本發(fā)明涉及一種低漏磁空心電抗器。

背景技術(shù)：

電抗器在電子設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，其細(xì)分為串聯(lián)電抗器、并聯(lián)電抗器、限流電抗器、濾波電抗器、阻波器等，其型式有空心式、鐵芯式等；其中空心電抗器是電力系統(tǒng)中用于限制短路電流、無(wú)功補(bǔ)償和移相等的電感性高壓電器，磁通經(jīng)空氣形成回路，故稱空心式電抗器；一般的空心電抗器空心電感感量較小，而且會(huì)對(duì)外漏磁，對(duì)周邊磁敏感元器件造成損傷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述存在的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的是：提出了一種低漏磁空心電抗器。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種低漏磁空心電抗器,包含上電抗器和下電抗器，上電抗器設(shè)置在下電抗器的上側(cè)，上電抗器上設(shè)置有上銅排，下電抗器上設(shè)置有下銅排；所述下電抗器的線圈外側(cè)設(shè)置有一圈導(dǎo)磁層，下電抗器的線圈的放置方向與導(dǎo)磁層垂直，上電抗器的線圈方向與下電抗器的線圈方向垂直。

優(yōu)選的，所述導(dǎo)磁層由高導(dǎo)磁硅鋼片組成，每?jī)善桎撈M成一層導(dǎo)磁單元，多層導(dǎo)磁單元交錯(cuò)堆疊組成導(dǎo)磁層。

優(yōu)選的，所述下電抗器的線圈為空心結(jié)構(gòu)，線圈中部通過(guò)直角狗骨支撐，并在線圈中部設(shè)置溫控開關(guān)和熱敏電阻。

優(yōu)選的，所述上電抗器中設(shè)置有3個(gè)線圈。

優(yōu)選的，所述上電抗器的頂部設(shè)置有吊裝環(huán)。

由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明的低漏磁空心電抗器,由上下兩個(gè)電抗器形成組合結(jié)構(gòu)，并在下電抗器的外圍設(shè)置一圈導(dǎo)磁層，導(dǎo)磁層采用高導(dǎo)磁硅鋼片，減小空心電感對(duì)外的漏磁，降低周邊磁敏感元器件的損傷，使空心電感感量增大，體積變小，又能保留空心電抗器不飽和特點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作進(jìn)一步說(shuō)明：

附圖1為本發(fā)明的一種低漏磁空心電抗器的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明。

如圖1所示，本發(fā)明所述的一種低漏磁空心電抗器,包含上電抗器1和下電抗器2，上電抗器1的框架安裝在下電抗器2的框架上，上電抗器1上設(shè)置有上銅排3，下電抗器2上設(shè)置有下銅排4；所述下電抗器2的線圈為空心結(jié)構(gòu)，線圈中部通過(guò)直角狗骨支撐，并在線圈的空心部位中設(shè)置160℃常閉溫控開關(guān)和70℃常開溫控開關(guān)，以及兩個(gè)相應(yīng)的熱敏電阻；所述下電抗器2的框架上，在線圈外側(cè)設(shè)置有一圈導(dǎo)磁層5，導(dǎo)磁層5由多片高導(dǎo)磁硅鋼片組成，每?jī)善桎撈M成一層導(dǎo)磁單元，多層導(dǎo)磁單元交錯(cuò)堆疊組成導(dǎo)磁層5；下電抗器2的線圈的放置方向與導(dǎo)磁層5的方向垂直；所述上電抗器1的頂部設(shè)置有吊裝環(huán)6，上電抗器1中設(shè)置有3個(gè)線圈，上電抗器1的線圈方向與下電抗器2的線圈方向垂直。

以上僅是本實(shí)用新型的具體應(yīng)用范例，對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不構(gòu)成任何限制。凡采用等同變換或者等效替換而形成的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)。