技術(shù)編號：12566007
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種用于SiCIGBT外延工藝表面處理的腔體所屬技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及一種用于SiCIGBT外延工藝表面處理的腔體,屬于半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，SiC材料以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，被越來越多的應(yīng)用于IGBT器件的生產(chǎn)制造。在SiCIGBT器件的外延生長過程中，SiC襯底的表面狀況直接影響到外延層生長的質(zhì)量，從而影響到IGBT器件的整體性能。在外延生長前對襯底表面利用等離子刻蝕和高溫退火的方法進(jìn)行處理，可以獲得清潔、平整...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。