1.一種高均勻性的紅光LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括由下而上依次設(shè)置的GaAs襯底、AlGaAs緩沖層、GaAs緩沖層、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制層、AlGaInP N波導(dǎo)層、MQW量子阱有源層、AlGaInP P波導(dǎo)層、AlInP P限制層、GaP窗口層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高均勻性的紅光LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlGaAs緩沖層的厚度為0.1-0.8μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高均勻性的紅光LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlGaAs緩沖層的厚度為0.2-0.8μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高均勻性的紅光LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlGaAs緩沖層的厚度為0.5μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高均勻性的紅光LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述GaAs襯底厚度為250-375μm；所述GaAs緩沖層的厚度為0.2-0.5μm；所述AlInP N限制層的厚度為0.5-1μm；所述AlGaInP N波導(dǎo)層的厚度為0.15-0.5μm；所述MQW量子阱有源層的厚度為0.05-0.5μm；所述AlGaInP P波導(dǎo)層的厚度為0.15-0.5μm；所述AlInP P限制層的厚度為0.5-1μm；所述GaP窗口層的厚度為3-10μm。