本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有組分和厚度漸變應(yīng)力釋放層的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(簡稱“LED”)是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件，它利用半導(dǎo)體材料內(nèi)部的導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴發(fā)生輻射復(fù)合，是以光子形式釋放能量而直接發(fā)光的。通過設(shè)計(jì)不同的半導(dǎo)體材料禁帶寬度，發(fā)光二極管可以發(fā)射從紅外到紫外不同波段的光。

氮化物發(fā)光二極管以其具有高效、節(jié)能、長壽命以及體積小等優(yōu)點(diǎn)，在世界范圍內(nèi)得到廣泛發(fā)展。發(fā)光波長在210～365nm的紫外發(fā)光二極管，因其調(diào)制頻率高、體積小、無汞環(huán)保以及高殺菌潛力等優(yōu)點(diǎn)，在殺菌消毒、生物醫(yī)藥、照明、存儲和通信等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景；發(fā)光波長在440～470nm的藍(lán)光發(fā)光二極管因其能耗低、壽命長以及環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，在照明、亮化以及顯示領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用前景；發(fā)光波長在500～550nm的綠光發(fā)光二極管，在亮化和顯示以及RGB三基色照明領(lǐng)域也有非常好的應(yīng)用前景。

目前GaN基LED的內(nèi)量子效率很低，特別是綠光LED的內(nèi)量子效率不到藍(lán)光LED效率的一半，這大大限制了RGB白光LED在通用照明和可見光通信領(lǐng)域的應(yīng)用。現(xiàn)有技術(shù)LED外延結(jié)構(gòu)如圖1所示，由襯底1、GaN成核層2、非故意摻雜GaN層3、N型GaN導(dǎo)電層4、多量子阱有源層5和P型GaN導(dǎo)電層6依次連接組成；所述多量子阱有源層5由InGaN勢阱層和GaN勢壘層重復(fù)交替組成。InGaN勢阱層與GaN勢壘層晶格失配度大，存在較大的應(yīng)力，導(dǎo)致綠光LED量子效率低的主要原因有InGaN量子阱晶體質(zhì)量差、極化電場等造成的電子-空穴波函數(shù)分離嚴(yán)重等。世界各國科學(xué)家為了提高LED的量子效率投入了大量精力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型針對現(xiàn)有GaN基發(fā)光二極管外延片InGaN阱與GaN晶格失配度大，InGaN量子阱能帶傾斜，電子-空穴波函數(shù)分離嚴(yán)重導(dǎo)致的內(nèi)量子效率低的問題，提提供一種可以有效釋放量子阱的應(yīng)力，提高內(nèi)量子效率，保證阱層厚度小于其臨界層，降低缺陷密度，提高發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率的一種具有梯度組分和厚度應(yīng)力釋放層的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型目的通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種具有梯度組分和厚度應(yīng)力釋放層的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，自下而上依次為藍(lán)寶石襯底、GaN成核層、非故意摻雜GaN層、N型GaN導(dǎo)電層、應(yīng)力釋放層、InGaN/GaN多量子阱有源層和P型GaN導(dǎo)電層；其中，應(yīng)力釋放層由InGaN勢阱層和GaN勢壘層交替組成；多量子阱有源層由InGaN勢阱層和GaN勢壘層交替組成，其InGaN勢阱層的厚度保持不變；

應(yīng)力釋放層的InGaN勢阱層的單層厚度為3.4-2.6nm；從下到上厚度逐漸降低；應(yīng)力釋放層的GaN勢壘層的單層厚度為10-16nm。

為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的，優(yōu)選地，所述GaN成核層的厚度為25-40nm。

優(yōu)選地，所述非故意摻雜GaN層的厚度為2-3um。

優(yōu)選地，所述N型GaN導(dǎo)電層的厚度為2-3um。

優(yōu)選地，所述多量子阱有源層的InGaN勢阱層的單層厚度為2.4-2.6nm；所述多量子阱有源層的GaN勢壘層的單層厚度為10-16nm。

所述P型GaN導(dǎo)電層的厚度為100-200nm。

所述一種具有梯度組分和厚度應(yīng)力釋放層的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：

(1).將藍(lán)寶石襯底放入金屬有機(jī)化學(xué)氣相化學(xué)沉積設(shè)備中，通入氫氣，反應(yīng)室溫度升高到1100-1200℃，對襯底片進(jìn)行高溫清洗；

