覆有熒光體層的光半導體元件的制作方法

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技術領域

本實用新型涉及覆有熒光體層的光半導體元件。

背景技術：

以往，提出一種覆有熒光體層的光半導體元件，該覆有熒光體層的光半導體元件包括下表面暴露的光半導體元件和用于覆蓋光半導體元件的上表面和側面的熒光體層(例如，參照日本特開2012-39013號公報)。

技術實現要素：

然而，要求覆有熒光體層的光半導體元件具有優(yōu)異的發(fā)光強度。但是，日本特開2012-39013號所記載的覆有熒光體層的光半導體元件存在不能滿足所述發(fā)光強度這樣的問題。

本實用新型的目的在于，提供一種發(fā)光強度優(yōu)異的覆有熒光體層的光半導體元件。

本實用新型的技術方案(1)提供一種覆有熒光體層的光半導體元件，其中，具備：光半導體元件、覆蓋所述光半導體元件的熒光體層、和覆蓋所述熒光體層的至少一部分的透明層，所述透明層由含有填料的透明樹脂組合物形成。

本實用新型的技術方案(2)是根據技術方案(1)所述的覆有熒光體層的光半導體元件，其中，所述填料為從無機顆粒和有機顆粒中選擇的至少任一者。

本實用新型的技術方案(3)是根據技術方案(1)所述的覆有熒光體層的光半導體元件，其中，所述填料的折射率為1.40以上且1.60以下。

本實用新型的技術方案(4)是根據技術方案(2)所述的覆有熒光體層的光半導體元件，其中，所述無機顆粒為從由二氧化硅、滑石、氧化鋁、氧化硼、氧化鈣、氧化鋅、氧化鍶、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋇、氧化銻、氮化鋁、氮化硅以及玻璃顆粒構成的組中選擇的至少任一者。

本實用新型的技術方案(5)是根據技術方案(2)所述的覆有熒光體層的光半導體元件，其中，所述有機顆粒為從由丙烯酸類樹脂顆粒、苯乙烯系樹脂顆粒、丙烯酸-苯乙烯系樹脂顆粒、有機硅系樹脂顆粒、聚碳酸酯系樹脂顆粒、苯并胍胺系樹脂顆粒、聚烯烴系樹脂顆粒、聚酯系樹脂顆粒、聚酰胺系樹脂顆粒、聚酰亞胺系樹脂顆粒構成的組中選擇的至少任一者。

由于該覆有熒光體層的光半導體元件具備覆蓋熒光體層的至少一部分的透明層，因此能夠提高發(fā)光強度。

附圖說明

圖1表示作為本實用新型的覆有熒光體層的光半導體元件的第1實施方式的被熒光體層密封的LED(是透明層的側面和熒光體層的側面形成為一個面的形態(tài))的剖視圖。

圖2A～圖2F是表示圖1所示的被熒光體層密封的LED的制造方法和使用被熒光體層密封的LED的LED裝置的制造方法的工序圖，其中，

圖2A表示準備密封片的工序，

圖2B表示準備多個LED的工序，

圖2C表示利用密封片來密封多個LED的工序，

圖2D表示單片化為被熒光體層密封的LED的工序，

圖2E表示獲得被熒光體層密封的LED的工序，

圖2F表示將被熒光體層密封的LED安裝于基板的工序。

圖3A～圖3D是表示圖2A～圖2F所示的被熒光體層密封的LED的制造方法和LED裝置的制造方法的變形例的工序圖，其中，

圖3A表示準備LED和第1堰的工序，

圖3B表示配置第1堰的工序，

圖3C表示使熒光體層形成于第1堰內的工序，

圖3D表示提起第1堰并接著準備第2堰的工序，

圖3E表示配置第2堰的工序。

圖4A～圖4D是表示接著圖3E繼續(xù)說明圖2A～圖2E所示的被熒光體層密封的LED的制造方法和LED裝置的制造方法的變形例的工序圖，其中，

圖4A表示使透明層形成于第2堰內的工序，

圖4B表示沿著熒光體層和透明層這兩者與第2堰之間的界面將熒光體層、透明層以及第2堰切斷的工序，

圖4C表示獲得被熒光體層密封的LED的工序，

圖4D表示將被熒光體層密封的LED安裝于基板的工序。

圖5表示圖1所示的被熒光體層密封的LED的變形例(是熒光體層的下表面位于比LED的下表面靠上側的位置的形態(tài))的剖視圖。

圖6表示作為本實用新型的覆有熒光體層的光半導體元件的第2實施方式的被熒光體層密封的LED(是透明層的側面形成于比熒光體層的側面靠外側的位置的形態(tài))的剖視圖。

圖7A～圖7F是表示圖6所示的被熒光體層密封的LED的制造方法和使用被熒光體層密封的LED的LED裝置的制造方法的工序圖，其中，

圖7A表示準備多個LED和熒光密封片的工序，

圖7B表示利用熒光體層來密封多個LED的工序，

圖7C表示將剝離片自熒光體層剝下的工序，

圖7D表示單片化為被熒光體層密封的LED的工序，

圖7E表示將被熒光體層密封的LED自支承板剝離的工序，

圖7F表示獲得被熒光體層密封的LED的工序。

圖8A～圖8F是表示接著圖7F繼續(xù)說明圖6所示的被熒光體層密封的LED的制造方法和使用被熒光體層密封的LED的LED裝置的制造方法的工序圖，其中，

圖8A表示將多個被熒光體層密封的LED再配置于第2支承板并準備透明片的工序，

圖8B表示利用透明層來密封多個被熒光體層密封的LED的工序，

圖8C表示將第2剝離片自透明層剝下的工序，

圖8D表示單片化為被熒光體層密封的LED的工序，

圖8E表示獲得被熒光體層密封的LED的工序，

圖8F表示將被熒光體層密封的LED安裝于基板的工序。

圖9表示圖6所示的被熒光體層密封的LED的變形例(是熒光體層的下表面和透明層的下表面均具有自LED暴露的暴露面且暴露面具有位于比LED的下表面靠上側的位置的部分的形態(tài))的剖視圖。

圖10A～圖10E是表示用于獲得圖7所示的被熒光體層密封的LED的方法的變形例的工序圖，其中，

圖10A表示準備多個LED和熒光密封片的工序，

圖10B表示利用熒光體層來密封多個LED的工序，

圖10C表示將剝離片自熒光體層剝下的工序，

圖10D表示單片化為被熒光體層密封的LED的工序，

圖10E表示獲得被熒光體層密封的LED的工序。

圖11表示作為本實用新型的覆有熒光體層的光半導體元件的第3實施方式的被熒光體層密封的LED(是透明層具有凸緣部的形態(tài))的剖視圖。

圖12A～圖12D是表示圖11所示的被熒光體層密封的LED的制造方法和使用熒光體層密封LE的LED裝置的制造方法的工序圖，其中，

圖12A表示準備多個LED和熒光密封片的工序，

圖12B表示利用熒光體層來密封多個LED的工序，

圖12C表示在熒光體層形成凹部的工序，

圖12D表示準備透明片的工序。

圖13A～圖13E是表示接著圖12D繼續(xù)說明圖11所示的被熒光體層密封的LED的制造方法和使用被熒光體層密封的LED的LED裝置的制造方法的工序圖，其中，

圖13A表示將透明層配置于熒光體層的上表面并接著將第2剝離片自透明層剝下的工序，

圖13B表示單片化為被熒光體層密封的LED的工序，

圖13C表示獲得被熒光體層密封的LED工序，

圖13D表示將被熒光體層密封的LED轉印到轉印片上的工序，

圖13E表示將被熒光體層密封的LED安裝于基板的工序。

圖14A～圖14D是表示圖11所示的被熒光體層密封的LED的制造方法和使用被熒光體層密封的LED的LED裝置的制造方法的變形例的工序圖，其中，

圖14A表示準備多個LED和熒光密封片的工序，

圖14B表示利用熒光體層來密封多個LED的工序，

圖14C表示將剝離片自熒光體層剝下的工序，

圖14D表示準備透明片的工序。

圖15A～圖15D是表示接著圖14D繼續(xù)說明圖11所示的被熒光體層密封的LED的制造方法和使用被熒光體層密封的LED的LED裝置的制造方法的變形例的工序圖，其中，

圖15A表示將透明層配置于熒光體層的上表面并接著將第2剝離片自透明層剝下的工序，

圖15B表示單片化為被熒光體層密封的LED的工序，

圖15C表示獲得被熒光體層密封的LED的工序，

圖15D表示將被熒光體層密封的LED安裝于基板的工序。

圖16表示比較例1的被熒光體層密封的LED(是沒有透明層的形態(tài))的剖視圖。

圖17表示比較例2的被熒光體層密封的LED(是在熒光體層形成有凸緣部、而沒有透明層的形態(tài))的剖視圖。

具體實施方式

本實用新型的覆有熒光體層的光半導體元件具備：光半導體元件、覆蓋光半導體元件的熒光體層、和覆蓋熒光體層的至少一部分的透明層。

以下，利用第1實施方式～第3實施方式并參照圖1～圖15D來說明本實用新型的覆有熒光體層的光半導體元件和其制造方法的一個例子。

第1實施方式

在圖1中，紙面上下方向是上下方向(第1方向、即厚度方向)，紙面上側是上側(第1方向的一側、即厚度方向的一側)，紙面下側是下側(第1方向的另一側、即厚度方向的另一側)。紙面左右方向是左右方向(與第1方向正交的第2方向)，紙面左側是左側(第2方向的一側)，紙面右側是右側(第2方向的另一側)。紙厚方向是前后方向(與第1方向和第2方向正交的第3方向)，紙面近前側是前側(第3方向的一側)，紙面進深側是后側(第3方向的另一側)。

被熒光體層密封的LED

如圖1所示，作為覆有熒光體層的光半導體元件的一個例子的被熒光體層密封的LED1包括：LED2，其是光半導體元件的一個例子；熒光體層3，其覆蓋LED2的上表面和側面；和透明層4，其覆蓋熒光體層3的上表面。

各構件的說明

LED2為能將電能轉換為光能的光半導體元件。光半導體元件不包括在技術領域上與光半導體元件不同的晶體管等整流器。LED2形成為例如厚度(上下方向上的最大長度)比面方向長度(具體而言，左右方向長度和前后方向長度)短的剖視大致矩形形狀和俯視大致矩形形狀。LED2具有下表面21、上表面22、以及側面23。

LED2的下表面21是能夠與基板50相接觸的元件側可接觸面的一個例子。LED2的下表面21的一部分由凸塊(未圖示)形成并與設于基板50的上表面的端子(沒有在圖2中圖示)電連接。LED2的下表面21是被熒光體層密封的LED1的最下表面。

LED2的上表面22是相對于LED2的下表面21在上側(是一側的一個例子)隔開距離x地相對配置的元件側相對面的一個例子。此外，所述LED2的上表面22在上側與下表面21隔開的距離x與LED2的厚度x相同。

LED2的側面23、也就是說前表面、后表面、左表面以及右表面是與下表面21和上表面22相連結的元件側連結面的一個例子。

LED2的上表面22和側面23由發(fā)光層(未圖示)形成。

作為LED2，可列舉出例如發(fā)出藍色光的藍色LED(發(fā)光二極管元件)。

熒光體層3是將自LED2發(fā)出的藍色光的一部分轉換為黃色光的波長轉換層。熒光體層3形成為在俯視時包括LED2的形狀。熒光體層3以覆蓋LED2的上表面22和側面23而使LED2的下表面21暴露的方式配置。也就是說，在熒光體層3的下部的中央形成有用于容納LED2的容納部30。容納部30是自熒光體層3的下表面32朝向上側凹入的凹部，其以與LED2的外形形狀相對應的方式形成。也就是說，熒光體層3形成為形成有容納部30的剖視大致矩形形狀和俯視大致矩形形狀。熒光體層3具有下表面32、上表面31、側面33、以及形成于容納部30內的內表面34。

熒光體層3的下表面32是熒光體層3的最下表面且是能夠與基板50相接觸的熒光體側可接觸面。

熒光體層3的上表面31是相對于LED2的上表面22在上側(是一側的一個例子)隔開距離y地相對配置的熒光體側第1相對面的一個例子。另外，熒光體層3的上表面31還是相對于LED2的上表面22在上側隔開距離y地相對配置的面。此外，在熒光體層3中，上表面31在上側與熒光體層3的下表面32(即，LED2的上表面22)隔開的距離y是熒光體層3中的與LED2的上側相對配置的部分的厚度y。

熒光體層3的側面33、也就是說，前表面、后表面、左表面以及右表面是相對于LED2的側面23在面方向(是正交方向的一個例子)外側隔開距離α地相對配置的熒光體側第2相對面的一個例子。另外，熒光體層3的側面33形成為在側方暴露的暴露面。此外，熒光體層3的側面33在外側與LED2的側面23隔開的距離α是熒光體層3中的相對配置于LED2的外側的部分(側部35)的左右方向長度和前后方向長度(最小長度)α。

熒光體層3的容納部30的內表面34與LED2的上表面22和側面23相接觸。

熒光體層3由例如熒光體樹脂組合物形成。

熒光體樹脂組合物含有熒光體和透明樹脂組合物(是作為第1透明組合物的一個例子的第1透明樹脂組合物)。

作為熒光體，可列舉出例如能夠將藍色光轉換成黃色光的黃色熒光體、能夠將藍色光轉換成紅色光的紅色熒光體等。

作為黃色熒光體，可列舉出例如(Ba,Sr,Ca)₂SiO₄:Eu、(Sr,Ba)₂SiO₄:Eu(原硅酸鋇(BOS))等硅酸鹽熒光體、例如Y₃Al₅O₁₂:Ce(YAG(釔·鋁·石榴石):Ce)、Tb₃Al₃O₁₂:Ce(TAG(鋱·鋁·石榴石):Ce)等具有石榴石型結晶構造的石榴石型熒光體、例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物熒光體等。

作為紅色熒光體，可列舉出例如CaAlSiN₃:Eu、CaSiN₂:Eu等氮化物熒光體等。

作為熒光體的形狀，可列舉出例如球狀、板狀、針狀等。從流動性的觀點看，優(yōu)選列舉出球狀。

熒光體的最大長度的平均值(熒光體為球狀的情況下是平均粒徑)例如為0.1μm以上，優(yōu)選為1μm以上，并且例如為200μm以下，優(yōu)選為100μm以下。

熒光體的比重例如超過2.0，并且例如為9.0以下。

熒光體能夠單獨使用或組合使用。

相對于100質量份透明樹脂組合物，熒光體的配混比例例如為0.1質量份以上，優(yōu)選為0.5質量份以上，并且例如為80質量份以下，還優(yōu)選為50質量份以下。另外，相對于熒光體樹脂組合物，熒光體的配混比例例如為0.1質量％以上，優(yōu)選為0.5質量％以上，并且例如為90質量％以下，優(yōu)選為80質量％以下。

