1.一種基于超薄金屬透明電極的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，自下而上依次為透明襯底、超薄金屬透明電極、空穴傳輸層、鈣鈦礦吸光層、電子傳輸層和背電極，或者為透明襯底、超薄金屬透明電極、電子傳輸層、鈣鈦礦吸光層、空穴傳輸層和背電極；超薄金屬透明電極自下而上依次為成核籽晶層和超薄金屬兩層薄膜，超薄金屬透明電極的厚度為7～65nm；

成核籽晶層為ZnO、CuSCN、GO、MoO₃、NiO、TiO₂中的一種，其厚度為3～50nm；

超薄金屬為Ag、Al、Cu、Au中的一種，其厚度為4～15nm；

空穴傳輸層厚度為10～200nm；

電子傳輸層厚度為10～200nm；

鈣鈦礦吸光層厚度為50～500nm；

背電極厚度為10～300nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于超薄金屬透明電極的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述透明襯底為透明玻璃、石英、聚對苯二甲酸乙二醇酯PET、聚酰亞胺PI、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN中的任一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于超薄金屬透明電極的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述鈣鈦礦吸光層材料為CH₃NH₃PbI₃、CH₃NH₃PbCl₃、CH₃NH₃PbBr₃、CH₃NH₃PbIBr₂、CH₃NH₃PbI₂Br、CH₃NH₃PbI₂Cl、CH₃NH₃PbICl₂、CH₃NH₃SnCl₃、CH₃NH₃SnBr₃、CH₃NH₃SnI₃、CH₃NH₃SnIBr₂、CH₃NH₃SnI₂Br或CH₃NH₃SnICl₂中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于超薄金屬透明電極的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述空穴傳輸層為PEDOT:PSS、CuSCN、CuI、NiOx中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于超薄金屬透明電極的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述電子傳輸層為富勒烯衍生物PCBM、TiO₂或ZnO。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于超薄金屬透明電極的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述背電極為金、銀、鋁電極、銀納米線或?qū)щ姼叻肿颖∧ぁ?/p>