1.一種基于二次外延技術(shù)的非選擇氧化垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于：該激光器的外延結(jié)構(gòu)從下向上的順序依次包括：襯底(1)、N型摻雜層(2)、N型DBR層(3)、多量子阱層(4)、P型DBR層(5)、光刻膠(6)、Al2O3薄膜層(7)、P型DBR層(8)、P型摻雜GaAs層(9)；Al2O3薄膜層(7)利用PECVD等離子體增強化學(xué)氣相沉積法生長，然后利用光刻及刻蝕技術(shù)將Al2O3薄膜層(7)刻蝕成周向保留中間刻蝕掉的圖形，然后利用MOCVD從Al2O3薄膜層(7)的中間位生長P型DBR層(8)，直到P型DBR層(8)蓋過Al2O3薄膜層(7)，然后在P型DBR層(8)上生長一層P型摻雜GaAs層(9)。
2.利用權(quán)利要求1所述一種基于二次外延技術(shù)的非選擇氧化垂直腔面發(fā)射激光器進行的生長方法，其特征在于：該方法包括以下具體步驟：
步驟一，將襯底(1)依次經(jīng)過清洗溶液清洗；
步驟二，在襯底(1)上生長一層N型摻雜的GaAs層(2)；
步驟三，在N型摻雜的GaAs層(2)上生長一定對數(shù)的N型DBR外延層(3)；
步驟四，在N型DBR層(3)生長一層或多層量子阱層(4)；
步驟五，在量子阱層(4)上生長一層Al2O3薄膜層(5)；
步驟六，利用光刻技術(shù)在Al2O3薄膜層(5)的周向上制作光刻膠(6)；
步驟七，利用刻蝕技術(shù)將Al2O3薄膜層刻蝕成光刻膠(6)的形狀即Al2O3薄膜層(5)的中間被刻蝕，周向依舊為Al2O3的周向Al2O3薄層(7)；
步驟八，利用側(cè)向外延技術(shù)從量子阱層(4)中間位置生長一定對數(shù)的P型DBR外延層(8)，P型DBR外延層(8)一直生長到并蓋過周向Al2O3薄膜層(7)；
步驟九，在P型DBR層(8)上再生長一層P型摻雜GaAs層(9)。