作為透明樹脂組合物，可列舉出例如作為用于將LED2密封的密封材料而使用的透明性的樹脂組合物。具體而言，作為透明樹脂組合物，可列舉出例如熱固性樹脂組合物、熱塑性樹脂組合物，優(yōu)選列舉出熱固性樹脂組合物。

作為熱固性樹脂組合物，可列舉出例如兩階段反應固化性樹脂組合物、一階段反應固化性樹脂組合物。

兩階段反應固化性樹脂組合物具有兩個反應機理，其能夠在第1階段的反應中自A階段狀態(tài)實現B階段化(半固化)、接著在第2階段的反應中自B階段狀態(tài)實現C階段化(完全固化)。也就是說，兩階段反應固化性樹脂組合物是能夠通過適度的加熱條件而成為B階段狀態(tài)的熱固性樹脂組合物。但是，在劇烈的加熱作用下，兩階段反應固化性樹脂組合物也能夠自A階段狀態(tài)一次性地成為C階段狀態(tài)，而不維持B階段狀態(tài)。此外，B階段狀態(tài)為熱固性樹脂組合物在液狀的A階段狀態(tài)和完全固化后的C階段狀態(tài)之間的狀態(tài)，為固化和凝膠化稍稍進行且壓縮彈性模量比C階段狀態(tài)的壓縮彈性模量小的半固體狀態(tài)或固體狀態(tài)。

一階段反應固化性樹脂組合物具有一個反應機理，其能夠在第1階段的反應中自A階段狀態(tài)實現C階段化(完全固化)。此外，一階段反應固化性樹脂組合物包括如下那樣的熱固性樹脂組合物：在第1階段的反應的中途使該熱固性樹脂組合物的反應停止，該熱固性樹脂組合物能夠自A階段狀態(tài)成為B階段狀態(tài)，通過之后的進一步的加熱而再次開始第1階段的反應，該熱固性樹脂組合物能夠自B階段狀態(tài)實現C階段化(完全固化)。也就是說，該熱固性樹脂組合物是能夠成為B階段狀態(tài)的熱固性樹脂組合物。另一方面，一階段反應固化性樹脂組合物包括如下那樣的熱固性樹脂組合物：不能以使該熱固性樹脂組合物在一階段的反應的中途停止的方式對該熱固性樹脂組合物進行控制，也就是說，該熱固性樹脂組合物不能成為B階段狀態(tài)，而是一次性地自A階段狀態(tài)實現C階段化(完全固化)。

作為透明樹脂組合物，可列舉出例如有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂、脲醛樹脂、密胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。作為透明樹脂組合物，優(yōu)選列舉出有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂。

所述透明樹脂組合物可以為同一種或多種。

作為有機硅樹脂，從透明性、耐久性、耐熱性、耐光性的觀點考慮，可列舉出例如加成反應固化型有機硅樹脂組合物、縮合·加成反應固化型有機硅樹脂組合物等有機硅樹脂組合物。有機硅樹脂既能夠單獨使用，也能夠組合使用。

加成反應固化型有機硅樹脂組合物是一階段反應固化性樹脂組合物，其含有例如含烯基聚硅氧烷、含氫化甲硅烷基聚硅氧烷、以及硅氫化催化劑。

含烯基聚硅氧烷在分子內含有兩個以上的鏈烯基和/或環(huán)烯基。含烯基聚硅氧烷具體而言通過下述平均組成式(1)來表示。

平均組成式(1)：

R¹_aR²_bSiO_(4-a-b)/2

(式中，R¹表示碳數2～10的鏈烯基和/或碳數3～10的環(huán)烯基。R²表示非取代或取代的碳數1～10的一價烴基(其中，不包括鏈烯基和環(huán)烯基。)。a為0.05～0.50，b為0.80～1.80。)

在式(1)中，作為R¹所示的鏈烯基，可列舉出例如乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等碳數2～10的鏈烯基。作為R¹所示環(huán)烯基，可列舉出例如環(huán)己烯基、降冰片烯基等碳數3～10的環(huán)烯基。

作為R¹，優(yōu)選列舉出鏈烯基，更優(yōu)選列舉出碳數2～4的鏈烯基，進一步優(yōu)選列舉出乙烯基。

R¹所示的鏈烯基可以為同一種或多種。

R²所示的一價烴基是鏈烯基和環(huán)烯基以外的非取代或取代的碳原子數1～10的一價烴基。

作為非取代的一價烴基，可列舉出：例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基等碳數1～10的烷基；例如環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基等碳數3～6的環(huán)烷基；例如苯基、甲苯基、萘基等碳數6～10的芳基；例如芐基、芐基乙基等碳數7～8的芳烷基。優(yōu)選列舉出碳數1～3的烷基、碳數6～10的芳基，更優(yōu)選列舉出甲基和/或苯基。

另一方面，作為取代的一價烴基，可列舉出用取代基來取代所前述非取代的一價烴基中的氫原子而成的一價烴基。

作為取代基，可列舉出例如氯原子等鹵原子、例如縮水甘油醚基等。

作為取代的一價烴基，具體而言，可列舉出3-氯丙基、環(huán)氧丙氧基丙基等。

一價烴基可以為非取代和取代中的任一者，優(yōu)選為非取代。

R²所示的一價烴基可以為同一種或多種。優(yōu)選列舉出甲基和/或苯基，更優(yōu)選組合使用甲基和苯基。

a優(yōu)選為0.10～0.40。

b優(yōu)選為1.5～1.75。

含烯基聚硅氧烷的重均分子量例如為100以上，優(yōu)選為500以上，并且例如為10000以下，優(yōu)選為5000以下。含烯基聚硅氧烷的重均分子量是通過凝膠滲透色譜法測定的標準聚苯乙烯的換算值。

含烯基聚硅氧烷可以利用適當的方法來制備，另外，也可以使用市售品。

另外，含烯基聚硅氧烷可以為同一種或多種。

含氫化甲硅烷基聚硅氧烷例如在分子內含有兩個以上的氫化甲硅烷基(SiH基)。具體而言，含氫化甲硅烷基聚硅氧烷由下述平均組成式(2)來表示。

平均組成式(2)：

H_cR³_dSiO_(4-c-d)/2

(在式子中，R³表示非取代或取代的碳數1～10的一價烴基(其中，不包括鏈烯基和/或環(huán)烯基。)。c為0.30～1.0，d為0.90～2.0。)

在式(2)中，作為R³所示的非取代或取代的碳數1～10的一價烴基，可例示與式(1)的R²所示的非取代或取代的碳數1～10的一價烴基相同的一價烴基。優(yōu)選列舉出非取代的碳數1～10的一價烴基，更優(yōu)選列舉出碳數1～10的烷基、碳數6～10的芳基，進一步優(yōu)選列舉出甲基和/或苯基。

c優(yōu)選為0.5以下。

d優(yōu)選為1.3～1.7。

含氫化甲硅烷基聚硅氧烷的重均分子量例如為100以上，優(yōu)選為500以上，并且例如為10000以下，優(yōu)選為5000以下。含氫化甲硅烷基聚硅氧烷的重均分子量是通過凝膠滲透色譜法測定的標準聚苯乙烯的換算值。

含氫化甲硅烷基聚硅氧烷可以通過適當的方法來制備，另外，也可以使用市售品。

另外，含氫化甲硅烷基聚硅氧烷可以為同一種或多種。

在上述平均組成式(1)和平均組成式(2)中，R²和R³中的至少任一者的烴基優(yōu)選含有苯基，更優(yōu)選的是，R²和R³這兩者的烴基均含有苯基。其中，在R²和R³中的至少任一者的烴基含有苯基的情況下，加成反應固化型有機硅樹脂組合物為苯基系有機硅樹脂組合物。該苯基系有機硅樹脂組合物是能夠形成B階段狀態(tài)的一階段反應固化性樹脂組合物。苯基系有機硅樹脂組合物的折射率例如為1.45以上，優(yōu)選為1.50以上。

另一方面，在R²和R³這兩者的烴均為甲基的情況下，加成反應固化型有機硅樹脂組合物為甲基系有機硅樹脂組合物。甲基系有機硅樹脂組合物是不能形成B階段狀態(tài)的一階段反應固化性樹脂組合物。甲基系有機硅樹脂組合物的折射率例如為1.50以下，優(yōu)選為1.45以下。

在加成反應固化型有機硅樹脂組合物中，從獲得優(yōu)異的氣體透過率的觀點考慮，優(yōu)選列舉出甲基系有機硅樹脂組合物。

對含氫化甲硅烷基聚硅氧烷的配混比例進行調整，使得含烯基聚硅氧烷中的鏈烯基和環(huán)烯基的摩爾數相對于含氫化甲硅烷基聚硅氧烷中的氫化甲硅烷基的摩爾數的比例(鏈烯基和環(huán)烯基的摩爾數/氫化甲硅烷基的摩爾數)例如為1/30以上，優(yōu)選為1/3以上，并且例如為30/1以下，優(yōu)選為3/1以下。

只要硅氫化催化劑為能提高含烯基聚硅氧烷中的鏈烯基和/或環(huán)烯基與含氫化甲硅烷基聚硅氧烷中的氫化甲硅烷基的硅氫化反應(硅氫加成)的反應速度的物質(加成催化劑)，就對其沒有特別限定，可列舉出例如金屬催化劑。作為金屬催化劑，可列舉出例如鉑黑、氯化鉑、氯鉑酸、鉑-烯烴絡合物、鉑-羰基絡合物、鉑-乙酰醋酸酯(acetyl acetate)等鉑催化劑、例如鈀催化劑、例如銠催化劑等。

關于硅氫化催化劑的配混比例，按照以金屬催化劑的金屬量(具體而言為金屬原子)為準的質量基準計，相對于含烯基聚硅氧烷和含氫化甲硅烷基聚硅氧烷例如為1.0ppm以上，并且例如為10000ppm以下，優(yōu)選為1000ppm以下，更優(yōu)選為500ppm以下。

加成反應固化型有機硅樹脂組合物是通過以上述比例配混含烯基聚硅氧烷、含氫化甲硅烷基聚硅氧烷以及硅氫化催化劑而制備的。

所述加成反應固化型有機硅樹脂組合物通過配混含烯基聚硅氧烷、含氫化甲硅烷基聚硅氧烷以及硅氫化催化劑而制備成A階段(液體)的狀態(tài)使用。

如上所述，在苯基系有機硅樹脂組合物中，通過期望條件的加熱而使含烯基聚硅氧烷中的鏈烯基和/或環(huán)烯基與含氫化甲硅烷基聚硅氧烷中的氫化甲硅烷基發(fā)生硅氫加成反應，之后，使硅氫加成反應暫時停止。由此，能夠自A階段狀態(tài)變?yōu)锽階段(半固化)狀態(tài)。之后，通過進一步期望條件的加熱，使上述硅氫加成反應再次開始，結束。由此，能夠自B階段狀態(tài)變?yōu)镃階段(完全固化)狀態(tài)。

需要說明的是，苯基系有機硅樹脂組合物在處于B階段(半固化)狀態(tài)時為固體狀。并且，該B階段狀態(tài)的苯基系有機硅樹脂組合物能夠兼具熱塑性和熱固性。也就是說，B階段的苯基系有機硅樹脂組合物會通過加熱而暫時塑化，然后完全固化。

另一方面，在上述甲基系有機硅樹脂組合物中，使鏈烯基和/或環(huán)烯基與氫化甲硅烷基發(fā)生硅氫加成反應，并在不使硅氫加成反應停止的情況下促進硅氫加成反應，之后結束。由此，能夠自A階段狀態(tài)變?yōu)镃階段(完全固化)狀態(tài)。作為甲基系有機硅樹脂組合物，可以使用市售品。作為市售品，可列舉出例如ELASTOSIL系列(旭化成威克硅(日文：旭化成ワッカーシリコーン)公司制造)，具體而言為ELASTOSIL LR7665等甲基系有機硅樹脂組合物)、KER系列(信越硅(日文：信越シリコーン)公司制造)等。

縮合·加成反應固化型有機硅樹脂組合物為兩階段反應固化性樹脂，具體而言，可列舉出例如日本特開2010-265436號公報、日本特開2013-187227號公報等記載的第1～第8縮合·加成反應固化型有機硅樹脂組合物、例如日本特開2013-091705號公報、日本特開2013-001815號公報、日本特開2013-001814號公報、日本特開2013-001813號公報、日本特開2012-102167號公報等記載的含籠型八聚倍半硅氧烷的有機硅樹脂組合物等。需要說明的是，縮合·加成反應固化型有機硅樹脂組合物為固體狀，其兼具熱塑性和熱固性。

作為環(huán)氧樹脂，可列舉出例如雙酚型環(huán)氧樹脂(例如雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹脂、二聚酸改性雙酚型環(huán)氧樹脂等)、酚醛清漆型環(huán)氧樹脂(例如苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯苯型環(huán)氧樹脂等)、萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂(例如聯芳基芴型環(huán)氧樹脂等)、三苯基甲烷型環(huán)氧樹脂(例如三羥基苯基甲烷型環(huán)氧樹脂等)等芳香族系環(huán)氧樹脂、例如三環(huán)氧基丙基異氰脲酸酯(異氰脲酸三縮水甘油酯)、乙內酰脲環(huán)氧樹脂等含氮環(huán)環(huán)氧樹脂、例如脂肪族系環(huán)氧樹脂、例如脂環(huán)式環(huán)氧樹脂(例如二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂等二環(huán)型環(huán)氧樹脂等)、例如縮水甘油醚型環(huán)氧樹脂、例如縮水甘油胺型環(huán)氧樹脂等。另外，作為環(huán)氧樹脂，還可列舉出例如鄰苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸、六氫鄰苯二甲酸、甲基四氫鄰苯二甲酸、納迪克酸、甲基納迪克酸等二元羧酸的二縮水甘油酯等。進而，作為環(huán)氧樹脂，還可列舉出具有芳香環(huán)被氫化的脂環(huán)式結構的核氫化偏苯三酸、核氫化均苯四酸等的縮水甘油酯等。

環(huán)氧樹脂可以單獨使用或組合使用。

環(huán)氧樹脂可以為液狀、半固態(tài)以及固態(tài)中的任一形態(tài)。環(huán)氧樹脂的平均環(huán)氧當量例如為90～1000。在環(huán)氧樹脂為固態(tài)的情況下，從處理的便利性的觀點考慮，例如軟化點為50℃～160℃。

環(huán)氧樹脂通常與固化劑組合使用。作為固化劑，可列舉出例如酸酐系固化劑、異氰脲酸衍生物系固化劑等。

作為酸酐系固化劑，可列舉出例如鄰苯二甲酸酐、馬來酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、甲基納迪克酸酐、納迪克酸酐、戊二酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐等。酸酐系固化劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。

