本實(shí)用新型涉及一種高強(qiáng)度低密度PTFE繞包帶。

背景技術(shù)：

目前市場(chǎng)上使用的聚四氟乙烯(PTFE)絕緣同軸電纜，其耐高低溫、使用頻率高、柔韌性好、低駐波、低損耗、均勻性好、屏蔽性能好等，使其成為低損耗同軸射頻電纜的首選，可用于軍事通信、跟蹤、警戒、雷達(dá)、航空航天、導(dǎo)航、制導(dǎo)、電子對(duì)抗等高要求，以及軍用電子設(shè)備微波、無線電傳輸饋線。相對(duì)于聚四氟乙烯，低密度(微孔)聚四氟乙烯的介電常數(shù)更小，介質(zhì)損耗更小，是低損耗射頻同軸電纜較佳的絕緣材料。但是相對(duì)于聚四氟乙烯，薄膜內(nèi)部及表面有著大量的不規(guī)則微孔，使得微孔聚四氟乙烯材料的抗拉強(qiáng)度差，而且耐抗壓性差。在繞包電纜時(shí)容易出現(xiàn)變形、斷裂等意外，對(duì)電纜產(chǎn)生了極大的影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷，提供了一種高強(qiáng)度低密度PTFE繞包帶，其具有更好的抗拉強(qiáng)度、斷裂伸長(zhǎng)率及抗壓性能的特性。

本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種高強(qiáng)度低密度PTFE繞包帶，其特征在于，其包括：PTFE繞包帶中間為未完全燒結(jié)的PTFE微孔纖維層，PTFE微孔纖維層的上下兩邊為完全燒結(jié)的聚四氟乙烯薄膜層

本實(shí)用新型高強(qiáng)度低密度PTFE繞包帶在保留比聚四氟乙烯料帶更低的介電常數(shù)、介質(zhì)損耗的情況下，比普通低密度微孔聚四氟乙烯有著更好的抗拉強(qiáng) 度、斷裂伸長(zhǎng)率及抗壓性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種高強(qiáng)度低密度PTFE繞包帶，PTFE繞包帶中間為未完全燒結(jié)的PTFE微孔纖維層2，兩邊為完全燒結(jié)的聚四氟乙烯薄膜層1，通過這種結(jié)構(gòu)使薄膜帶擁有更高的強(qiáng)度。

高強(qiáng)度低密度PTFE繞包帶的制備方法，包括以下工藝步騾：將未燒結(jié)的PTFE薄膜經(jīng)烘拉機(jī)拉伸燒結(jié)后形成微孔薄膜帶；微孔薄膜帶相對(duì)于高強(qiáng)度低密度PTFE繞包帶有著更低的密度與更厚的厚度。

將薄膜帶快速通過溫度為300～400℃烘拉機(jī)，烘拉機(jī)分為四個(gè)區(qū)域，在第三個(gè)區(qū)域?qū)Ρ砻嫒廴诘奈⒖妆∧нM(jìn)行輕微的壓延，使表面形成完全燒結(jié)的聚四氟乙烯薄膜層2。在第四區(qū)域再次燒結(jié)后制成高強(qiáng)度低密度PTFE繞包帶。通過改變微孔膜的結(jié)構(gòu)，使得高強(qiáng)度低密度PTFE繞包帶在保留比聚四氟乙烯生料 帶更低的介電常數(shù)、介質(zhì)損耗的情況下，比普通低密度微孔聚四氟乙烯薄膜帶有著更好的抗拉強(qiáng)度、斷裂伸長(zhǎng)率及抗壓性能。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。