǎng)依次沉積在所述晶體硅襯底的背表面上。
本實(shí)用新型提供的鈍化層結(jié)構(gòu)采用二氧化硅鈍化膜、第一氮化硅鈍化膜、第二氮化硅鈍化膜、氮氧化硅鈍化膜組成的疊層鈍化膜結(jié)構(gòu)，從而克服了氮化硅鈍化膜的界面缺陷密度高和硅氫鍵不穩(wěn)定的缺點(diǎn)，解決了二氧化硅鈍化膜金屬離子阻擋能力差，易吸附水氣，光的減反效果不好等缺點(diǎn)。提高了太陽能電池抗PID的效果。其中，氮氧化硅是介于氮化硅和二氧化硅間的一種物質(zhì)，其電學(xué)性能和光學(xué)性能介于兩者之間，通過改變其組成成分，可使其折射率控制在1.47(SiO2)～2.3(SiNx)之間。優(yōu)化制膜工藝形成富氮的SiOxNy薄膜，結(jié)構(gòu)與性能上趨向SiNx膜保留了SiO2的膜部分優(yōu)點(diǎn)，提高了薄膜的物理與電學(xué)性能，可以使晶體硅的轉(zhuǎn)化效率提高0.2％。并且本實(shí)用新型采用雙層結(jié)構(gòu)的二氧化硅鈍化膜，能進(jìn)一步提高其金屬離子的阻擋能力及光的減反效果。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。