作為異氰脲酸衍生物系固化劑，可列舉出例如1,3,5-三(1-羧甲基)異氰脲酸酯、1,3,5-三(2-羧乙基)異氰脲酸酯、1,3,5-三(3-羧丙基)異氰脲酸酯、1,3-雙(2-羧乙基)異氰脲酸酯等。異氰脲酸衍生物系固化劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。

固化劑可以單獨使用或兩種以上組合使用。

例如以如下方式對環(huán)氧樹脂與固化劑之間的配混比例進行設定：相對于環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基1當量，使能夠與固化劑中的環(huán)氧基發(fā)生反應的活性基團(酸酐基或羧基)為0.5當量～1.5當量，優(yōu)選為0.7當量～1.2當量。

另外，透明樹脂組合物還可以進一步含有填料。

作為填料，可列舉出無機顆粒、有機顆粒等顆粒。

作為無機顆粒，可列舉出例如二氧化硅(SiO₂)、滑石(Mg₃(Si₄O₁₀)(HO)₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化硼(B₂O₃)、氧化鈣(CaO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鍶(SrO)、氧化鎂(MgO)、氧化鋯(ZrO₂)、氧化鋇(BaO)、氧化銻(Sb₂O₃)等氧化物、例如氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si₃N₄)等氮化物等無機物顆粒(無機物)。另外，作為無機顆粒，可列舉出例如由上述例示的無機物制備的復合無機物顆粒，優(yōu)選列舉出由氧化物制備的復合無機氧化物顆粒(具體而言為玻璃顆粒等)。

在復合無機氧化物顆粒中，作為主成分而含有例如二氧化硅或二氧化硅和氧化硼，另外，作為副成分而含有氧化鋁、氧化鈣、氧化鋅、氧化鍶、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋇、氧化銻等。關于復合無機氧化物顆粒中的主成分含有比例，相對于復合無機氧化物顆粒例如大于40質量％，優(yōu)選為50質量％以上，并且例如為90質量％以下，優(yōu)選為80質量％以下。副成分的含有比例是上述主成分的含有比例的剩余部分。

復合氧化物顆粒是通過以下方式制得的：配混上述主成分和副成分，進行加熱而使之熔融，接著將它們的熔融物快速冷卻，之后，利用例如球磨機等進行粉碎，之后，根據需要進行適當的表面加工(具體而言為球體化等)，由此制得。

無機顆?？梢詥为毷褂没蚪M合使用。

作為有機顆粒的有機材料，可列舉出例如丙烯酸類樹脂、苯乙烯系樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、有機硅系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、苯并胍胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、聚酰胺系樹脂、聚酰亞胺系樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或組合使用。

在這樣的有機材料之中，從光擴散性、獲得性的觀點考慮，優(yōu)選列舉出有機硅系樹脂。

有機顆粒可以單獨使用或組合使用。

填料可以單獨使用或組合使用。

填料的折射率例如為1.40以上，并且例如為1.600以下。

填料的形狀并不特別限定，可列舉出例如球狀、板狀、針狀等。從流動性的觀點看，優(yōu)選列舉出球狀。

填料的平均粒徑例如為3μm以上，優(yōu)選為5μm以上，并且例如為70μm以下，優(yōu)選為50μm以下。

關于填料的含有比例，相對于透明樹脂組合物，例如為1質量％以上，優(yōu)選為3質量％以上，并且例如為80質量％以下，優(yōu)選為75質量％以下。

透明樹脂組合物(第1透明組合物的一個例子)的折射率RIp例如為1.40以上，優(yōu)選為1.45以上，更優(yōu)選為1.50以上，并且例如為1.63以下，優(yōu)選為1.60以下，更優(yōu)選為1.57以下。若透明樹脂組合物的折射率RIp為上述下限以上，則能夠提高被熒光體層密封的LED1的發(fā)光強度。

透明樹脂組合物的折射率RIp可以通過阿貝折射計算出。需要說明的是，在透明樹脂組合物含有熱固性樹脂的情況下，以固化狀態(tài)(完全固化狀態(tài))的折射率的形式算出。此外，固化前的透明樹脂組合物的折射率與固化后的透明樹脂組合物的折射率實質上相同。

此外，根據需要，可以以適當的比例向熒光體樹脂組合物中添加硅烷偶聯劑、防老劑、改性劑、表面活性劑、染料、顏料(不包括上述填料)、防變色劑、紫外線吸收劑等公知的添加物。

如圖1所示，透明層4是被熒光體層密封的LED1的最上層。具體而言，透明層4以覆蓋熒光體層3的熒光體側第1相對面31的整個面的方式配置。透明層4的俯視形狀形成為與熒光體層3的熒光體側第1相對面31的形狀相同。也就是說，透明層4形成為剖視大致矩形形狀和俯視大致矩形形狀。透明層4具有下表面41、上表面42、以及側面43。

透明層4的下表面41是與熒光體側第1相對面31相接觸的透明側接觸面。

透明層4的上表面42是相對于熒光體層3的上表面31在上側(是一側的一個例子)隔開距離z地相對配置的透明側相對面的一個例子。透明層4的上表面42是被熒光體層密封的LED1的最上面。透明層4的上表面42相對于熒光體層3的上表面31在上側隔開的距離z與透明層4的厚度z相同。

透明層4的側面43分別與透明層4的下表面41和上表面42相連結。透明層4的側面43是在上下方向(是一方向的一個例子)上投影時、相對于LED2的側面23在面方向(是正交方向的一個例子)外側隔開間隔α地配置的透明側連結面的一個例子。透明層4的側面43和熒光體層3的側面33在上下方向上形成為一個面。

透明層4由例如透明樹脂組合物、無機物等第2透明組合物形成。

作為透明樹脂組合物，可列舉出例如所述透明樹脂組合物(在熒光體樹脂組合物中含有的透明樹脂組合物)。在透明樹脂組合物中含有的各成分和各成分的配混比例處于與在透明樹脂組合物(在熒光體樹脂組合物中含有的透明樹脂組合物)中含有的各成分和各成分的配混比例重復的范圍。

作為無機物，可列舉出玻璃等。作為玻璃，其并不特別限定，可列舉出例如無堿玻璃、鈉玻璃、石英玻璃、硼硅酸玻璃、鉛玻璃、氟化物玻璃等。另外，作為玻璃，還可列舉出耐熱玻璃，具體而言，作為商品名，可列舉出市場上銷售的tempax玻璃、vycor玻璃、pyrex玻璃等。作為玻璃，優(yōu)選列舉出無堿玻璃、鈉玻璃。

對第2透明組合物的折射率RIt進行設定，使得第1透明樹脂組合物(在熒光體層3中含有的透明樹脂組合物)的折射率RIp減去第2透明組合物的折射率RIt的值(RIp-RIt)例如為-1.0以上，優(yōu)選為-0.7以上，更優(yōu)選為0以上，進一步優(yōu)選為0.05以上，尤其優(yōu)選為0.10以上，并例如為0.20以下。若RIp-RIt為所述下限以上，則能夠獲得更優(yōu)異的發(fā)光強度。若RIp-RIt為所述上限以下，則能夠抑制光在透明層4與熒光體層3之間的界面處的反射。

透明層4也可以由例如多層形成。

尺寸

根據用途和目的來適當設定LED2、熒光體層3以及透明層4這幾者的尺寸。

距離x(LED2的厚度x)例如為10μm以上，優(yōu)選為50μm以上，并且例如為1000μm以下，優(yōu)選為500μm以下。

LED2的左右方向長度γ和前后方向長度(沒有在圖1中圖示)是LED2的面方向上的最小長度，例如為0.1μm以上，優(yōu)選為0.2μm以上，并且例如為5000μm以下，優(yōu)選為2000μm以下。

距離y(熒光體層3中的相對配置于LED2的上側的部分的厚度y)例如為50μm以上，優(yōu)選為150μm以上。另外，距離y例如為1000μm以下，優(yōu)選為500μm以下，更優(yōu)選為小于350μm，進一步優(yōu)選為300μm以下，尤其優(yōu)選為200μm以下，更尤其優(yōu)選為150μm以下，進一步尤其優(yōu)選為100μm以下。若距離y小于所述上限，則能夠提高熒光體層3的氣體透過率，在LED裝置60中設有被熒光體層密封的LED1時，能夠抑制熒光體層3產生燒黑(日文：黒こげ)，從而能夠提高被熒光體層密封的LED1的可靠性，進而能夠提高LED裝置60的可靠性。

距離z(透明層4的厚度z)例如為100μm以上，優(yōu)選為200μm以上。另外，距離z例如為1000μm以下，優(yōu)選為500μm以下，更優(yōu)選為小于400μm，進一步優(yōu)選為300μm以下，尤其優(yōu)選為200μm以下，最優(yōu)選為100μm以下。若距離z小于所述上限，則能夠提高透明層4的氣體透過率，在LED裝置60中設有被熒光體層密封的LED1時，能夠抑制透明層4產生燒黑，從而能夠提高被熒光體層密封的LED1的可靠性，進而能夠提高LED裝置60的可靠性。

另外，LED2、熒光體層3以及透明層4優(yōu)選滿足下述(1)～(4)的全部條件。

(1)距離y除以距離x的值(y/x)例如為1以上，優(yōu)選為1.25以上，并且例如為5以下，優(yōu)選小于5，更優(yōu)選為4以下，進一步優(yōu)選為3以下。若y/x為所述下限以上，則能夠獲得優(yōu)異的顏色均勻性。若y/x為所述上限以下，能夠抑制顏色不均勻。

(2)距離y與距離z的和(y+z)例如為0.20mm以上，優(yōu)選為0.25mm以上，更優(yōu)選為0.5mm以上，并且例如為2mm以下，優(yōu)選為1.5mm以下。若y+z為所述下限以上，則能夠獲得優(yōu)異的發(fā)光強度。若y+z為所述上限以下，則能夠抑制材料成本。

(3)距離α(熒光體層3的側部35的最小長度α)例如為50μm以上，優(yōu)選超過50μm，更優(yōu)選為100μm以上，并且例如為2000μm以下，優(yōu)選為1000μm以下。若距離α為所述下限以上，則能夠防止顏色均勻性的降低或抑制顏色不均勻。

(4)距離y除以距離α的值(y/α)例如為1以上，優(yōu)選為1.2以上，并且例如為2.5以下，優(yōu)選為2.0以下。若y/α為所述上限以下，則能夠抑制顏色不均勻。

被熒光體層密封的LED的制造方法

接下來，參照圖2A～圖2F說明制造圖1所示的被熒光體層密封的LED的方法和使用被熒光體層密封的LED來制造LED裝置的方法。

被熒光體層密封的LED1的制造方法包括：制造作為包括透明層4和熒光體層3的覆蓋片的一個例子的密封片5的工序(參照圖2A)；將密封片5以熒光體層3覆蓋多個LED2的方式進行配置的工序(參照圖2C)；和將密封片5以單片化為被熒光體層密封的LED1的方式切斷的工序(參照圖2D)。在制造密封片5的工序(參照圖2A)中，包括準備透明層4的工序和在透明層4的表面形成熒光體層3的工序。

如圖2A所示，在準備透明層4的工序中，在由透明樹脂組合物形成透明層4的情況下，首先，準備假想線所示的剝離片6。

將剝離片6以能夠剝離的方式粘合于透明層4的背面(圖1中的下表面)，以保護透明層4，直到利用透明層4密封LED2(在透明層4由熱固性樹脂組合物形成的情況下，直到使透明層4固化)。也就是說，剝離片6是如下那樣的撓性薄膜：該撓性薄膜在密封片5的出廠·輸送·保管時以覆蓋透明層4的背面的方式層疊于透明層4的背面，在即將使用密封片5時，能夠將該撓性薄膜以呈大致U字狀彎曲自透明層4的背面剝下。即，剝離片6僅由撓性薄膜的構成。另外，根據需要，對剝離片6的粘合面、也就是說剝離片6的與透明層4接觸的接觸面進行氟處理等剝離處理。

作為剝離片6，可列舉出例如聚乙烯薄膜、聚酯薄膜(PET等)等聚合物薄膜、例如陶瓷片、例如金屬箔等。優(yōu)選列舉出聚合物薄膜。另外，剝離片6的形狀并不特別限定，例如，剝離片6形成為俯視大致矩形形狀(包括矩形條狀、縱長狀)等。剝離片6的厚度例如為1μm以上，優(yōu)選為10μm以上，并且例如為2000μm以下，優(yōu)選為1000μm以下。

接著，在由透明樹脂組合物形成透明層4的情況下，將透明樹脂組合物的清漆涂敷在剝離片6的表面上。為了將透明樹脂組合物涂敷在剝離片6的表面上，能夠使用例如分配器、涂敷器、狹縫式模涂敷機(日文：スリットダイコータ)等涂敷裝置。

通過將透明樹脂組合物涂敷在剝離片6上，從而形成透明樹脂組合物的涂膜。

之后，使涂膜完全固化(C階段化)。作為加熱條件，加熱溫度為80℃以上，優(yōu)選為100℃以上，并且為200℃以下，優(yōu)選為150℃以下。另外，加熱時間例如為10分鐘以上，優(yōu)選為30分鐘以上，并且例如為5小時以下。

由此，使涂膜中的A階段的透明樹脂組合物完全固化(C階段化)。

在透明樹脂組合物含有加成反應固化型有機硅樹脂組合物的情況下，使鏈烯基和/或環(huán)烯基與氫化甲硅烷基之間的硅氫反應進行到中途，之后使硅氫反應暫時停止。

另一方面，在透明樹脂組合物含有縮合反應·加成反應固化型有機硅樹脂的情況下，使縮合反應結束。

由此，由B階段的透明樹脂組合物形成透明層4。

另一方面，在透明層4由無機物形成的情況下，具體而言，準備預先成形為板狀的無機物。優(yōu)選的是，不使用剝離片6(參照圖2A的假想線)而準備玻璃板。

由此，由無機物形成透明層4。

接著，如圖2A所示，在透明層4的表面形成熒光體層3。

在熒光體層3由熒光體樹脂組合物形成的情況下，使用所述涂敷裝置在透明層4的表面上涂敷熒光體樹脂組合物。由此，形成熒光體樹脂組合物的涂膜。

之后，在熒光體樹脂組合物含有能夠成為B階段狀態(tài)的熱固性樹脂組合物的情況下，使涂膜實現B階段化。加熱條件與所述范圍相同。由此，使涂膜B實現階段化。

在熒光體樹脂組合物含有加成反應固化型有機硅樹脂組合物的情況下，使鏈烯基和/或環(huán)烯基與氫化甲硅烷基之間的硅氫反應進行到中途，之后使硅氫反應暫時停止。

另一方面，在熒光體樹脂組合物含有縮合反應·加成反應固化型有機硅樹脂的情況下，使縮合反應結束。

由此，由熒光體樹脂組合物形成熒光體層3。

接著，將板狀的熒光體層3配置在透明層4的上表面上。

由此，如圖2A所示，獲得包括透明層4和熒光體層3的密封片5。優(yōu)選的是，密封片5由透明層4和熒光體層3構成。

該密封片5具有平板形狀，具體而言，該密封片5具有規(guī)定的厚度，并具有沿左右方向和前后方向延伸的、平坦的表面和平坦的背面。另外，密封片5不是LED裝置60(后述，參照圖2F)而是LED裝置60的一個零件、即是用于制作LED裝置60的零件，密封片5不包括LED2和安裝有LED2的基板50，其是作為零件單獨流通的、能夠在產業(yè)上使用的器件。