(2).將溫度降低到500-600℃，反應(yīng)室通入氨氣、氫氣和三甲基鎵，在步驟(1)所述的襯底片上生長GaN成核層；

(3).將反應(yīng)室溫度提高到1050-1150℃，通入氨氣、氫氣和三甲基鎵，在步驟(2)所述的成核層上生長非故意摻雜GaN層；

(4).反應(yīng)室通入硅烷、氨氣、氫氣和三甲基鎵，在步驟(3)所述的非故意摻雜GaN層上生長N型GaN導(dǎo)電層，硅的摻雜濃度5×10¹⁸-9×10¹⁸cm^-3；

(5).重復(fù)依次進(jìn)行的步驟(5a)和(5b)多次，得到多周期組分和厚度漸變的應(yīng)力釋放層：

(5a)反應(yīng)室溫度降低到750-710℃，通入氨氣、氮?dú)?、三甲基鎵和三甲基銦，流量分別是20-30升/分鐘、15-20升/分鐘、4-5cc和400-600cc，生長InGaN勢阱層，重復(fù)一次溫度降低一次；每次生長的InGaN勢阱層厚度控制為3.4-2.6nm；重復(fù)一次厚度降低一次；

(5b).反應(yīng)室溫度提高到830-870℃，通入氨氣、氮?dú)夂腿谆?，流量分別為20-30升/分鐘、15-20升/分鐘和10-15cc，在步驟(5a)所述的InGaN勢阱層上生長GaN勢壘層，控制厚度為10-16nm；

(6).重復(fù)依次進(jìn)行的步驟(6a)和步驟(6b)多次，得到InGaN/GaN多量子阱有源層：

(6a).反應(yīng)室溫度降低到700-710℃，通入氨氣、氮?dú)?、三甲基鎵和三甲基銦，生長InGaN勢阱層；

(6b).反應(yīng)室溫度提高到830-870℃，通入氨氣、氮?dú)狻⑷谆?，生長GaN勢壘層；

(7)反應(yīng)室通入二茂鎂、氨氣、氮?dú)馊谆墸瑴囟忍岣叩?30-980℃，在步驟(6)所述的InGaN/GaN多量子阱有源層上生長P型GaN導(dǎo)電層，鎂的摻雜濃度為3×10¹⁹-7×10¹⁹cm^-3。

優(yōu)選地，步驟(2)反應(yīng)室通入氨氣、氫氣和三甲基鎵的流量分別是3-4升/分鐘、20-25升/分鐘和25-35cc；步驟(3)通入氨氣、氫氣和三甲基鎵的流量分別是12-14升/分鐘、25-35升/分鐘和120-150cc；步驟(4)通入硅烷、氨氣、氫氣和三甲基鎵的流量分別是6cc-12cc、12-14升/分鐘、25-35升/分鐘和120-150cc。

優(yōu)選地，步驟(6a)通入氨氣、氮?dú)?、三甲基鎵和三甲基銦的流量分別是20-30升/分鐘、15-20升/分鐘、4-5cc和400-600cc；步驟(6b)通入氨氣、氮?dú)?、三甲基鎵的流量分別為20-30升/分鐘、15-20升/分鐘和10-15cc。

優(yōu)選地，步驟(7)通入二茂鎂、氨氣、氮?dú)馊谆壍牧髁糠謩e是700-750cc、15-25升/分鐘、20-30升/分鐘和55-65cc；步驟(5)依次進(jìn)行的步驟(5a)和(5b)重復(fù)2-20次。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)效果：

