技術(shù)特征：

1.一種高性能鈣鈦礦多晶薄膜的制備方法，其特征在于，所述鈣鈦礦多晶薄膜的化學(xué)式為ABX₃，其中A為至少一種一價(jià)陽離子，優(yōu)選為CH₃NH₃⁺, NH₂-CH=NH₂⁺, Cs⁺，Li⁺，C₄H₉NH₃⁺, CH₆N₃⁺，Na⁺，K⁺中的至少一種或混合離子，B=Pb²⁺, Sn²⁺，Ge²⁺，Co²⁺，F(xiàn)e²⁺，Mn²⁺，Cu²⁺，和Ni²⁺中的至少一種，X為Cl^?，Br^?，I^?, SCN^-, BF₄^-中的至少一種，所述制備方法包括如下步驟：

（1）鈣鈦礦前驅(qū)體溶液制備，將B的鹵化物和X的一價(jià)陽離子鹽溶解在擁有含氧基團(tuán)溶劑中形成鈣鈦礦前驅(qū)體溶液；

（2）將步驟（1）獲得的鈣鈦礦前驅(qū)體溶液涂覆在基底上形成鈣鈦礦前驅(qū)體薄膜，在成膜過程中在薄膜表面滴加第二溶劑，其中，所述第二溶劑中含有不溶于所述鈣鈦礦前驅(qū)體溶液的反溶劑；

（3）將步驟（2）所述的鈣鈦礦前驅(qū)體薄膜進(jìn)行結(jié)晶處理得到高性能鈣鈦礦多晶薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，B的鹵化物和X的一價(jià)陽離子鹽的摩爾比為1：10～10：1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述含氧基團(tuán)溶劑是二甲基甲酰胺（DMF）、二甲亞砜（DMSO）、γ-丁內(nèi)酯（GBL）、N-甲基-2-吡咯烷酮中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述第二溶劑為烷烴或含烷烴混合溶劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，滴加第二溶劑的時(shí)機(jī)為薄膜開始變得不透明之前。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，第二溶劑與鈣鈦礦前驅(qū)體溶液的體積比為1：10～5：1。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，所述結(jié)晶處理為熱處理或非熱處理，其中，所述熱處理優(yōu)選為于室溫～150℃保溫120分鐘以下；所述非熱處理方式優(yōu)選為溶劑揮發(fā)誘導(dǎo)薄膜結(jié)晶。

8.一種由權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的制備方法制備的高性能鈣鈦礦多晶薄膜，所述高性能鈣鈦礦多晶薄膜的形貌為致密但表面織構(gòu)化或表面超平滑。

9.一種鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述鈣鈦礦太陽能電池從下向上依次包括：透明導(dǎo)電襯底、空穴阻擋層、介孔電子傳輸層、權(quán)利要求8所述的高性能鈣鈦礦多晶薄膜、空穴傳輸材料和頂電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述高性能鈣鈦礦多晶薄膜的厚度為100～600 nm。