此外，在透明層4由透明樹脂組合物形成的情況下，密封片5包括剝離片6、透明層4、熒光體層3。優(yōu)選的是，密封片5由剝離片6、透明層4、以及熒光體層3構成。

如圖2B所示，另行準備多個LED2。具體而言，將多個LED2配置在支承板7的上表面上。

支承板7以能夠剝離的方式粘合在被熒光體層密封的LED1中的LED2的暴露面(圖1中的下表面21)上，以保護被熒光體層密封的LED1的LED2，直到獲得被熒光體層密封的LED1之后剝離被熒光體層密封的LED1，該被熒光體層密封的LED1通過如下方式獲得，即，利用熒光體層3覆蓋支承板7上的多個LED2而將該多個LED2密封，從而獲得密封LED集合體8(后述，參照圖2C)，將密封LED集合體8切斷而獲得被熒光體層密封的LED1。也就是說，支承板7是如下那樣的剝離板：該剝離板在被熒光體層密封的LED1的出廠·輸送·保管時以支承LED2且覆蓋LED2的下表面21的方式層疊于LED2的下表面21，在即將將LED2安裝于基板50時，能夠如圖2D的假想線所示那樣將被熒光體層密封的LED1剝下。也就是說，支承板7僅由剝離板構成。

支承板7由與所述剝離片6相同的材料形成。另外，也可以由能夠使密封LED集合體8在加熱作用下容易剝離的熱剝離片來形成支承板7。并且，能夠在支承板7的表面上配置壓敏粘接劑層。

支承板7的厚度例如為10μm以上，優(yōu)選為50μm以上，并且例如為1000μm以下，優(yōu)選為100μm以下。

并且，將多個LED2配置在支承板7的表面(上表面)上。具體而言，將多個LED2以在左右方向和前后方向上隔開間隔的方式排列配置。另外，以使LED2的下表面21(包括未圖示的凸塊)與支承板7的表面(上表面)相接觸的方式將多個LED2配置在支承板7的表面(上表面)上。

多個LED2的間距P、即一個LED2與同該一個LED2相鄰的LED2之間的間隔之間的總和P例如為0.3mm以上，優(yōu)選為0.5mm以上，并且例如為5mm以下，優(yōu)選為3mm以下。另外，多個LED2的間隔例如為0.1mm以上，優(yōu)選為0.3mm以上，并且例如為3mm以下，優(yōu)選為2mm以下。

之后，如圖2B的箭頭和圖2C所示，利用密封片5來密封多個LED2。

例如，將密封片5相對于支承多個LED2的支承板7進行壓接。優(yōu)選的是，將密封片5相對于支承多個LED2的支承板7進行熱壓接(熱加壓)。

具體而言，首先，將密封片5和多個LED2、支承板7設置于具有熱源的平板加壓裝置等。平板加壓裝置包括下模和相對配置于該下模的上側的上模，對此沒有圖示。具體而言，以使多個LED2朝上的方式將剝離片6配置于下模的上表面。另外，在使圖2A所示的密封片5上下翻轉之后，以使熒光體層3朝下的方式、即以使熒光體層3與LED2相對的方式將剝離片6配置于上模的下表面。

然后，利用平板加壓裝置對密封片5和多個LED2、支承板7進行熱加壓。

在熒光體層3和/或透明層4含有具有熱塑性和熱固性的苯基系有機硅樹脂組合物的情況下，平板加壓裝置中的溫度為苯基系有機硅樹脂組合物的熱塑溫度或熱塑溫度以上，從一次性實施苯基系有機硅樹脂組合物的熱塑和熱固化的觀點考慮，平板加壓裝置中的溫度優(yōu)選為熱固化溫度或熱固化溫度以上，具體而言，例如為60℃以上，優(yōu)選為80℃以上，并且例如為150℃以下，優(yōu)選為120℃以下。

加壓壓力例如為0.1MPa以上，優(yōu)選為1MPa以上，并且例如為10MPa以下，優(yōu)選為5MPa以下。

加壓時間例如為1分鐘以上，優(yōu)選為5分鐘以上，并且例如為60分鐘以下，優(yōu)選為20分鐘以下。

在熒光體層3含有具有熱塑性和熱固性的苯基系有機硅樹脂組合物的情況下，利用所述熱加壓使熒光體層3塑化。接著，利用塑化后的熒光體層3來埋設多個LED2。具體而言，如圖1所示，利用熒光體層3來覆蓋LED2的上表面22和側面23。

另外，在透明層4含有具有熱塑性和熱固性的苯基系有機硅樹脂組合物的情況下，利用所述熱加壓來使透明層4塑化，從而使透明層4貼緊于熒光體層3。

由此，如圖2C所示，利用密封片5的熒光體層3來密封多個LED2。

之后，在熒光體層3和/或透明層4含有B階段化狀態(tài)的兩階段反應固化性樹脂組合物的情況下，使該兩階段反應固化性樹脂組合物C階段化。

在兩階段反應固化性樹脂組合物含有苯基系有機硅樹脂組合物的情況下，在苯基系有機硅樹脂組合物的反應(C階段化反應)中，含烯基聚硅氧烷中的鏈烯基和/或環(huán)烯基與含氫化甲硅烷基聚硅氧烷中的氫化甲硅烷基之間的硅氫加成反應被進一步促進。之后，鏈烯基和/或環(huán)烯基、或者含氫化甲硅烷基聚硅氧烷中的氫化甲硅烷基消失，硅氫加成反應結束，由此獲得C階段的苯基系有機硅樹脂組合物的生成物、即固化物。也就是說，通過硅氫加成反應的結束，苯基系有機硅樹脂組合物表現出固化性(具體而言為熱固性)。

上述生成物由下述平均組成式(3)表示。

平均組成式(3)：

R⁵_eSiO_(4-e)/2

(式中，R⁵表示含有苯基的、非取代或取代的碳數1～10的一價烴基(其中，不包括鏈烯基和環(huán)烯基。)。e為0.5～2.0。)

作為R⁵所示的非取代或取代的碳數1～10的一價烴基，可例示出與式(1)的R²所示的非取代或取代的碳數1～10的一價烴基以及式(2)的R³所示的非取代或取代的碳數1～10的一價烴基相同的一價烴基。優(yōu)選列舉出非取代的一價烴基，更優(yōu)選列舉出碳數1～10的烷基、碳數6～10的芳基，進一步優(yōu)選列舉出苯基和甲基的組合使用。

e優(yōu)選為0.7～1.0。

并且，生成物的平均組成式(3)的R⁵中的苯基的含有比例例如為30摩爾％以上，優(yōu)選為35摩爾％以上，并且例如為55摩爾％以下，優(yōu)選為50摩爾％以下。

生成物的平均組成式(3)的R⁵中的苯基的含有比例是與生成物的硅原子直接鍵合的一價烴基(在平均組成式(3)中以R⁵表示)中的苯基的濃度。

生成物的平均組成式(3)的R⁵中的苯基的含有比例通過¹H-NMR和²⁹Si-NMR算出。R⁵中的苯基的含有比例的詳細的計算方法如下：根據例如WO2011/125463等的記載，利用¹H-NMR和²⁹Si-NMR來算出。

接著，如圖2C的箭頭所示，將剝離片6自透明層4剝下。

由此，獲得被支承板7支承的狀態(tài)下的、包括多個LED2、熒光體層3、以及透明層4的密封LED集合體8。

之后，如圖2D的單點劃線所示，將密封LED集合體8切斷而單片化為多個LED2。具體而言，將與各LED2相對應的熒光體層3和透明層4沿著前后方向和左右方向切斷。由此，獲得被支承板7支承的狀態(tài)下的、包括1個LED2、以將LED2埋設的方式覆蓋LED2的熒光體層3、以及配置于熒光體層3的上表面的透明層4的被熒光體層密封的LED1。

接著，如圖2D的箭頭和和假想線所示，將多個被熒光體層密封的LED1自支承板7剝離。

由此，如圖2E所示，獲得包括1個LED2、以埋設LED2的方式覆蓋LED2的熒光體層3、以及配置于熒光體層3的上表面的透明層4的被熒光體層密封的LED1。

被熒光體層密封的LED1不包括支承板7(參照圖2C)和基板50(后述，參照圖2F)，優(yōu)選的是，被熒光體層密封的LED1由LED2、熒光體層3、透明層4構成。即，被熒光體層密封的LED1并不是接下來說明的LED裝置60(圖2F)，也就是說，不包括設于LED裝置60的基板50。也就是說，被熒光體層密封的LED1以還未與在LED裝置60的基板50上設置的端子(未圖示)電連接的方式構成。另外，被熒光體層密封的LED1是LED裝置60的一個零件、即是用于制作LED裝置60的零件，其是作為零件單獨流通的、能夠在產業(yè)上使用的器件。

之后，根據發(fā)光波長、發(fā)光效率來挑選出多個被熒光體層密封的LED1。

接著，如圖2F所示，將被熒光體層密封的LED1安裝于基板50。

具體而言，首先，準備在上表面設有端子(未圖示)的基板50。

基板50構成沿前后方向和左右方向延伸的大致矩形平板狀，其例如為絕緣基板。另外，基板50具有配置在其上表面的端子(未圖示)。

之后，如圖2F所示，將被熒光體層密封的LED1安裝于基板50。

具體而言，使被熒光體層密封的LED1中的LED2的凸塊(未圖示)與基板50的端子(未圖示)相接觸而使兩者電連接。也就是說，將被熒光體層密封的LED1的LED2倒裝法安裝于基板50。另外，使熒光體層3的下表面32與基板50相接觸。

由此，獲得包括基板50和安裝于基板50的被熒光體層密封的LED1的LED裝置60。優(yōu)選的是，LED裝置60由基板50和被熒光體層密封的LED1構成。也就是說，LED裝置60不包括剝離片6和/或支承板7，優(yōu)選的是，LED裝置60由基板50、LED2、熒光體層3、透明層4構成。

第1實施方式的作用效果

并且，如圖1所示，由于該被熒光體層密封的LED1包括覆蓋熒光體層3的上表面31的透明層4，因此能夠提高發(fā)光強度。具體而言，能夠使透明樹脂組合物(透明層4)與空氣之間的界面遠離(離開)作為光吸收體的基板50、LED2(LED2與熒光體層3之間的界面)。因此，自LED2朝向上側發(fā)光而被熒光體層3波長轉換后的光和沒有被熒光體層3波長轉換而透過熒光體層3的光即使在透明樹脂組合物(透明層4)與空氣之間的界面處被反射也不易返回到基板50、LED2(光吸收體)，因而能夠提高被熒光體層密封的LED1的發(fā)光強度。

另外，由于該被熒光體層密封的LED1滿足與所述x、y、z以及α有關的(1)～(4)的全部條件，因此能夠進一步提高發(fā)光強度，并且該被熒光體層密封的LED1具有優(yōu)異的顏色均勻性且能夠抑制顏色不均勻。

另外，在該被熒光體層密封的LED1中，若第1透明組合物(在熒光體層3中含有的透明樹脂組合物)的折射率RIp為1.45～1.60，則能夠提高被熒光體層密封的LED1的發(fā)光強度。

另外，在該被熒光體層密封的LED1中，若第1透明組合物(在熒光體層3中含有的透明樹脂組合物)的折射率RIp減去第2透明組合物(在透明層4中含有的透明樹脂組合物)的折射率RIt的值(折射率RIp-折射率RIt)為-0.70～0.20，則能夠提高被熒光體層密封的LED1的發(fā)光強度。

另外，在該被熒光體層密封的LED1中，若RIp-RIt為0.05以上，則能夠進一步提高被熒光體層密封的LED1的發(fā)光強度。

另外，在該被熒光體層密封的LED1中，若距離α超過50μm，則能夠提高顏色均勻性。

采用該被熒光體層密封的LED1的制造方法，能夠使用密封片5來簡單地制造被熒光體層密封的LED1。

采用該被熒光體層密封的LED1的制造方法，能夠簡單地制造具有期望的尺寸(y、z、α等)的被熒光體層密封的LED1。

變形例

在變形例中，對于與所述第1實施方式相同的構件和工序，標注相同的附圖標記而省略其詳細的說明。

在第1實施方式中，使LED2、熒光體層3、透明層4分別形成為俯視大致矩形形狀，但它們的形狀并不特別限定。也可以使LED2、熒光體層3、透明層4分別形成為例如俯視大致圓形形狀、俯視大致多邊形形狀(不包括大致矩形形狀)，對此沒有圖示。

并且，在第1實施方式中，如圖1所示，使透明層4形成為剖視大致矩形形狀，但也可以形成為例如上表面彎曲的截面圓頂形狀(或凸透鏡形狀)，對此沒有圖示。在該情況下，距離z是自熒光體層3的上表面31起到透明層4的最上面為止的距離。

并且，也可以使透明層4形成為朝向上側去橫截面變小的大致錐形狀、具體而言形成為四角錐形狀、三角錐形狀等多角錐形狀。

另外，在第1實施方式中，如圖1所示，熒光體層3的容納部30的周圍的下表面32構成為能夠與基板50相接觸的熒光體側可接觸面。但是，例如，如圖5所示，能夠使下表面32構成為可與基板50隔開間隔的可確保間隔面。

如圖5所示，熒光體層3的容納部30的周圍的下表面32自LED2暴露且位于LED2的比下表面21靠上側的部分。具體而言，在面方向上投影時，熒光體層3的下表面32位于LED2的下表面21和上表面22之間。即，在前后方向和左右方向上投影時，熒光體層3的下表面32配置在被包含在LED2的側面23內的位置。

由此，熒光體層3的下表面32使LED2的側面23的下端部暴露。

并且，在第1實施方式中，依次使熒光體層3和透明層4實現C階段化，也就是說，使熒光體層3實現C階段化，之后，使透明層4實現C階段化，但也可以是，例如使B階段狀態(tài)的熒光體層3和透明層4同時實現C階段化。

另外，在所述第1實施方式中，如圖2A～圖2E所示，使密封片5形成剝離片6之上，之后，利用密封片5來密封LED2。

但是，如圖3A～圖4C所示，能夠是，不將密封片5形成在剝離片6之上，在支承板7之上依次滴下(澆灌)熒光體樹脂組合物的清漆和透明樹脂組合物的清漆而依次形成熒光體層3和透明層4。

