本實(shí)用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種芯片電阻器。

背景技術(shù)：

隨著射頻技術(shù)的不斷發(fā)展與成熟，在射頻電路中不可缺少的片式厚膜電阻器被大量使用。傳統(tǒng)的片式厚膜固定電阻器的調(diào)阻方式分為激光調(diào)阻方式與噴砂調(diào)阻方式。其中激光調(diào)阻一般采用L型調(diào)阻方式，即使用激光在電阻上切割出L形切槽，其特點(diǎn)是調(diào)阻效率和調(diào)阻精度高。

然而上述激光調(diào)阻方式制作的厚膜電阻器在高頻環(huán)境下，其L型切槽增加了電阻器的寄生阻抗，在“L”轉(zhuǎn)角處會增加電阻寄生電容，從而增加了高頻信號傳輸損耗，無法達(dá)到有效傳輸高頻信號的目的。

針對上述芯片電阻器的L型切槽產(chǎn)生寄生阻抗，影響高頻信號傳輸?shù)膯栴}，目前尚未提出有效的解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種芯片電阻器，減小芯片電阻器在高頻環(huán)境下的寄生阻抗，提高高頻型號傳輸能力。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型實(shí)施例采用的技術(shù)方案如下：

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種芯片電阻器，包括：基體、電極、電阻體和保護(hù)層；

電極設(shè)置在基體的上表面；

電阻體與保護(hù)層設(shè)置在上表面；

電阻體內(nèi)設(shè)置有U型切口，U型切口將電阻體分割為兩個分離的部分，一部分為位于U型切口內(nèi)，且保護(hù)層下部的電阻切割體；另一部分為位于U型切口外，且保護(hù)層下部的電阻主體；

電阻主體與電極連接；保護(hù)層保護(hù)電阻體。

結(jié)合上述實(shí)施例，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了第一種可能的實(shí)施方式，其中，電阻體的U型切口是激光調(diào)阻產(chǎn)生的切槽。

結(jié)合上述實(shí)施例，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了第二種可能的實(shí)施方式，其中，

電極包括一對供電電極，一對供電電極分別位于基體的相對兩端，一對供電電極通過電阻體橋接。

結(jié)合上述實(shí)施例、及其第一或第二種可能的實(shí)施方式，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了第三種可能的實(shí)施方式，其中，基體是矩形陶瓷基體。

結(jié)合上述實(shí)施例、及其第一或第二種可能的實(shí)施方式，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了第四種可能的實(shí)施方式，其中，電阻體由氧化釕構(gòu)成。

結(jié)合上述實(shí)施例、及其第一或第二種可能的實(shí)施方式，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了第五種可能的實(shí)施方式，其中，電極是Au電極。

結(jié)合上述實(shí)施例、及其第一或第二種可能的實(shí)施方式，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了第六種可能的實(shí)施方式，其中，保護(hù)層采用玻璃保護(hù)層。

結(jié)合上述實(shí)施例、及其第一或第二種可能的實(shí)施方式，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了第七種可能的實(shí)施方式，其中，保護(hù)層遠(yuǎn)離電阻體的一側(cè)設(shè)置有封裝層。

結(jié)合上述第七種可能的實(shí)施方式，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了第一方面的第八種可能的實(shí)施方式，其中，封裝層采用環(huán)氧樹脂材料。

結(jié)合上述實(shí)施例、及其第一或第二種可能的實(shí)施方式，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了第九種可能的實(shí)施方式，還包括焊盤，焊盤設(shè)置在基體的下表面，用于將基體固定到電路板上。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的芯片電阻器，通過在電阻體內(nèi)設(shè)置U型切口的方式調(diào)阻，其中U型切口將所述電阻體分割為兩個分離的部分，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的L型激光調(diào)阻方式，在不影響調(diào)阻精度的前提下，大大提高芯片電阻器在高頻環(huán)境下的傳輸信號的能力。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本實(shí)用新型的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對范圍的限定，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的芯片電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的芯片電阻器的剖面圖；

圖3示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的芯片電阻器調(diào)阻過程示意圖；

圖4示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的芯片電阻器另一調(diào)阻過程示意圖；

圖5示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的芯片電阻器另一調(diào)阻過程示意圖。

附圖標(biāo)記：

表面電極-1；

電阻-2；

基板-3；

L型切槽-4a，4b；

電極-11；

電阻體-12；

基體-13；

U型切口的切槽-14a，14b，14c；

保護(hù)層-15。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本實(shí)用新型實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計。因此，以下對在附圖中提供的本實(shí)用新型的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本實(shí)用新型的范圍，而是僅僅表示本實(shí)用新型的選定實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

考慮到現(xiàn)有技術(shù)中的L型切槽產(chǎn)生寄生阻抗，影響高頻信號傳輸?shù)膯栴}，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種芯片電阻器。下面通過實(shí)施例進(jìn)行描述。