本實(shí)用新型針對現(xiàn)有GaN基發(fā)光二極管外延片InGaN量子阱與GaN量子壘的晶格失配度大，阱層缺陷密度高導(dǎo)致的內(nèi)量子效率低等問題，提出一種具有組分厚度漸變應(yīng)力釋放層的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型應(yīng)力釋放層組分逐漸提高到與發(fā)光量子阱銦組分一致，使應(yīng)力釋放層的阱層晶格常數(shù)逐漸提高到與發(fā)光量子阱層的晶格常數(shù)一致，可以有效釋放量子阱的應(yīng)力，提高內(nèi)量子效率，同時(shí)所述應(yīng)力釋放層的厚度逐漸減小，保證阱層厚度小于其臨界層，降低缺陷密度，提高發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實(shí)用新型應(yīng)力釋放層和多量子阱有源區(qū)示意圖，在圖3中，橫坐標(biāo)是時(shí)間，左側(cè)縱坐標(biāo)為溫度，右側(cè)縱坐標(biāo)為銦組分，圖中實(shí)線是生長溫度，虛線為銦組分。

圖4是本實(shí)用新型發(fā)光二極管和傳統(tǒng)發(fā)光二極管的光致發(fā)光光譜圖，在圖4中，縱坐標(biāo)為相對光強(qiáng)，橫坐標(biāo)是波長，單位是nm，圖中實(shí)線為常規(guī)發(fā)光二極管的光譜圖，虛線為本實(shí)用新型發(fā)光二極管的光譜圖。

圖中示出：襯底1、GaN成核層2、非故意摻雜GaN層3、N型GaN導(dǎo)電層4、多量子阱有源層5、P型GaN導(dǎo)電層6、應(yīng)力釋放層7。

具體實(shí)施方式

為更好地理解本實(shí)用新型，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。

如圖2所示，一種具有梯度組分和厚度應(yīng)力釋放層的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，自下而上依次為藍(lán)寶石襯底1、GaN成核層2、非故意摻雜GaN層3、N型GaN導(dǎo)電層4、應(yīng)力釋放層7、InGaN/GaN多量子阱有源層5和P型GaN導(dǎo)電層6；其中，應(yīng)力釋放層7由InGaN勢阱層和GaN勢壘層交替組成，且InGaN勢阱層的厚度逐漸變小；多量子阱有源層5由InGaN勢阱層和GaN勢壘層交替組成，但I(xiàn)nGaN勢阱層的厚度保持不變。

優(yōu)選地，GaN成核層2的厚度為25-40nm；非故意摻雜GaN層3的厚度為2-3um；N型GaN導(dǎo)電層4的厚度為2-3um；應(yīng)力釋放層7的InGaN勢阱層的單層厚度為3.4-2.6nm；從下到上厚度逐漸降低；應(yīng)力釋放層7的GaN勢壘層的單層厚度為10-16nm；多量子阱有源層5的InGaN勢阱層的單層厚度為2.4-2.6nm；多量子阱有源層5的GaN勢壘層的單層厚度為10-16nm；P型GaN導(dǎo)電層6的厚度為100-200nm。

實(shí)施例1

具有組分和厚度漸變應(yīng)力釋放層的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：

(1).將藍(lán)寶石襯底1放入金屬有機(jī)化學(xué)氣相化學(xué)沉積設(shè)備(維易科K465型)中，反應(yīng)室壓力100mbar，通入氫氣，流量22升/分鐘，反應(yīng)室溫度升高到1200℃，對襯底片進(jìn)行高溫清洗。

(2).將溫度降低到550℃，控制反應(yīng)室壓力為550mbar，通入氨氣、氫氣和三甲基鎵，流量分別是5升/分鐘，18升/分鐘和26cc，在步驟(1)所述的襯底片上生長30nm的GaN成核層2。

(3).將反應(yīng)室溫度提高到1100℃，控制反應(yīng)室壓力為200mbar，通入氨氣、氫氣和三甲基鎵，流量分別是20升/分鐘、24升/分鐘和160cc，在步驟(2)所述的GaN成核層上生長2um的非故意摻雜GaN層3。

(4).將反應(yīng)室溫度降低到1080℃控制反應(yīng)室壓力為200mbar，通入硅烷(SiH₄)、氨氣、氫氣和三甲基鎵，流量分別是10cc、20升/分鐘、24升/分鐘和160cc，在步驟(3)所述的非故意摻雜GaN層上生長N型GaN導(dǎo)電層4，厚度2um，摻雜濃度8×10¹⁸cm^-3。

