1.一種適于量產(chǎn)的6吋GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，從下到上依次包括6吋SiC半絕緣襯底、AlN成核層、GaN緩沖層、GaN溝道層、AlN插入層、AlGaN勢(shì)壘層和GaN帽層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適于量產(chǎn)的6吋GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述6吋SiC半絕緣襯底的上下表面經(jīng)過(guò)拋光處理，厚度為500±20μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適于量產(chǎn)的6吋GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlN成核層的厚度為20-100nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適于量產(chǎn)的6吋GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述GaN溝道層的厚度小于100nm，所述GaN緩沖層和GaN溝道層的總厚度為1.6-2.0μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適于量產(chǎn)的6吋GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlN插入層的厚度為0.5-1nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適于量產(chǎn)的6吋GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlGaN勢(shì)壘層的厚度為18-25nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適于量產(chǎn)的6吋GaN HEMT外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述GaN帽層的厚度為1-5nm。