在該方法中，如圖3C所示，在支承板7之上滴下(澆灌)熒光體樹脂組合物的清漆。

為了在支承板7之上滴下熒光體樹脂組合物的清漆，首先，如圖3A所示，將1個LED2配置在支承板7的上表面。由此，準備了被支承板7支承的1個LED2。

如圖3A所示，另行準備第1堰11。

第1堰11形成為俯視大致矩形形狀。另外，在第1堰11的中央部形成有沿上下方向貫穿第1堰11的第1開口部13。第1開口部13形成為與熒光體層3的外形形狀相對應的俯視大致矩形形狀。

作為第1堰11的材料，可列舉出例如樹脂、浸漬有樹脂的玻璃布、金屬等。這些材料能夠單獨使用或組合使用。優(yōu)選列舉出樹脂。

作為樹脂，可列舉出熱固性樹脂、熱塑性樹脂。優(yōu)選列舉出熱固性樹脂。優(yōu)選的是，作為熱固化樹脂，可列舉出不能成為B階段狀態(tài)的一階段反應固化性樹脂。作為這樣的一階段反應固化性樹脂，可列舉出一階段反應固化性的甲基系有機硅樹脂組合物。作為一階段反應固化性的甲基系有機硅樹脂組合物，能夠使用例如ELASTOSIL系列(旭化成威克硅公司制造)，具體而言，ELASTOSIL LR7665等甲基系有機硅樹脂組合物)、KER系列(信越硅公司制造)等市售品。

此外，也可以作為配混有填料的樹脂組合物來制備樹脂。

第1堰11的厚度例如為100μm以上，優(yōu)選為200μm以上，更優(yōu)選為400μm以上，并且例如為1500μm以下。

接著，如圖3B所示，將第1堰11以包圍LED2的方式配置在支承板7的上表面上。

為了將第1堰11以包圍LED2的方式配置在支承板7的上表面上，首先，在第1堰11的材料為樹脂的情況下，制備含有樹脂的清漆，接著，將清漆涂敷在未圖示的剝離片的表面上。之后，在材料含有熱固性樹脂的情況下，對清漆進行加熱而使其固化。之后，將固化物外形加工成所述圖案。

之后，如圖3A的箭頭和圖3B所示，以LED2被插入到第1堰11的第1開口部13中的方式將第1堰11載置在支承板7的上表面上。

或者，也可以是，如圖3B所示，將清漆以所述圖案直接涂敷在LED2的周圍，從而在支承板7的上表面上直接形成第1堰11。

由此，將第1堰11以包圍LED2的方式配置在支承板7的上表面上。

接著，如圖3C所示，向支承板7上的第1堰11的第1開口部13內滴下熒光體樹脂組合物的清漆。具體而言，向第1開口部13內滴下清漆而使清漆的液面和第1堰11的上表面成為一個面。

之后，在熒光體樹脂組合物含有能夠成為B階段狀態(tài)的熱固性樹脂組合物的情況下，使熒光體樹脂組合物實現B階段化。

由此，在第1堰11的第1開口部13內形成覆蓋LED2的上表面22和側面23的熒光體層3。

接著，如圖3C的箭頭所示，將第1堰11自支承板7剝下。此時，第1堰11的第1開口部13的側面被自熒光體層3的側面33剝離。

接著，如圖3D和圖3E所示，將第2堰12配置在支承板7的上表面上。

除厚度之外，第2堰12與所述第1堰11同樣地構成。第2堰12的厚度形成得厚于第1堰11的厚度，具體而言，將第2堰12的厚度調整為能夠嵌入熒光體層3且能夠形成透明層4的厚度。第2堰12的厚度例如為0.1μm以上，優(yōu)選為0.2μm以上，并且例如為2μm以下，優(yōu)選為1μm以下。

如圖3D所示，在第2堰12上，在俯視時形成有與熒光體層3的形狀相同形狀的第2開口部14。

如圖3E所示，在支承板7之上，以熒光體層3被插入到第2開口部14內的方式將第2堰12載置在支承板7的上表面上。由此，將熒光體層3嵌入到第2開口部14內。

之后，如圖4A所示，向第2開口部14內的熒光體層3的上表面上滴下(澆灌)透明樹脂組合物的清漆。具體而言，向第2開口部14內滴下清漆而使清漆的液面和第2堰12的上表面成為一個面。

之后，在透明樹脂組合物含有能夠成為B階段狀態(tài)的熱固性樹脂組合物的情況下，使透明樹脂組合物熱固化(具體而言，C階段化)。由此，在熒光體層3的上表面上形成透明層4。

在要使透明樹脂組合物實現C階段化時，若熒光體層3的熒光體樹脂組合物為兩階段反應固化性樹脂組合物的B階段化狀態(tài)，則使熒光體樹脂組合物實現C階段化。

之后，如圖4B所示，沿著熒光體層3和透明層4這兩者與第2堰12之間的界面將熒光體層3、透明層4和第2堰12切斷。

由此，獲得被支承板7支承的狀態(tài)下的、包括1個LED2、熒光體層3以及透明層4的被熒光體層密封的LED1。

接下來，如圖4B的箭頭、假想線和圖4C所示，將被熒光體層密封的LED1自支承板7剝離。

之后，根據發(fā)光波長、發(fā)光效率來挑選被熒光體層密封的LED1。

之后，如圖4D所示，將被熒光體層密封的LED1安裝于基板50。

并且，采用圖3A～圖4D的方法，由于不必如第1實施方式那樣在剝離片6之上暫時制造密封片5(參照圖2A)，因此能夠由熒光體樹脂組合物的清漆和透明樹脂組合物的清漆簡單地依次形成熒光體層3和透明層4。

第2實施方式

在第2實施方式中，對于與所述第1實施方式相同的構件和工序，標注相同的附圖標記而省略其詳細的說明。

被熒光體層密封的LED

在第1實施方式中，如圖1所示，使熒光體層3的側面33暴露。但是，在第2實施方式中，如圖6所示，熒光體層3的側面33被透明層4覆蓋。

也就是說，透明層4覆蓋熒光體層3的上表面31和側面33。另外，透明層4形成為在俯視時包含熒光體層3的形狀。透明層4具有覆蓋熒光體層3的側面33的側部45。另外，透明層4的側部45的下表面41是能夠與基板50(假想線)相接觸的透明側可接觸面。

并且，由于透明層4具有側部45，因此透明層4的側面43(透明側連結面)與熒光體層3的側面33隔開距離β地相對配置在熒光體層3的側面33的外側。

透明層4的側面43與熒光體層3的側面33隔開的距離β是透明層4的側部45的左右方向長度和前后方向長度(最小長度)。

在超過0的范圍內適當選擇距離β。

在第2實施方式中，優(yōu)選的是，替代第1實施方式的(1)～(4)中的(3)，而滿足下述(3)’。

(3)’距離α與距離β的和(α+β)例如為50μm以上，優(yōu)選超過50μm，更優(yōu)選為100μm以上，并且例如為2000μm以下，優(yōu)選為1000μm以下。若α+β為所述下限以上，則能夠防止顏色均勻性的降低或能夠抑制顏色不均勻。若α+β為所述上限以下，則能夠抑制材料的無謂的使用。

此外，在第1實施方式中，β為0。因此，在本實用新型中，β優(yōu)選為0以上。

被熒光體層密封的LED的制造方法

接下來，參照圖7A～圖8F說明制造圖6所示的被熒光體層密封的LED的方法和使用被熒光體層密封的LED來制造LED裝置的方法。

被熒光體層密封的LED1的制造方法包括：制造包括熒光體層3的熒光密封片15的工序(熒光體層準備工序的一個例子，參照圖7A)、將熒光密封片15以熒光體層3覆蓋多個LED2的方式進行配置的工序(熒光體層配置工序的一個例子，參照圖7B)、去除熒光體層3中的遠離LED2的部分的工序(單片化/去除工序的一個例子，參照圖7D)、制造包括透明層4的透明片18的工序(透明層準備工序的一個例子，參照圖8A)、將被熒光體層密封的LED1再配置于第2支承板17的工序(參照圖8A)、將透明片18配置在熒光體層3之上的工序(透明層配置工序的一個例子，參照圖8B)。

在該方法中，首先，如圖7A所示，準備多個LED。

另行準備包括熒光體層3的熒光密封片15。

為了準備熒光密封片15，首先，如圖7A所示，準備剝離片6。

接著，在剝離片6的下表面以片狀形成熒光體層3。熒光體層3的形成方法與第1實施方式中的熒光體層3的形成方法相同。

由此，準備了包括剝離片6和形成于剝離片6的下表面的熒光體層3的熒光密封片15。

此外，熒光密封片15不具有后面說明的透明層4(參照圖8A)。優(yōu)選的是，熒光密封片15由剝離片6和熒光體層3構成。

接著，如圖7B所示，利用熒光體層3來密封多個LED2。也就是說，將熒光密封片15相對于支承LED2的支承板7進行壓接。由此，使熒光密封片15中的下表面32埋設多個LED2并形成與多個LED2的表面相對應的形狀。另一方面，熒光密封片15中的熒光體層3的上表面31形成為平坦狀。此外，熒光體層3覆蓋LED2的側面23和上表面22。

之后，在該方法中，如圖7C所示，將剝離片6自熒光體層3剝下。

接著，在該方法中，如圖7D所示，去除熒光體層3中的遠離LED2的部分。

具體而言，利用具有規(guī)定寬度(壁厚)的圓盤狀的切割鋸(切割刀片)9對熒光體層3中的遠離LED2的部分進行切削。由此，在熒光體層3中，將側部35的長度α調解為期望尺寸。也就是說，對熒光體層3進行外形加工而使熒光體層3成為規(guī)定的尺寸。

同時，使被熒光體層密封的LED1單片化。也就是說，將熒光密封片15以使被熒光體層密封的LED1單片化的方式切斷。此時，保留熒光體層3的覆蓋LED2的側面2的部分。

接著，如圖7E所示，之后，將單片化后的被熒光體層密封的LED1自支承板7剝下。

由此，獲得包括LED2和具有規(guī)定的尺寸的熒光體層3的被熒光體層密封的LED1。在該第2實施方式中，如圖7E的假想線和圖7F的實線所示的被熒光體層密封的LED1不包括透明層4。也就是說，該被熒光體層密封的LED1優(yōu)選由LED2和熒光體層3構成。

在該方法中，接著，如圖8A所示，將多個被熒光體層密封的LED1以在左右方向和前后方向上互相隔開間隔的方式排列配置于第2支承板17。也就是說，相對于第2支承板17再配置被熒光體層密封的LED1。

第2支承板17具有與所述支承板7相同的結構。

如圖8A所示，另行準備包括透明層4的透明片18。

為了準備透明片18，首先，如圖8A所示，在第2剝離片19的下表面以片狀形成透明層4。第2剝離片19具有與所述剝離片6相同的結構。透明層4的形成方法與第1實施方式中的熒光體層3的形成方法相同。第2透明組合物優(yōu)選含有填料。

由此，準備了包括第2剝離片19和形成于第2剝離片19的下表面的透明層4的透明片18。

此外，透明片18不具有所述熒光體層3。優(yōu)選的是，透明片18由第2剝離片19和透明層4構成。

接著，在該方法中，如圖8B所示，利用透明層4來覆蓋多個熒光體層3，該多個熒光體層3覆蓋多個LED2。

具體而言，將第2剝離片19相對于支承被熒光體層密封的LED1的第2支承板17進行壓接。

此外，在透明樹脂組合物含有B階段(半固化)狀態(tài)的苯基系有機硅樹脂組合物的情況下，進行熱壓接。由此，使B階段的苯基系有機硅樹脂組合物在加熱的作用下暫時塑化，從而將透明樹脂組合物填充到多個熒光體層3之間。之后，使透明樹脂組合物完全固化。

接著，如圖8C所示，將第2剝離片19自透明層4剝下。

由此，如圖8C所示，獲得支承于第2支承板17的狀態(tài)下的、密封LED集合體8，該密封LED集合體8是利用層疊有透明層4的熒光體層3密封有多個LED2而成的。

接著，如圖8D所示，以單片化為多個LED2的方式將密封LED集合體8切斷。

接著，如圖8D的箭頭和圖8E所示，將多個被熒光體層密封的LED1自支承板7剝下，從而獲得被熒光體層密封的LED1。

之后，如圖8F所示，將被熒光體層密封的LED1安裝于基板50，從而獲得LED裝置60。具體而言，如參照圖6的假想線那樣，使透明層4的側部45的下表面41與基板50相接觸。

第2實施方式的作用效果

并且，在該被熒光體層密封的LED1中，如圖6所示，由于透明層4具有對熒光體層3的側面33進行覆蓋的側部45，因此，與第1實施方式同樣地，能夠使透明樹脂組合物(透明層4)與空氣之間的界面遠離(離開)作為光吸收體的基板50、LED2(LED2與熒光體層3之間的界面)。因此，自LED2朝向上側發(fā)光而被熒光體層3波長轉換后的光和沒有被熒光體層3波長轉換而透過熒光體層3的光即使在透明樹脂組合物(透明層4)與空氣之間的界面處被反射也不易返回到基板50、LED2(光吸收體)，因而能夠提高被熒光體層密封的LED1的發(fā)光強度。

另一方面，在該第2實施方式中，如圖8A所示，之后，將配置有熒光體層3的被熒光體層密封的LED1再配置于與支承板7不同的支承臺、即第2支承板17，接著，如圖8B所示，利用透明層4來覆蓋熒光體層3。

與此相對，在第1實施方式的方法中，如上所述，與第2實施方式不同，不必將配置有熒光體層3的LED2再配置于第2支承板17。因此，能夠利用簡單的方法來制造被熒光體層密封的LED1。

另外，能夠通過切斷等簡單的方法在被熒光體層密封的LED1中的熒光體層3和透明層4上分別形成側面33和側面43。

如圖7A所示，由于該被熒光體層密封的LED1的制造方法包括準備包括片狀的熒光體層3的熒光密封片15的熒光體層準備工序和將片狀的熒光體層3以覆蓋LED2的方式進行配置的熒光體層配置工序，因此能夠使用片狀的熒光體層3來簡單地制造發(fā)光強度優(yōu)異的被熒光體層密封的LED1。

另外，采用該被熒光體層密封的LED1的制造方法，如圖7D所示，在單片化/去除工序中，在熒光體層配置工序之后、透明層配置工序之前，在將熒光體層3對應于多個LED2進行單片化的同時，去除熒光體層3中的遠離LED2的部分，因此，能夠利用較少的工時來制造具有期望的尺寸的被熒光體層密封的LED1。

并且，采用該被熒光體層密封的LED1的制造方法，如圖7D所示，在單片化/去除工序中，使熒光體層3的覆蓋LED2的側面23的部分殘存，能夠簡單地制造包括期望的尺寸的熒光體層3的被熒光體層密封的LED1。

另外，采用該被熒光體層密封的LED1的制造方法，如圖8A所示，由于使用片狀的透明層4，因此能夠簡單地制造發(fā)光強度優(yōu)異的被熒光體層密封的LED1。