(5).重復(fù)如下步驟(5a)、(5b)5次，得到5周期組分和厚度漸變的應(yīng)力釋放層7：

(5a).反應(yīng)室溫度降低到750℃，通入氨氣、氮?dú)?、三甲基鎵和三甲基銦，流量分別是26升/分鐘、17升/分鐘、4.5cc和500cc，首次在步驟(4)所述的N型GaN導(dǎo)電層4上生長InGaN勢阱層，重復(fù)時(shí)在步驟(5b)的GaN勢壘層上生長InGaN勢阱層；

(5b).反應(yīng)室溫度提高到850℃，通入氨氣、氮?dú)夂腿谆?，流量分別是26升/分鐘、17升/分鐘、10cc，在步驟(5a)所述的InGaN勢阱層上生長GaN勢壘層，單層厚度14nm。

5次步驟(5a)InGaN勢阱層的生長溫度分別控制為750、740、730、720、710℃，厚度分別為3.4、3.2、3.0、2.8、2.6nm；GaN多量子阱勢壘層的溫度保持850℃，厚度保持14nm。

(6).循環(huán)重復(fù)步驟(6a)、步驟(6b)8次，得到InGaN/GaN多量子阱有源層5：

(6a).反應(yīng)室溫度降低到700℃，通入氨氣、氮?dú)?、三甲基鎵和三甲基銦，流量分別是26升/分鐘、17升/分鐘、4.5cc和500cc，首次在在步驟(5)的應(yīng)力釋放層上生長InGaN勢阱層，重復(fù)時(shí)在步驟(6b)的GaN勢壘層生長InGaN勢阱層，單層厚度2.4nm；

(6b).反應(yīng)室溫度提高到850℃，通入氨氣、氮?dú)夂腿谆?，流量分別是26升/分鐘、17升/分鐘和10cc，在步驟6a)所述的InGaN勢阱層6上生長GaN勢壘層，單層厚度14nm。

(7).反應(yīng)室壓力100mbar，通入二茂鎂、氨氣、氮?dú)夂腿谆?，流量分別是720cc、20升/分鐘、24升/分鐘和60cc，溫度提高到950℃，在步驟(6)所述的InGaN/GaN多量子阱有源層5上生長P型GaN導(dǎo)電層6，厚度200nm，摻雜濃度5×10¹⁹cm^-3。

本實(shí)施例中，應(yīng)力釋放層7是由InGaN勢阱層和GaN勢壘層交替組成，且從下到上InGaN勢阱層的厚度逐漸變?。欢嗔孔于逵性磳?是由InGaN勢阱層和GaN勢壘層交替組成，但I(xiàn)nGaN勢阱層的厚度保持不變。本實(shí)用新型中，應(yīng)力釋放層7中的InGaN勢阱層生長溫度逐漸下降，InGaN勢阱層的銦組分逐步提高，其晶格常數(shù)逐漸接近多量子阱有源層的InGaN勢阱層的晶格常數(shù)，可以逐步釋放應(yīng)力，提高有源區(qū)的發(fā)光效率。應(yīng)力釋放層7中的InGaN勢阱層厚度逐漸減小，可以避免銦組分提高導(dǎo)致的缺陷密度增加，因此本實(shí)施例的應(yīng)力釋放層可以減小多量子阱有源層的應(yīng)力，同時(shí)不明顯增加缺陷密度，二者結(jié)合，提高了發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度，如圖3所示。

圖3為本實(shí)施例應(yīng)力釋放層7和多量子阱有源層5示意圖，在圖3中，橫坐標(biāo)是時(shí)間，左側(cè)縱坐標(biāo)為溫度，右側(cè)縱坐標(biāo)為銦組分，圖中實(shí)線是生長溫度，虛線為銦組分；圖3中應(yīng)力釋放層的InGaN勢阱層厚度逐漸減薄，銦組分逐漸提高。

