技術(shù)總結(jié)
本實用新型提供了一種適于量產(chǎn)的6吋GaN?HEMT外延結(jié)構(gòu)，其從下到上依次包括6吋SiC半絕緣襯底、AlN成核層、GaN緩沖層、GaN溝道層、AlN插入層、AlGaN勢壘層和GaN帽層。通過上述方式，本實用新型能夠有效將GaN外延材料的生長制備擴(kuò)展到6吋SiC襯底上，有助于降低器件生產(chǎn)成本，推進(jìn)GaN器件的應(yīng)用推廣。

技術(shù)研發(fā)人員：孔欣
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都海威華芯科技有限公司
文檔號碼：201620870440
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.11
技術(shù)公布日：2017.01.11