變形例

在第2實施方式中，如圖6所示，使熒光體層3的容納部30的周圍的下表面32和透明層4的側部45的下表面41分別構成為能夠與基板50相接觸的熒光體側可接觸面和透明側可接觸面。但是，例如，如圖9所示，能夠使熒光體層3的容納部30的周圍的下表面32和透明層4的側部45的下表面41這兩個表面構成為能夠與基板50隔開間隔的可確保間隔面。

如圖9所示，熒光體層3的容納部30的周圍的下表面32和透明層4的側部45的下表面41位于LED2的比下表面21靠上側的部分。具體而言，在面方向上投影時，熒光體層3的容納部30的周圍的下表面32和透明層4的側部45的下表面41位于LED2的下表面21和上表面22之間。即，在前后方向和左右方向上投影時，熒光體層3的容納部30的周圍的下表面32和透明層4的側部45的下表面41配置在被包含在LED2的側面23內的位置。

另外，在第2實施方式中，如圖7B所示，使熒光密封片15中的熒光體層3的上表面31形成為平坦狀，但也可以是例如，如圖10B所示，使熒光體層3的上表面31形成為與多個LED2的表面相對應的凹凸形狀。

這樣的變形例具備制造包括熒光體層3的熒光密封片15的工序(熒光體層準備工序的一個例子，參照圖10A)、將熒光密封片15以熒光體層3覆蓋多個LED2的方式進行配置的工序(熒光體層配置工序的一個例子，參照圖10B)、去除熒光體層3中的遠離LED2的部分的工序(去除工序的一個例子，參照圖10D)、制造包括透明層4的透明片18的工序(透明層準備工序的一個例子，參照圖8A)、將被熒光體層密封的LED1再配置于第2支承板17的工序(參照圖8A)、以及將透明片18配置在熒光體層3之上的工序(參照圖8B)。

在該方法中，首先，如圖10A所示，準備多個LED。

另行準備包括熒光體層3的熒光密封片15。在準備熒光密封片15時，首先，如圖10A所示，準備剝離片6。

接著，在剝離片6的下表面形成熒光體層3。由此，準備了包括剝離片6和形成于剝離片6的下表面的熒光體層3的熒光密封片15。

接著，如圖10B所示，利用熒光體層3來密封多個LED2。也就是說，將熒光密封片15相對于支承LED2的支承板7進行壓接。此時，利用加壓裝置將熒光密封片15相對于LED2和支承板7進行壓接，該加壓裝置包括：上模，其配置于剝離片6的上側且具有與多個LED2相對應的凹部；下模，其為平板狀。利用所述加壓裝置使熒光體層3具有與多個LED2相對應的多個凸部。剝離片6覆蓋在熒光體層3的表面(包含突部的表面的側面)上。

之后，在該方法中，如圖10C所示，將剝離片6自熒光體層3剝下。

接著，在該方法中，如圖10D所示，將熒光體層3切斷，接著，如圖10E所示，單片化為被熒光體層密封的LED1。之后，將單片化后的被熒光體層密封的LED1自支承板7剝下。

也就是說，如圖10D所示，對熒光體層3進行外形加工而使其成為規(guī)定的尺寸。由此，去除熒光體層3中的遠離LED2的部分。

由此，如圖10E所示，獲得包括LED2和具有規(guī)定的尺寸的熒光體層3的被熒光體層密封的LED1。在該第2實施方式中，圖10D的假想線和圖10的實線所示的被熒光體層密封的LED1不包括透明層4。也就是說，該被熒光體層密封的LED1優(yōu)選由LED2和熒光體層3構成。

之后，與第2實施方式(參照圖8A～圖8F)同樣地將透明層4層疊于熒光體層3。

具體而言，如圖8A所示，首先，將多個被熒光體層密封的LED1在前后方向和左右方向互相隔開間隔地排列配置于第2支承板17。如圖8A所示，另行準備包括透明層4的透明片18。

接著，如圖8B所示，利用透明層4來覆蓋多個熒光體層3，該多個熒光體層3覆蓋多個LED2。具體而言，利用包括下模和下模的平板加壓裝置將透明層4相對于熒光體層3和第2支承板17進行壓接。

接著，如圖8C所示，將第2剝離片19自透明層4剝下。接著，如圖8D所示，以使多個LED2單片化的方式將密封LED集合體8切斷。接著，如圖8D的箭頭和圖8E所示，將多個被熒光體層密封的LED1自支承板7剝下，從而獲得被熒光體層密封的LED1。之后，如圖8F所示，將被熒光體層密封的LED1安裝于基板50，從而獲得LED裝置60。

另外，在第2實施方式中，如圖8A所示，首先，準備包括透明層4的透明片18，之后，利用片狀的透明層4來覆蓋多個熒光體層3，該多個熒光體層3覆蓋多個LED2，但也可以是例如，如參照圖8C那樣，能夠通過例如澆灌、傳遞成形、壓縮成形等由透明樹脂組合物(由透明樹脂組合物制備的清漆、粉末、壓片等)直接在第2支承板17之上將透明層4以覆蓋LED2的方式成形為片狀。

第3實施方式

在第3實施方式中，對于與所述第1實施方式相同的構件和工序，標注相同的附圖標記而省略其詳細的說明。

被熒光體層密封的LED

如圖11所示，熒光體層3在其周端部具有凸緣部36。

凸緣部36是自熒光體層3的覆蓋LED2的側面23部分向面方向外側突出的突出部。熒光體層3的凸緣部36的上表面位于比熒光體層3中的覆蓋LED2的上表面22的部分向下側下降一層的位置，因此，在凸緣部36的上表面和所述部分的上表面31之間形成有臺階。凸緣部36的外周面37自透明層4的側面43向外側暴露。凸緣部36的外周面37與透明層4的側面43在上下方向上形成為一個面。

凸緣部36的上表面39與透明層4的側部45的下表面41相接觸。

被熒光體層密封的LED的制造方法和LED裝置的制造方法

接下來，參照圖12A～圖13E說明制造圖11所示的被熒光體層密封的LED的方法和使用被熒光體層密封的LED來制造LED裝置的方法。

該被熒光體層密封的LED1的制造方法包括制造熒光密封片15的工序(參照圖12A)、將熒光密封片15以熒光體層3覆蓋多個LED2的方式進行配置的工序(參照圖12B)、在熒光體層3的位于相鄰的LED2之間的部分上形成凹部24的工序(參照圖12C)、制造包括透明層4的透明片18的工序(參照圖12D)、將透明片18配置在熒光體層3之上的工序(參照圖13A)、以及將熒光體層3和透明層4中的遠離LED2的部分切斷而使被熒光體層密封的LED1單片化的工序(參照圖13B)。

如圖12B的箭頭所示，在將熒光密封片15相對于支承板7配置之后，將剝離片6剝離。

熒光體層3的上表面具有平坦的表面。

如圖12C所示，為了在熒光體層3上形成凹部24，去除熒光體層3中的遠離LED2的部分。

具體而言，利用切割鋸9對熒光體層3中的遠離LED2的部分的上端部進行半切割。

通過形成凹部24而在熒光體層3上形成凸緣部36。

之后，如圖13A所示，將透明片18的透明層4配置在熒光體層3之上。從獲得優(yōu)異的氣體透過率的觀點考慮，透明層4優(yōu)選由透明樹脂組合物構成，該透明樹脂組合物由甲基系有機硅樹脂組合物構成。

接著，如圖13B所示，將熒光體層3和透明層4中的遠離LED2的部分切斷。

由此，如圖13C所示，獲得被第2支承板17支承的狀態(tài)下的多個被熒光體層密封的LED1。

之后，如圖13D所示，將多個被熒光體層密封的LED1轉印到轉印片25上。

之后，如圖13E所示，將被熒光體層密封的LED1自轉印片25再轉印到基板50上，而將被熒光體層密封的LED1安裝于基板50。由此，獲得LED裝置60。

第3實施方式的作用效果

在該被熒光體層密封的LED1中，如圖11所示，容納部30的內周面38覆蓋LED2的側面23且熒光體層3的凸緣部36的外周面37在側方暴露。因此，對于自LED2朝向側方發(fā)出的光，被熒光體層3的凸緣部36充分地波長轉換，而對于自LED2朝向上方發(fā)出的光，能夠將被熒光體層3波長轉換的光和沒有被波長轉換而透過熒光體層3的光在透明層4中適度地混合。其結果，使被熒光體層密封的LED1的配光性(抑制顏色不均勻)優(yōu)異。

另外，在透明層4中含有的甲基系有機硅樹脂組合物的壓敏粘接力(粘合力)高于苯基系有機硅樹脂組合物的壓敏粘接力(粘合力)。因此，在第2實施方式的圖7A～圖8E所示的方法中，若在圖8B的工序中利用所述透明層4將在第2支承板17的上表面暴露的多個LED2覆蓋，則會將透明層4以較高的壓敏粘接力(粘合力)壓敏粘接(粘合)于第2支承板17的上表面。因此，之后，存在不能良好地轉印到轉印片25(參照圖13C和圖13D)上的情況(也就是說，透明層4沒有自第2支承板17的上表面剝離的情況)。

但是，在第3實施方式的圖12A～圖13E所示方法中，由于透明層4沒有接觸(壓敏粘接)于支承板7的上表面，因此能夠防止透明層4壓敏粘接(粘合)于支承板7。

并且，該方法不必如第2實施方式那樣包括圖8A所示的、將被熒光體層密封的LED1再配置于第2支承板17的工序。因此，能夠減少制造工時，從而能夠降低制造成本。

變形例

在被熒光體層密封的LED1的制造方法的變形例中，除了不包括圖7D所示的、去除熒光體層3中的遠離LED2的部分的工序和圖8A所示的、將被熒光體層密封的LED1再配置于第2支承板17的工序以外，與第2實施方式的制造方法相同。

另外，該變形例除了不包括形成第3實施方式的凹部24的工序(參照圖12C)以外，與第3實施方式的制造方法相同。

即，在該方法中，首先，如圖14A所示，在支承板7之上準備多個LED2。與此同時，準備包括剝離片6和熒光體層3的熒光密封片15。

接著，如圖14B所示，利用熒光密封片15的熒光體層3來密封多個LED2。具體而言，利用包括下模和下模的平板加壓裝置將熒光體層3相對于多個LED2和支承板7進行壓接。

由此，在熒光體層3上形成凹部24。因此，使熒光體層3形成有凸緣部36。

接著，如圖14C所示，將剝離片6自熒光體層3剝下。

接著，如圖14D所示，準備了包括透明層4和第2剝離片19的透明片18。

接著，如圖15A所示，將透明片18的透明層4配置于熒光體層3的上表面，接著，將第2剝離片19自透明層4剝下。由此，獲得密封LED集合體8。

之后，如圖15B所示，將密封LED集合體8切斷而使其單片化為被熒光體層密封的LED1。

由此，如圖15C所示，獲得被熒光體層密封的LED1。

之后，在對被熒光體層密封的LED1進行挑選之后，如圖15D所示，將挑選出的被熒光體層密封的LED1安裝于基板50，從而獲得LED裝置60。

并且，在該變形例中，能起到與所述第3實施方式相同的作用效果。

另外，在圖14A～圖15C所示的方法中，與第2實施方式中的被熒光體層密封的LED1的制造方法相比，不必包括圖7D所示的、去除熒光體層3中的遠離LED2的部分的工序和圖8A所示的、將被熒光體層密封的LED1再配置于第2支承板17的工序。因此，能夠減少制造工時，從而能夠降低制造成本。

實施例

能夠將在以下的記載中使用的配混比例(含有比例)、物理屬性值、參數等具體的數值代替為在所述“具體實施方式”中記載的、與其相對應的配混比例(含有比例)、物理屬性值、參數等所述的上限值(以“以下”、“小于”的形式定義的數值)或下限值(以“以上”、“超過”的形式定義的數值)。

含烯基聚硅氧烷和含氫化甲硅烷基聚硅氧烷的合成

合成例1

將1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷93.2g、水140g、三氟甲磺酸0.38g以及甲苯500g投入到裝備有攪拌機、冷凝回流管、投入口以及溫度計的四口燒瓶中并進行混合，一邊攪拌一邊經1小時滴加甲基苯基二甲氧基硅烷729.2g與苯基三甲氧基硅烷330.5g的混合物四口燒瓶中，之后，進行了1小時加熱回流。之后，進行冷卻將下層(水層)分離并去除，對上層(甲苯溶液)進行了3次水洗。向水洗后的甲苯溶液加入氫氧化鉀0.40g，并一邊將水自水分離管去除一邊進行回流。在完成水的去除之后，進一步回流了5小時，然后進行了冷卻。之后，投入乙酸0.6g進行中和，之后，對過濾而得到的甲苯溶液進行了3次水洗。之后，通過減壓濃縮而得到了液體狀的含烯基聚硅氧烷A。含烯基聚硅氧烷A的平均單元式和平均組成式如下。

平均單元式：

((CH₂＝CH)(CH₃)₂SiO_1/2)_0.15(CH₃C₆H₅SiO_2/2)_0.60(C₆H₅SiO_3/2)_0.25

平均組成式：

(CH₂＝CH)_0.15(CH₃)_0.90(C₆H₅)_0.85SiO_1.05

也就是說，含烯基聚硅氧烷A顯示為R¹為乙烯基、R²為甲基和苯基、a＝0.15、b＝1.75的上述平均組成式(1)。

另外，通過凝膠滲透色譜法對含烯基聚硅氧烷A的聚苯乙烯換算重均分子量進行了測定，結果該重均分子量為2300。

合成例2

將1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷93.2g、水140g、三氟甲磺酸0.38g以及甲苯500g投入到裝備有攪拌機、冷凝回流管、投入口以及溫度計的四口燒瓶中并進行混合，一邊攪拌一邊經1小時滴加二苯基二甲氧基硅烷173.4g與苯基三甲氧基硅烷300.6g的混合物，在滴下結束后，進行了1小時加熱回流。之后，進行冷卻將下層(水層)分離去除，對上層(甲苯溶液)進行了3次水洗。向水洗后的甲苯溶液加入氫氧化鉀0.40g，一邊將水自水分離管去除一邊進行了回流。在完成水的去除之后，進一步回流了5小時，然后進行了冷卻。投入乙酸0.6g進行中和，之后，對過濾而得到了甲苯溶液進行了3次水洗。之后，通過減壓濃縮而得到了液體狀的含烯基聚硅氧烷B。含烯基聚硅氧烷B的平均單元式和平均組成式如下。