實(shí)施例1制備的發(fā)光二極管外延片經(jīng)過光致發(fā)光譜測試結(jié)果如圖4所示，在圖4中，縱坐標(biāo)為相對光強(qiáng)，橫坐標(biāo)是波長，單位是nm，圖4中實(shí)線為常規(guī)發(fā)光二極管的光譜圖，虛線為本實(shí)施例1發(fā)光二極管的光譜圖。可以看出，本實(shí)用新型的具有組分厚度漸變應(yīng)力釋放層的發(fā)光二極管和傳統(tǒng)發(fā)光二極管相比，可以減小有源區(qū)的應(yīng)力，提高發(fā)光效率。圖4中，本實(shí)用新型的積分光致發(fā)光強(qiáng)度比現(xiàn)有技術(shù)的常規(guī)發(fā)光二極管提高39％，可以進(jìn)一步降低發(fā)光二極管的能耗，節(jié)能環(huán)保。

實(shí)施例2

具有組分和厚度漸變應(yīng)力釋放層的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：

(1).將藍(lán)寶石襯底1放入金屬有機(jī)化學(xué)氣相化學(xué)沉積設(shè)備(維易科K465型)中，反應(yīng)室壓力100mbar，通入氫氣，流量22升/分鐘，反應(yīng)室溫度升高到1100℃，對襯底片進(jìn)行高溫清洗。

(2).將溫度降低到500℃，控制反應(yīng)室壓力為550mbar，通入氨氣、氫氣和三甲基鎵，流量分別是5升/分鐘，18升/分鐘和26cc，在步驟(1)所述的襯底片上生長25nm的GaN成核層2。

(3).將反應(yīng)室溫度提高到1050℃，控制反應(yīng)室壓力為200mbar，通入氨氣、氫氣和三甲基鎵，流量分別是20升/分鐘、24升/分鐘和160cc，在步驟(2)所述的GaN成核層上生長2um的非故意摻雜GaN層3。

(4).將反應(yīng)室溫度保持1050℃，控制反應(yīng)室壓力為200mbar，通入硅烷(SiH₄)、氨氣、氫氣和三甲基鎵，流量分別是10cc、20升/分鐘、24升/分鐘和160cc，在步驟(3)所述的非故意摻雜GaN層上生長N型GaN導(dǎo)電層4，厚度2um，摻雜濃度8×10¹⁸cm^-3。

(5).重復(fù)如下步驟(5a)、(5b)3次，得到3周期組分和厚度漸變的應(yīng)力釋放層7：

(5a).反應(yīng)室溫度降低到750℃，通入氨氣、氮?dú)?、三甲基鎵和三甲基銦，流量分別是26升/分鐘、17升/分鐘、4.5cc和500cc，首次在步驟(4)所述的N型GaN導(dǎo)電層4上生長InGaN勢阱層，重復(fù)時(shí)在步驟(5b)的GaN勢壘層上生長InGaN勢阱層；

(5b).反應(yīng)室溫度提高到830℃，通入氨氣、氮?dú)狻⑷谆?，流量分別是26升/分鐘、17升/分鐘、10cc，在步驟(6a)所述的InGaN勢阱層上生長GaN勢壘層，厚度14nm。

5次步驟(5a)InGaN勢阱層的生長溫度分別控制為750、730、710℃，厚度分別為3.4、3.0、2.6nm；GaN多量子阱勢壘層的溫度保持830℃，厚度保持14nm。

(6).循環(huán)重復(fù)步驟(6a)、步驟(6b)8次，得到InGaN/GaN多量子阱有源層5：

(6a).反應(yīng)室溫度降低到700℃，通入氨氣、氮?dú)?、三甲基鎵和三甲基銦，流量分別是26升/分鐘、17升/分鐘、4.5cc和500cc，在步驟(5)的應(yīng)力釋放層上生長InGaN勢阱層，厚度2.4nm；

(6b).反應(yīng)室溫度提高到830℃，通入氨氣、氮?dú)狻⑷谆?，流量分別是26升/分鐘、17升/分鐘和10cc，在步驟(6a)所述的InGaN勢阱層6上生長GaN勢壘層，單層厚度14nm。

(7).反應(yīng)室壓力100mbar，通入二茂鎂、氨氣、氮?dú)夂腿谆墸髁糠謩e是720cc、20升/分鐘、24升/分鐘和60cc，溫度提高到930℃，在步驟(6)所述的InGaN/GaN多量子阱有源層上生長P型GaN導(dǎo)電層6，厚度100nm，摻雜濃度5×10¹⁹cm^-3。

