技術(shù)編號：11587000
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，特別涉及半導(dǎo)體裝置的源極和漏極區(qū)的制造方法。背景技術(shù)為追求更高的裝置密度、更高的效能及低成本，半導(dǎo)體工業(yè)已進步至納米科技工藝節(jié)點，來自制造和設(shè)計議題兩者的挑戰(zhàn)造成了三維設(shè)計的發(fā)展，例如鰭式場效晶體管(FinFET)。典型的FinFET裝置包含具有高深寬比(aspectratio)的半導(dǎo)體鰭，并且在其內(nèi)部形成半導(dǎo)體晶體管裝置的通道和源極/漏極區(qū)。柵極沿著(例如，環(huán)繞)鰭結(jié)構(gòu)而形成于其上，利用通道和源極/漏極區(qū)增加的表面積的優(yōu)勢制造更快、可信度更高及更好控制的...
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