平均單元式：

(CH₂＝CH(CH₃)₂SiO_1/2)_0.31((C₆H₅)₂SiO_2/2)_0.22(C₆H₅SiO_3/2)_0.47

平均組成式：

(CH₂＝CH)_0.31(CH₃)_0.62(C₆H₅)_0.91SiO_1.08

也就是說，含烯基聚硅氧烷B顯示為R¹為乙烯基、R²為甲基和苯基、a＝0.31、b＝1.53的上述平均組成式(1)。

另外，通過凝膠滲透色譜法對含烯基聚硅氧烷B的聚苯乙烯換算重均分子量進行了測定，結果該重均分子量為1000。

合成例3

將二苯基二甲氧基硅烷325.9g、苯基三甲氧基硅烷564.9g以及三氟甲磺酸2.36g投入到裝備有攪拌機、冷凝回流管、投入口以及溫度計的四口燒瓶中并進行混合，加入1,1,3,3-四甲基二硅氧烷134.3g，一邊攪拌一邊經30分鐘滴加乙酸432g。在滴加結束后，一邊對混合物進行攪拌一邊升溫至50℃使之反應3小時。在冷卻到室溫之后，加入甲苯和水，良好地進行混合并靜置，然后將下層(水層)分離并去除。之后，對上層(甲苯溶液)進行了3次水洗，之后，通過減壓濃縮而得到了含氫化甲硅烷基聚硅氧烷C(交聯劑C)。

含氫化硅烷基聚硅氧烷C的平均單元式和平均組成式如下。

平均單元式：

(H(CH₃)₂SiO_1/2)_0.33((C₆H₅)₂SiO_2/2)_0.22(C₆H₅PhSiO_3/2)_0.45

平均組成式：

H_0.33(CH₃)_0.66(C₆H₅)_0.89SiO_1.06

也就是說，含氫化甲硅烷基聚硅氧烷C顯示為R³為甲基和苯基、c＝0.33、d＝1.55上述平均組成式(2)。

另外，利用凝膠滲透色譜法對含氫化甲硅烷基聚硅氧烷C的聚苯乙烯換算重均分子量進行了測定，結果該重均分子量為1000。

其他原料

下面，詳細敘述含烯基聚硅氧烷和含氫化甲硅烷基聚硅氧烷以外的原料。

LR7665：其是商品名且為甲基系有機硅樹脂組合物，折射率為1.41、旭化成威克硅公司制造

無機填料A：其是折射率為1.55且組成以及組成比率(質量％)為SiO₂/Al₂O₃/CaO/MgO＝60/20/15/5的無機填料，平均粒徑為15μm(利用分級調整了平均粒徑。)

Tospear TS2000B：其是有機硅系樹脂顆粒，平均粒徑為6.0μm，日本邁圖性能材料(日文：モメンティブ·パフォーマンス·マテリアルズ·ジャパン)公司制造

有機硅樹脂組合物的制備

制備例1

將含烯基聚硅氧烷A(合成例1)20g、含烯基聚硅氧烷B(合成例2)25g、含氫化甲硅烷基聚硅氧烷C(合成例3、交聯劑C)25g、以及鉑羰基絡合物5mg混合而制備了有機硅樹脂組合物A。

制備例2

作為有機硅樹脂組合物B(縮合·加成反應固化型有機硅樹脂組合物)，準備了日本特開2010-265436號公報所記載的實施例1的有機硅樹脂用組合物。

制造被熒光體層密封的LED

實施例1

向有機硅樹脂組合物A中混合了無機填料A，使得無機填料A相對于有機硅樹脂組合物A和無機填料A的總量達到50質量％，作為清漆而制備了透明樹脂組合物X。透明樹脂組合物X的折射率RIt為1.56。

向透明樹脂組合物X中混合了YAG468(熒光體、根元特殊化學公司制造)，使得YAG468相對于透明樹脂組合物X和YAG468的總量達到20質量％，并對它們進行混合，由此制備了熒光體樹脂組合物。

之后，利用涂敷器將透明樹脂組合物X以其加熱后的厚度達到650μm的方式涂敷在厚度50μm的剝離片(PTE片、商品名“SS4C”、新羽(日文：ニッパ)公司制造)的表面上，之后以90℃進行20分鐘加熱，由此制作了B階段的透明層。

接著，利用涂敷器將熒光體樹脂組合物以其加熱后的厚度達到350μm的方式涂敷在透明層的表面(上表面)上，之后以80℃進行11分鐘加熱，由此制作了B階段的熒光體層。

由此，制作了由剝離片、透明層、熒光體層構成的密封片(參照圖2A)。

之后，在不銹鋼板之上粘貼雙面帶(壓敏粘接劑層)，并在該雙面帶之上，以1.44mm的間距配置了多個LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、晶圓光電(日文：エピスター)公司制造)(參照圖2B)。之后，使用加熱到90℃的真空平板加壓裝置將密封片相對于多個LED進行了10分鐘熱壓接(參照圖2C)。具體而言，以使熒光體層與LED以及該LED的周圍的雙面帶相接觸的方式將密封片相對于多個LED進行了熱壓接。通過該熱壓接使熒光體層和透明層暫時塑化。由此，利用密封片密封了多個LED。

之后，以150℃進行了兩小時的后固化。由此，使熒光體層和透明層實現了C階段化。之后，將密封片切斷而使其單片化，從而在不銹鋼板之上制造了包括1個LED、熒光體層以及透明層的被熒光體層密封的LED(參照圖2C)。

接著，將剝離片自透明層剝下(參照圖2C的假想線)。接著，以使多個LED單片化的方式將密封LED集合體切斷(參照圖2D)。

之后，將被熒光體層密封的LED自雙面帶剝下(參照圖2D的箭頭和圖2E)。

由此，獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖2E)。

實施例2

另外，向透明樹脂組合物X中混合了YAG468(熒光體、根元特殊化學公司制造)，使得YAG468相對于透明樹脂組合物X和YAG468的總量達到12質量％，并對它們進行混合，由此制備了熒光體樹脂組合物。

之后，利用涂敷器將透明樹脂組合物X以其加熱后的厚度達到500μm的方式涂敷在厚度50μm的剝離片(PTE片、商品名“SS4C”、新羽公司制造)的表面上，之后以90℃進行20分鐘加熱，由此制作了B階段的透明層。

利用涂敷器將熒光體樹脂組合物以其加熱后的厚度達到500μm的方式涂敷在B階段的透明層之上，之后以80℃進行11分鐘加熱，由此制作了B階段的熒光體層。

由此，制作了由剝離片、透明層、以及熒光體層構成的密封片(參照圖2A)。

之后，在不銹鋼板之上粘貼雙面帶(壓敏粘接劑層)，并在該雙面帶之上，以1.64mm的間距配置了多個LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、晶圓光電公司制造)(參照圖2B)。之后，使用加熱到90℃的真空平板加壓裝置將密封片相對于多個LED進行了10分鐘熱壓接(參照圖2C)。具體而言，以使熒光體層與LED以及該LED的周圍的雙面帶相接觸的方式將密封片相對于多個LED進行了熱壓接。通過該熱壓接使熒光體層和透明層暫時塑化。由此，利用密封片密封了多個LED。

接著，將剝離片自透明層剝下(參照圖2C的假想線)。接著，以使多個LED單片化的方式將密封LED集合體切斷(參照圖2D)。

之后，將被熒光體層密封的LED自雙面帶剝下(參照圖2D的箭頭和圖2E)。

由此，獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖2E)。

實施例3

向透明樹脂組合物X中配混了YAG468(熒光體、根元特殊化學公司制造)，使得YAG468相對于透明樹脂組合物X和YAG468的總量達到10質量％，并對它們進行混合，由此制備了熒光體樹脂組合物。

之后，利用涂敷器將透明樹脂組合物X以其加熱后的厚度達到400μm的方式涂敷在厚度50μm的剝離片(PTE片、商品名“SS4C”、新羽公司制造)的表面上，之后以90℃進行20分鐘加熱，由此制作了B階段的透明層。

接著，利用涂敷器將熒光體樹脂組合物以其加熱后的厚度達到600μm的方式涂敷在透明層的表面(上表面)上，之后以80℃進行11分鐘加熱，由此制作了B階段的熒光體層。

由此，制作了由剝離片、透明層、熒光體層構成的密封片(參照圖2A)。

之后，在不銹鋼板之上粘貼雙面帶(壓敏粘接劑層)，并在該雙面帶之上，以1.84mm的間距配置了多個LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、晶圓光電公司制造)(參照圖2B)。之后，使用加熱到90℃的真空平板加壓裝置將密封片相對于多個LED進行了10分鐘熱壓接(參照圖2C)。具體而言，以使熒光體層與LED以及該LED的周圍的雙面帶相接觸的方式將密封片相對于多個LED進行了熱壓接。通過該熱壓接使熒光體層和透明層暫時塑化。由此，利用密封片密封了多個LED。

接著，將剝離片自透明層剝下(參照圖2C的假想線)。接著，以使多個LED單片化的方式將密封LED集合體切斷(參照圖2D)。

之后，將被熒光體層密封的LED自雙面帶剝下(參照圖2D的箭頭和圖2E)。

由此，獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖2E)。

實施例4

之后，利用涂敷器將透明樹脂組合物X以其加熱后的厚度達到900μm的方式涂敷在厚度50μm的剝離片(PTE片、商品名“SS4C”、新羽公司制造)的表面上，之后以90℃進行20分鐘加熱，由此制作了B階段的透明層。

由此，制作了由剝離片、透明層、熒光體層構成的密封片(參照圖2A)。

接著，將剝離片自透明層剝下(參照圖2C的假想線)。接著，以使多個LED單片化的方式將密封LED集合體切斷(參照圖2D)。

之后，將被熒光體層密封的LED自雙面帶剝下(參照圖2D的箭頭和圖2E)。

由此，獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖2E)。

實施例5

另外，向透明樹脂組合物X中配混了YAG468(熒光體、根元特殊化學公司制造)，使得YAG468相對于透明樹脂組合物X和YAG468的總量達到11質量％，并對它們進行混合，由此制備了熒光體樹脂組合物。

接著，利用涂敷器將熒光體樹脂組合物以其加熱后的厚度達到500μm的方式涂敷在透明層的表面(上表面)上，之后以80℃進行11分鐘加熱，由此制作了B階段的熒光體層。

由此，制作了由剝離片、透明層、熒光體層構成的密封片(參照圖2A)。

接著，將剝離片自透明層剝下(參照圖2C的假想線)。接著，以使多個LED單片化的方式將密封LED集合體切斷(參照圖2D)。

之后，將被熒光體層密封的LED自雙面帶剝下(參照圖2D的箭頭和圖2E)。

由此，獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖2E)。

實施例6

向透明樹脂組合物X中配混了YAG468(熒光體、根元特殊化學公司制造)，使得YAG468相對于透明樹脂組合物X和YAG468的總量達到13質量％，并對它們進行混合，由此制備了熒光體樹脂組合物。

由此，制作了由剝離片、透明層、以及熒光體層構成的密封片(參照圖2A)。

之后，在不銹鋼板之上粘貼雙面帶(壓敏粘接劑層)，并在該雙面帶之上，以1.44mm的間距配置了多個LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、晶圓光電公司制造)(參照圖2B)。之后，使用加熱到90℃的真空平板加壓裝置將密封片相對于多個LED進行了10分鐘熱壓接(參照圖2C)。具體而言，以使熒光體層與LED以及該LED的周圍的雙面帶相接觸的方式將密封片相對于多個LED進行了熱壓接。通過該熱壓接使熒光體層和透明層暫時塑化。由此，利用密封片密封了多個LED。

之后，以150℃進行了兩小時的后固化(C階段化)，之后，將密封片切斷而使其單片化，從而在不銹鋼板之上制造了包括1個LED、熒光體層以及透明層的被熒光體層密封的LED(參照圖2C)。

接著，將剝離片自透明層剝下(參照圖2C的假想線)。接著，以使多個LED單片化的方式將密封LED集合體切斷(參照圖2D)。

之后，將被熒光體層密封的LED自雙面帶剝下(參照圖2D的箭頭和圖2E)。

由此，獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖2E)。

實施例7

向有機硅樹脂組合物B中混合了TospearTS2000B，使得TospearTS2000B相對于有機硅樹脂組合物B和TospearTS2000B的總量達到30質量％，作為清漆而制備了透明樹脂組合物Y。

另外，向透明樹脂組合物X中配混了YAG468(熒光體、根元特殊化學公司制造)，使得YAG468相對于透明樹脂組合物X和YAG468的總量達到18質量％，并對它們進行混合，由此制備了熒光體樹脂組合物。

接著，利用涂敷器將熒光體樹脂組合物以其加熱后的厚度達到500μm的方式涂敷在500μm的、作為透明層的玻璃板(折射率RIt：1.52)之上，之后以135℃進行15分鐘加熱，由此在玻璃板之上制備了B階段的熒光體層。由此，制備了包括玻璃板和熒光體層的密封片(參照圖2A)。

之后，在不銹鋼板之上粘貼雙面帶(壓敏粘接劑層)，并在該雙面帶之上，以1.64mm的間距配置了多個LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、晶圓光電公司制造)(參照圖2B)。之后，使用室溫的真空平板加壓裝置將密封片相對于多個LED進行了10分鐘熱壓接。具體而言，以使熒光體層與LED以及該LED的周圍的雙面帶相接觸的方式將密封片相對于多個LED進行了壓接。由此，利用密封片密封了多個LED。

之后，以150℃進行了兩小時加熱而使熒光體層熱固化(C階段化)。之后，將密封片切斷而使其單片化，從而在不銹鋼板之上制造了包括1個LED、熒光體層以及玻璃板的被熒光體層密封的LED(參照圖2C)。

接著，以使多個LED單片化的方式將密封LED集合體切斷(參照圖2D)。

之后，將被熒光體層密封的LED自雙面帶剝下(參照圖2D的箭頭和圖2E)。

由此，獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖2E)。

實施例8

向透明樹脂組合物X中配混了YAG468(熒光體、根元特殊化學公司制造)，使得YAG468相對于透明樹脂組合物X和YAG468的總量達到12質量％，并對它們進行混合，由此制備了熒光體樹脂組合物。

接著，以使TospearTS2000B相對于LR7665和TospearTS2000B的總量達到30質量％的方式向LR7665混合了TospearTS2000B而構成了清漆(折射率RIt：1.41)，利用涂敷器將該清漆以其加熱后的厚度達到500μm的方式涂敷在厚度50μm的剝離片(PTE片、商品名“SS4C”、新羽公司制造)的表面上，之后以100℃進行10分鐘加熱，由此制作了C階段的透明層。

由此，制作了由剝離片、透明層、熒光體層構成的密封片(參照圖2A)。

之后，在不銹鋼板之上粘貼雙面帶(壓敏粘接劑層)，并在該雙面帶之上，以1.64mm的間距配置了多個LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、晶圓光電公司制造)(參照圖2B)。之后，使用加熱到90℃的真空平板加壓裝置將密封片相對于多個LED進行了10分鐘熱壓接(參照圖2C)。具體而言，以使熒光體層與LED以及該LED的周圍的雙面帶相接觸的方式將密封片相對于多個LED進行了熱壓接。通過該熱壓接使熒光體層暫時塑化。由此，利用密封片密封了多個LED。

