本實用新型屬于藍(lán)寶石加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種藍(lán)寶石晶片的退火治具。

（二）

背景技術(shù)：

藍(lán)寶石具有優(yōu)異的機械、化學(xué)、光學(xué)、電學(xué)等綜合性能，被廣泛應(yīng)用于耐高溫器件、特種窗口、光學(xué)系統(tǒng)、微電子、光電子等方面，成為現(xiàn)代工業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。近年來，藍(lán)寶石更是引起了人們極大的關(guān)注，除了已經(jīng)大量用作氮化鎵基藍(lán)光LED的襯底外，消費類電子方面也顯示出廣闊的市場前景。

藍(lán)寶石晶體在生長和晶片加工過程中，內(nèi)部都會有應(yīng)力存在，使藍(lán)寶石的光學(xué)、機械等性能發(fā)生變化。因此，通常在使用前需要對藍(lán)寶石晶片進行退火處理，以最大限度的降低藍(lán)寶石晶片的應(yīng)力。目前，常用的方式是將藍(lán)寶石晶片堆垛在一起進行退火處理。這種方式存在一定的問題：藍(lán)寶石導(dǎo)熱能力不強，堆垛過多晶片會導(dǎo)致晶片周邊與內(nèi)部及外層與內(nèi)層晶片受熱不均勻，退火效果一致性差。尤其對于大尺寸、有棱角的晶片，甚至可能導(dǎo)致晶片碎裂。而如果采用將晶片單獨懸掛后再進行退火處理的方式，退火效率又太低。因此，有必要設(shè)計開發(fā)出一種高效、實用的藍(lán)寶石晶片退火治具。

（三）

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種針對現(xiàn)有藍(lán)寶石晶片，尤其是大尺寸藍(lán)寶石晶片在退火過程中受熱不均勻的問題，具有高效率、高成品率、高穩(wěn)定性、低成本等特點的藍(lán)寶石晶片的退火治具。

本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的：該治具采用耐高溫陶瓷制成（如氧化鋁、氧化鋯等），包括如下部件：

(1) 底座：底座的下表面為水平面，底座的上表面為波浪式結(jié)構(gòu)，波浪式結(jié)構(gòu)中均勻分布著橫、縱向排列規(guī)整的凹槽；

(2) 隔離立柱：隔離立柱為可拆卸結(jié)構(gòu)。立柱的橫截面積與底座上表面波浪式結(jié)構(gòu)中的凹槽的橫截面積一致，隔離立柱的四條棱邊均采取了倒角處理；

(3) 隔層結(jié)構(gòu)：隔層結(jié)構(gòu)上、下表面均可插入橫、縱向排列均勻的隔離立柱，隔層結(jié)構(gòu)底部凹槽的位置與底座頂部凹槽的位置相對應(yīng)。

本實用新型的有益效果在于：

(1) 整個治具所有部件均采用耐高溫陶瓷，可避免高溫退火過程中治具材料的揮發(fā)導(dǎo)致晶片受污染；

(2) 通過采用波浪式結(jié)構(gòu)和四棱倒角的隔離立柱，盡可能減少晶片與退火治具間的接觸面積，可有效避免晶片在退火過程中受熱不均勻的問題，避免大尺寸晶片退火過程發(fā)生碎裂；

(3) 通過采用隔層結(jié)構(gòu)，可顯著增加退火爐內(nèi)空間的使用率，大幅提高晶片的退火效率；

(4) 可根據(jù)退火晶片的尺寸，靈活選擇合適高度的隔離立柱及隔離層數(shù)，盡可能的增加單爐退火晶片數(shù)量，提高退火效率。

（四）附圖說明

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1的俯視圖。

（五）具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

結(jié)合圖1，本實施例治具包括：

底座：底座1與退火爐接觸的下表面為平面，底座1的上表面為波浪式結(jié)構(gòu)，波浪式上表面中均勻分布著深度相同的橫、縱向排布的凹槽結(jié)構(gòu)，凹槽的截面尺寸為10mm×10mm；

隔層結(jié)構(gòu)：隔層結(jié)構(gòu)2的下表面和上表面均為波浪式結(jié)構(gòu)，且上、下部表面均分布有橫、豎排布均勻的凹槽，隔層結(jié)構(gòu)中上、下部表面凹槽的位置與底座1頂部凹槽的位置一一對應(yīng)；

隔離立柱：隔離立柱3一端插入底座1上表面的凹槽結(jié)構(gòu)中，另一端插入隔層結(jié)構(gòu)2下部表面的凹槽中，隔離立柱3的截面尺寸與底座1凹坑的截面尺寸相同，隔離立柱的四條棱邊均進行倒角處理。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本實用新型所做的進一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本實用新型的具體實施只限于這些說明。對于具有本實用新型所屬領(lǐng)域基礎(chǔ)知識的人員來講，可以很容易對本實用新型進行變更和修改，這些變更和修改都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實用新型所提交的權(quán)利要求書確定的專利保護范圍。