技術特征：

技術總結
提供半導體裝置及其制造方法。此半導體裝置包含在基底上沿第一方向延伸的鰭，以及在鰭上沿第二方向延伸的柵極結構。此柵極結構包含：在鰭上的柵極介電層；在柵極介電層上的柵極電極；以及位于柵極電極的第一橫向表面上，且沿第二方向延伸的第一絕緣柵極間隙物。此半導體裝置還包含源極/漏極區(qū)，其形成于鰭內鄰近于柵極電極的區(qū)域內，且源極/漏極區(qū)的一部分沿第一方向，以固定的距離延伸在絕緣柵極間隙物下方。

技術研發(fā)人員：楊世海;王圣禎;陳燕銘;溫宗堯
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.12.30
技術公布日：2017.08.11