之后，以150℃進行了兩小時的后固化。由此，使熒光體層實現了C階段化。之后，將密封片切斷而使其單片化，從而在不銹鋼板之上制造了包括1個LED、熒光體層以及透明層的被熒光體層密封的LED(參照圖2C)。

接著，將剝離片自透明層剝下(參照圖2C的假想線)。接著，以使多個LED單片化的方式將密封LED集合體切斷(參照圖2D)。

之后，將被熒光體層密封的LED自雙面帶剝下(參照圖2D的箭頭和圖2E)。

由此，獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖2E)。

實施例9

向100質量份的有機硅樹脂組合物A中混合了YAG468(根元特殊化學公司制造)，使得YAG468相對于有機硅樹脂組合物A和YAG468的總量達到17質量％，作為清漆而制備了熒光體樹脂組合物。

在不銹鋼板之上粘貼雙面帶，并在該雙面帶之上搭載(配置)了1個LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、晶圓光電公司制造)(參照圖3A)。

另行制作了第1堰和第2堰(參照圖3A和圖3D)。

即，涂敷LR7665(折射率1.41)而使LR7665的厚度達到500μm，以100℃進行10分鐘固化(熱固化)，接著，將固化片加工成外框尺寸10mm×10mm、內框尺寸(內尺寸)1.64mm×1.64mm的矩形框形狀，從而制作了第1堰(參照圖3A)。也就是說，第1堰的外形尺寸為10mm×10mm，矩形形狀的開口部的內尺寸為1.64mm×1.64mm。

接著，除了將第2堰的厚度變更為1mm以外，與第1堰同樣地將制作了第2堰(參照圖3D)。

接著，在不銹鋼板之上的LED的周圍設置了第1堰(參照圖3B)。接著，將熒光體樹脂組合物的清漆滴在第1堰的第1開口部內，對液量進行調整而使液體厚度達到500μm，以100℃通過10分鐘使熒光體樹脂組合物實現了B階段化(參照圖3C)。由此，獲得了B階段狀態(tài)的熒光體層。之后，去除了第1堰(參照圖3C的箭頭)。

然后，將第2堰設置在不銹鋼板之上的熒光體層的周圍(參照圖3E)。之后，將有機硅樹脂組合物A滴在第2堰的第2開口部內，對液量進行調整而使合計的厚度達到1mm。接著，以150℃通過兩小時使有機硅樹脂組合物A熱固化(C階段化)，從而得到了C階段狀態(tài)的透明層(參照圖4A)。接著，沿著熒光體層與透明層之間的邊界(界面)進行切割(參照圖4B)而制備了被熒光體層密封的LED(參照圖4C)。

實施例10

向有機硅樹脂組合物A中混合了YAG468(根元特殊化學公司制造)，使得YAG468相對于有機硅樹脂組合物A和YAG468的總量達到18質量％，作為清漆而制備了熒光體樹脂組合物。

在不銹鋼板之上粘貼雙面帶，并在該雙面帶之上搭載(配置)了1個LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、晶圓光電公司制造)(參照圖3A)。

另行制作了第1堰和第2堰(參照圖3A和圖3D)。

即，涂敷LR7665(折射率1.41)而使LR7665的厚度達到500μm，以在100℃進行10分鐘固化(熱固化)，接著，將固化片加工成外框尺寸10mm×10mm、內框尺寸(內尺寸)1.64mm×1.64mm的矩形框形狀，從而制作了第1堰(參照圖3A)。也就是說，第1堰的外形尺寸為10mm×10mm，矩形形狀的開口部的內尺寸為1.64mm×1.64mm。

接著，除了將第2堰的厚度變更為1mm以外，與第1堰同樣地制作了第2堰(參照圖3D)。

然后，將第2堰設置在不銹鋼板之上的熒光體層的周圍(參照圖3E)。之后，將LR7665(折射率1.41)滴在第2堰的第2開口部內，對液量進行調整而使合計的厚度達到1mm。接著，以150℃通過兩小時使有機硅樹脂組合物A熱固化(C階段化)，從而得到了C階段狀態(tài)的透明層(參照圖4A)。接著，沿著熒光體層與透明層之間的邊界(界面)進行切割(參照圖4B)而制備了被熒光體層密封的LED(參照圖4C)。

實施例11

向有機硅樹脂組合物A中混合了無機填料A，使得無機填料A相對于有機硅樹脂組合物A和無機填料A的總量達到50質量％，作為清漆而制備了透明樹脂組合物X。透明樹脂組合物X的折射率為1.56。

向透明樹脂組合物X中配混了YAG468(熒光體、根元特殊化學公司制造)，使得YAG468相對于透明樹脂組合物X和YAG468的總量達到50質量％，并對它們進行混合，由此制備了熒光體樹脂組合物。

之后，利用涂敷器將透明樹脂組合物X以其加熱后的厚度達到800μm的方式涂敷在厚度50μm的剝離片(PTE片、商品名“SS4C”、新羽公司制造)的表面上，之后以90℃進行20分鐘加熱，由此制作了B階段的透明層。

接著，利用涂敷器將熒光體樹脂組合物以其加熱后的厚度達到200μm的方式涂敷在透明層的表面(上表面)上，之后以80℃進行11分鐘加熱，由此制作了B階段的熒光體層。

由此，制作了由剝離片、透明層、熒光體層構成的密封片(參照圖2A)。

之后，在不銹鋼板之上粘貼雙面帶(壓敏粘接劑層)，并在該雙面帶之上，以1.24mm的間距配置了多個LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、晶圓光電公司制造)(參照圖2B)。之后，使用加熱到90℃的真空平板加壓裝置將密封片相對于多個LED進行了10分鐘熱壓接(參照圖2C)。具體而言，以使熒光體層與LED以及該LED的周圍的雙面帶相接觸的方式將密封片相對于多個LED進行了熱壓接。通過該熱壓接使熒光體層和透明層暫時塑化。由此，利用密封片密封了多個LED。

接著，將剝離片自透明層剝下(參照圖2C的假想線)。接著，以使多個LED單片化的方式將密封LED集合體切斷(參照圖2D)。

之后，將被熒光體層密封的LED自雙面帶剝下(參照圖2D的箭頭和圖2E)。

由此，獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖2E)。

實施例12

向透明樹脂組合物X中配混了YAG468(熒光體、根元特殊化學公司制造)，使得YAG468相對于透明樹脂組合物X和YAG468的總量達到30質量％，并對它們進行混合，由此制備了熒光體樹脂組合物。

之后，利用涂敷器將透明樹脂組合物X以其加熱后的厚度達到50μm的方式涂敷在厚度50μm的剝離片(PTE片、商品名“SS4C”、新羽公司制造)的表面上，之后以90℃進行20分鐘加熱，由此制作了B階段的透明層。

接著，利用涂敷器將熒光體樹脂組合物以其加熱后的厚度達到300μm的方式涂敷在透明層的表面(上表面)上，之后以80℃進行11分鐘加熱，由此制作了B階段的熒光體層。

由此，制作了由剝離片、透明層、熒光體層構成的密封片(參照圖2A)。

之后，在不銹鋼板之上粘貼雙面帶(壓敏粘接劑層)，并在該雙面帶之上，以1.34mm的間距配置了多個LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、晶圓光電公司制造)(參照圖2B)。之后，使用加熱到90℃的真空平板加壓裝置將密封片相對于多個LED進行了10分鐘熱壓接(參照圖2C)。具體而言，以使熒光體層與LED以及該LED的周圍的雙面帶相接觸的方式將密封片相對于多個LED進行了熱壓接。通過該熱壓接使熒光體層和透明層暫時塑化。由此，利用密封片密封了多個LED。

接著，將剝離片自透明層剝下(參照圖2C的假想線)。接著，以使多個LED單片化的方式將密封LED集合體切斷(參照圖2D)。

之后，將被熒光體層密封的LED自雙面帶剝下(參照圖2D的箭頭和圖2E)。

由此，獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖2E)。

實施例13

向透明樹脂組合物X中配混了YAG468(熒光體、根元特殊化學公司制造)，使得YAG468相對于透明樹脂組合物X和YAG468的總量達到8質量份，并對它們進行混合，由此制備了熒光體樹脂組合物。

之后，利用涂敷器將透明樹脂組合物X以其加熱后的厚度達到100μm的方式涂敷在厚度50μm的剝離片(PTE片、商品名“SS4C”、新羽公司制造)的表面上，之后以90℃進行20分鐘加熱，由此制作了B階段的透明層。

接著，利用涂敷器將熒光體樹脂組合物以其加熱后的厚度達到900μm的方式涂敷在透明層的表面(上表面)上，之后以80℃進行11分鐘加熱，由此制作了B階段的熒光體層。

由此，制作了由剝離片、透明層、熒光體層構成的密封片(參照圖2A)。

接著，將剝離片自透明層剝下(參照圖2C的假想線)。接著，以使多個LED單片化的方式將密封LED集合體切斷(參照圖2D)。

之后，將被熒光體層密封的LED自雙面帶剝下(參照圖2D的箭頭和圖2E)。

由此，獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖2E)。

實施例14

向透明樹脂組合物X中配混了YAG468(熒光體、根元特殊化學公司制造)，使得YAG468相對于透明樹脂組合物X和YAG468的總量達到28質量％，并對它們進行混合，由此制備了熒光體樹脂組合物。

之后，利用涂敷器將熒光體樹脂組合物以其加熱后的厚度達到150μm的方式涂敷在厚度50μm的剝離片(PTE片、商品名“SS4C”、新羽公司制造)的表面上，之后以90℃進行20分鐘加熱，由此制作了B階段的熒光體層。由此，制作了由剝離片和熒光體層構成的熒光密封片(熒光體層準備工序、參照圖7A)。

之后，在不銹鋼板之上粘貼雙面帶(壓敏粘接劑層)，并在該雙面帶之上，以1.54mm的間距配置了多個LED(EDI-FA4545A、尺寸：1.14mm×1.14mm×150μm、晶圓光電公司制造)。之后，使用加熱到90℃的真空平板加壓裝置將熒光密封片相對于多個LED進行了10分鐘熱壓接。具體而言，使用真空平板加壓裝置以使熒光體層與LED以及該LED的周圍的雙面帶相接觸的方式將熒光密封片相對于多個LED進行了熱壓接(熒光體層配置工序、參照圖7B)。使熒光體層的上表面形成為平坦狀。

之后，將剝離片自熒光體層剝下(參照圖7C)。

接著，在去除熒光體層中的遠離LED的部分的同時，使被熒光體層密封的LED單片化(單片化/去除工序、參照圖7D)。也就是說，利用壁厚200μm的切割鋸將透明片切斷。

由此，獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖7F)。

之后，將多個被熒光體層密封的LED在前后方向和左右方向上互相隔開間隔地排列配置于第2支承板(參照圖8A)。

另外，利用涂敷器將透明樹脂組合物X以其加熱后的厚度達到850μm的方式涂敷在厚度50μm的第2剝離片(PTE片、商品名“SS4C”、新羽公司制造)的表面上，之后以90℃進行20分鐘加熱，由此制作了B階段的透明層。由此，制備了由第2剝離片和透明層構成的透明片(透明層準備工序、參照圖8A)。

接著，利用透明片的透明層來覆蓋多個熒光體層(透明層配置工序、圖8B)，該多個熒光體層覆蓋多個LED。

接著，將第2剝離片自透明層剝下(參照圖8C)。接著，以使多個LED單片化的方式將密封LED集合體切斷(參照圖8D)。

之后，將被熒光體層密封的LED自雙面帶剝下(參照圖8D的箭頭)。

由此，獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖8E)。

比較例1

制作未形成透明層的覆蓋片，除了利用該覆蓋片的透明層來覆蓋LED以外，與實施例8同樣地進行處理而獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖16)。

比較例2

除了制作未形成透明層的覆蓋片，除了利用該覆蓋片的透明層來覆蓋LED以外，與實施例14同樣地進行處理而獲得了被熒光體層密封的LED(參照圖17)。

評價

發(fā)光強度

將各實施例和各比較例的被熒光體層密封的LED安裝于基板而制造了LED裝置(參照圖1的假想線、圖2F、圖16的假想線、圖17的假想線)。接著，以300mA的電流將總光通量測量裝置點亮，并求出了發(fā)光強度。

根據下述基準評價了得到的發(fā)光強度。

A：發(fā)光強度為135lm以上

B：發(fā)光強度為128lm以上且小于135lm

C：發(fā)光強度為118lm以上且小于128lm

D：發(fā)光強度為110lm以上且小于118lm

E：發(fā)光強度小于110lm

顏色均勻性

準備了各10個(n＝10)各實施例和各比較例的被熒光體層密封的LED，將所述被熒光體層密封的LED安裝于基板而制造了LED裝置(參照圖1的假想線、圖2F、圖16的假想線、圖17的假想線)。接著，對光學特性的CIE y進行測量，并求出了10個被熒光體層密封的LED的偏差。然后，將最大值與最小值之差為0.03以下的情況評價為○，將最大值與最小值之差超過0.03的情況評價為0.03評價為×。

配光性(顏色不均勻)

將各實施例和各比較例的被熒光體層密封的LED安裝于基板而制造了LED裝置(參照圖1的假想線、圖2F、圖16的假想線、圖17的假想線)。接著，利用配光測量裝置(大塚電子公司制造GP-7)，以5°為單位對該LED裝置的-85°～85°方向的色度進行了測量。求出了各方向上的色度的偏差。并且，將最大值與最小值之差為0.02以下的情況評價為○，將最大值與最小值之差超過0.02的情況評價為×。

可靠性(燒黑)

將各實施例和各比較例的被熒光體層密封的LED安裝于基板而制造了LED裝置(參照圖1的假想線、圖2F、圖16的假想線、圖17的假想線)。接著，以1A的電流將總光通量測量裝置點亮1000小時，利用目視來觀察熒光體層和透明層，并根據以下的基準對被熒光體層密封的LED和LED裝置的可靠性進行了評價。

○：沒有在熒光體層或透明層觀察到燒黑。

△：在熒光體層或透明層觀察到略微燒黑。

×：在熒光體層或透明層觀察到燒黑。

對通過有機硅樹脂組合物A的反應獲得的生成物的烴基(R⁵)中的苯基的含有比例進行測量

利用¹H-NMR和²⁹Si-NMR計算出通過有機硅樹脂組合物A(也就是說，不含有填料的有機硅樹脂組合物A)的反應獲得的生成物中的、與硅原子直接鍵合的烴基(平均組成式(3)的R⁵)中的苯基的含有比例(摩爾％)。

具體而言，在不添加填料的情況下，以100℃使A階段的有機硅樹脂組合物A進行1小時反應(完全固化、C階段化)，獲得了生成物。

接著，對獲得的生成物的¹H-NMR和²⁹Si-NMR進行測量，計算出與硅原子直接鍵合的烴基(R⁵)中的苯基所占的比例(摩爾％)。

其結果，該比例為48％。

將各實施例和各比較例中的各層的結構和配方表示在表1中。

表1