1.一種用于SiC IGBT外延工藝表面處理的腔體，包括等離子刻蝕腔體，其特征在于: 所述等離子刻蝕腔體的上方設(shè)置用于高溫加熱的鹵鎢燈管模塊，所述等離子刻蝕腔體內(nèi)下電極的下方的設(shè)置紅外溫度探頭。
2.如權(quán)利要求1所述的用于SiC IGBT外延工藝表面處理的腔體，其特征在于: 所述鹵鎢燈管模塊含有數(shù)個呈矩陣排列的鹵鎢燈管。
3.如權(quán)利要求2所述的用于SiC IGBT外延工藝表面處理的腔體，其特征在于: 所述紅外溫度探頭數(shù)量為9個，所述紅外溫度探頭沿等離子刻蝕腔體內(nèi)的晶圓中心至邊緣方向以輻射狀均勻分布。
4.如權(quán)利要求3所述的用于SiC IGBT外延工藝表面處理的腔體，其特征在于: 所述等離子刻蝕腔體的一側(cè)設(shè)置可控磁場、制程氣體通道、質(zhì)量流量控制器，另一側(cè)設(shè)置可控磁場；所述等離子刻蝕腔體之中設(shè)有下電極，所述下電極上設(shè)置頂針，所述頂針上放置晶圓；所述等離子刻蝕腔體的下方設(shè)置接地、射頻發(fā)生器、氣體通道。
5.如權(quán)利要求4所述的用于SiC IGBT外延工藝表面處理的腔體，其特征在于: 所述氣體通道上依次設(shè)置氣壓計、閥門閥、節(jié)流閥、分子泵、隔離閥、干式泵。