實(shí)施例2所述的應(yīng)力釋放層周期數(shù)目比實(shí)施例1所述的應(yīng)力釋放層周期數(shù)目略少，經(jīng)檢測，其LED發(fā)光效率比實(shí)施例1所述LED的發(fā)光效率略低。

實(shí)施例3

具有組分和厚度漸變應(yīng)力釋放層的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：

(1).將藍(lán)寶石襯底1放入金屬有機(jī)化學(xué)氣相化學(xué)沉積設(shè)備(維易科K465型)中，反應(yīng)室壓力100mbar，通入氫氣，流量22升/分鐘，反應(yīng)室溫度升高到1200℃，對襯底片進(jìn)行高溫清洗。

(2).將溫度降低到600℃，控制反應(yīng)室壓力為550mbar，通入氨氣、氫氣和三甲基鎵，流量分別是5升/分鐘，18升/分鐘和26cc，在步驟(1)所述的襯底片上生長40nm的GaN成核層2。

(3).將反應(yīng)室溫度提高到1150℃，控制反應(yīng)室壓力為200mbar，通入氨氣、氫氣和三甲基鎵，流量分別是20升/分鐘、24升/分鐘和160cc，在步驟(2)所述的GaN成核層上生長3um的非故意摻雜GaN層3。

(4).將反應(yīng)室溫度保持1150℃，控制反應(yīng)室壓力為200mbar，通入硅烷(SiH₄)、氨氣、氫氣和三甲基鎵，流量分別是10cc、20升/分鐘、24升/分鐘和160cc，在步驟(3)所述的非故意摻雜GaN層上生長N型GaN導(dǎo)電層4，厚度3um，摻雜濃度8×10¹⁸cm^-3。

(5).重復(fù)如下步驟(5a)、(5b)9次，得到3周期組分和厚度漸變的應(yīng)力釋放層7：

(5a).反應(yīng)室溫度降低到750℃，通入氨氣、氮?dú)?、三甲基鎵和三甲基銦，流量分別是26升/分鐘、17升/分鐘、4.5cc和500cc，首次在步驟(4)所述的N型GaN導(dǎo)電層4上生長InGaN勢阱層，重復(fù)時(shí)在步驟(5b)的GaN勢壘層上生長InGaN勢阱層；

(5b).反應(yīng)室溫度提高到870℃，通入氨氣、氮?dú)狻⑷谆?，流量分別是26升/分鐘、17升/分鐘、10cc，在步驟(6a)所述的InGaN勢阱層上生長GaN勢壘層，厚度14nm。

5次步驟(5a)InGaN勢阱層的生長溫度分別控制為750、745、740、735、730、725、720、715、710℃，厚度分別為3.4、3.3、3.2、3.1、3.0、2.9、2.8、2.7、2.6nm；GaN多量子阱勢壘層的溫度保持830℃，單層厚度保持14nm。

(6).循環(huán)重復(fù)步驟(6a)、步驟(6b)8次，得到InGaN/GaN多量子阱有源層5：

(6a).反應(yīng)室溫度降低到700℃，通入氨氣、氮?dú)?、三甲基鎵和三甲基銦，流量分別是26升/分鐘、17升/分鐘、4.5cc和500cc；在步驟(5)的應(yīng)力釋放層上生長InGaN勢阱層，單層厚度2.4nm；

(6b).反應(yīng)室溫度提高到870℃，通入氨氣、氮?dú)?、三甲基鎵，流量分別是26升/分鐘、17升/分鐘和10cc，在步驟(6a)所述的InGaN勢阱層6上生長GaN勢壘層，厚度14nm。

(7).反應(yīng)室壓力100mbar，通入二茂鎂、氨氣、氮?dú)夂腿谆?，流量分別是720cc、20升/分鐘、24升/分鐘和60cc，溫度提高到980℃，在步驟(6)所述的InGaN/GaN多量子阱有源層上生長P型GaN導(dǎo)電層6，厚度200nm，摻雜濃度5×10¹⁹cm^-3。

實(shí)施例3所述的應(yīng)力釋放層周期數(shù)目比實(shí)施例1所述的應(yīng)力釋放層周期數(shù)目略多，經(jīng)檢測，其LED發(fā)光效率比實(shí)施例1所述LED的發(fā)光效率略高。