為了更好理解本實(shí)用新型，圖1示出了現(xiàn)有的L型切槽芯片電阻器的示意圖。

如圖1所示，芯片電阻器包括一對表面電極1，電阻2，基板3，L型切槽4a與4b。上述芯片電阻器的阻值修調(diào)方式為L型，其中縱向的L型切槽4b對電阻體2的阻值進(jìn)行初修調(diào)阻值，橫向的L型切槽4a是對電阻體2的阻值進(jìn)行精修調(diào)阻值。

可以明顯看出，在上述調(diào)阻完成后被切割部分電阻體與電阻體主體沒有完全分裂，被切割部分與主體電阻相互電連接，因此當(dāng)電阻體2被應(yīng)用在高頻環(huán)境下，在L型切槽4a與4b處會出現(xiàn)電磁振蕩，產(chǎn)出額外的寄生電容，從而增加高頻信號的傳輸損耗。

實(shí)施例1

本實(shí)用新型實(shí)施例1提供了一種芯片電阻器，如圖2所示，芯片電阻器包括：

基體13、電極11、電阻體12和保護(hù)層15；

其中電極11設(shè)置在基體13的上表面；

電阻體12與保護(hù)層15也設(shè)置在上表面；

電阻體12內(nèi)設(shè)置有U型切口的切槽14a，14b，14c，U型切口將電阻體12分割為兩個分離的部分，一部分為位于U型切口內(nèi)，且保護(hù)層下部的電阻切割體；另一部分為位于U型切口外，且保護(hù)層下部的電阻主體；

電阻主體與電極連接；保護(hù)層15保護(hù)電阻體12。

上述電阻體12的U型切口是激光調(diào)阻產(chǎn)生的切槽。

在圖2中，在長方體型的基體13長度方向印刷一對電極11，并加熱烘干，然后通過高溫(850℃)硬化；接著在基體13長度方向印刷由氧化釕等材料構(gòu)成的電阻體12，電阻體12橋接在兩端的一對電極11之間，然后加熱烘干，再高溫(850℃)硬化；在電阻12上印刷保護(hù)層15，然加熱烘干，接著高溫(600℃)硬化。

為了提高芯片電阻器的精度，在進(jìn)行封裝之前必須進(jìn)行阻值調(diào)整。由于芯片電阻器印刷操作固有的不準(zhǔn)確性，基板表面的不均勻及燒結(jié)條件的不重復(fù)性，電阻體12常出現(xiàn)正負(fù)誤差，如果阻值超過標(biāo)稱值將無法修正，但是，一般情況下印刷燒成后阻值低于目標(biāo)值的大約30％，所以要通過調(diào)整達(dá)到目標(biāo)值。

本實(shí)施例具體使用激光調(diào)阻的方式調(diào)整阻值，具體是把一束聚焦的相干光定位到工件上，使工件待調(diào)部分的膜層氣化切除以達(dá)到規(guī)定參數(shù)或阻值。調(diào)阻時局部溫升使玻璃熔化，氣化部分阻值槽邊緣受到玻璃覆蓋，可填平基體表面被切割的介質(zhì)。

如圖3所示的芯片電阻器的剖面圖，顯示出在電阻體12上切割出三個U型切口中的兩個切槽，分別是切槽14a與切槽14c，電極11是Au電極，包括一對供電電極，一對供電電極分別位于基體的相對兩端，一對供電電極通過電阻體12橋接。基體13是矩形陶瓷基體。保護(hù)層15采用玻璃保護(hù)層。保護(hù)層15遠(yuǎn)離電阻體12的一側(cè)設(shè)置有封裝層。上述封裝層采用環(huán)氧樹脂材料。

本實(shí)施例提供的芯片電阻器還包括焊盤，該焊盤設(shè)置在基體的下表面，用于將基體固定到電路板上。

圖4所示，U型調(diào)阻方式首先是縱向的切槽14a對電阻體12的阻值進(jìn)行初修調(diào)阻值；如圖5所示，橫向的切槽14b對電阻體12再次修調(diào)阻值，但上述兩次調(diào)制均不是直接將電阻體12的阻值修調(diào)到目標(biāo)值，還需要通過第三次激光切割，即如圖2中所示的切槽14c，其對電阻體2進(jìn)行最終阻值修調(diào)，同時實(shí)現(xiàn)將電阻體2分裂為兩個獨(dú)立的部分，其中電阻切割體位于U型切口內(nèi)，電阻主體位于U型切口外。

在通電情況下，電阻切割體內(nèi)沒有電流通過，切槽14a、14b與14c將電阻切割體與電阻主體完全分離，因此在實(shí)現(xiàn)精確修調(diào)阻值的基礎(chǔ)上使電阻體在高頻環(huán)境下的寄生阻抗減小，從而可以使電阻體應(yīng)用在更高頻的集成電路中。

本實(shí)用新型提出的U型調(diào)阻方式，通過在電阻體內(nèi)設(shè)置U型切口的方式調(diào)阻，其中U型切口將所述電阻體分割為兩個分離的部分，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的L型激光調(diào)阻方式，在實(shí)現(xiàn)精確修調(diào)阻值的基礎(chǔ)的同時，降低了電阻器在高頻環(huán)境的寄生阻抗，提高了電阻傳輸高頻信號的能力。

在本實(shí)用新型的描述中，還需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“設(shè)置”、“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。