1.一種發(fā)光器件，包括：
透光襯底；
發(fā)光結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述透光襯底上，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；
導(dǎo)電層，設(shè)置在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；
第一電極部，設(shè)置在所述導(dǎo)電層上，其中所述第一電極部包括第一焊盤部、從所述第一焊盤部延伸出去的第一延伸部以及連接到所述第一延伸部的第一接觸電極，其中所述第一接觸電極包括第一-第一接觸電極、第一-第二接觸電極和第一-第三接觸電極，
第一絕緣層，設(shè)置在所述導(dǎo)電層與所述第一電極部之間、所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層與所述第一電極部之間以及所述有源層與所述第一電極部之間，以及
第二電極部，設(shè)置在所述導(dǎo)電層上，
其中所述第一接觸電極穿過所述導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及所述有源層，并且接觸所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；
其中所述第一-第一接觸電極比所述第一-第二接觸電極更接近所述第一焊盤部，并且所述第一-第二接觸電極比所述第一-第三接觸電極更接近所述第一焊盤部，并且
其中所述第一-第一接觸電極與所述第一-第二接觸電極之間的距離比所述第一-第二接觸電極與所述第一-第三接觸電極之間的距離大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一接觸電極被形成為栓柱形狀并具有填充有導(dǎo)電材料的通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一延伸部的寬度為5.0μm～20μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一接觸電極的寬度等于或大于所述第一延伸部的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一延伸部具有兩個或更多個分支指狀電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括：
第二絕緣層，設(shè)置在所述導(dǎo)電層與所述第二電極部之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極部包括設(shè)置在所述第二絕緣層上的第二焊盤部、設(shè)置在所述絕緣層上且從所述第二焊盤部延伸出去的第二延伸部、以及連接到所述第二延伸部且與所述導(dǎo)電層相接觸的第二接觸電極，其中所述第二接觸電極包括第二-第一接觸電極、第二-第二接觸電極和第二-第三接觸電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述第二-第一接觸電極與所述第二-第二接觸電極之間的距離與所述第二-第二接觸電極與所述第二-第三接觸電極之間的距離相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述第二-第一接觸電極與所述第二-第二接觸電極之間的距離比所述第二-第二接觸電極與所述第二-第三接觸電極之間的距離大。
10.一種發(fā)光器件，包括：
襯底；
發(fā)光結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述襯底上，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；
導(dǎo)電層，設(shè)置在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；
第一電極部，設(shè)置在所述導(dǎo)電層上，其中所述第一電極部包括第一接觸電極，所述第一接觸電極穿過所述導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及所述有源層并且接觸所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；
第一絕緣層，設(shè)置在所述導(dǎo)電層與所述第一電極部之間、所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層與所述第一電極部之間以及所述有源層與所述第一電極部之間；
第二電極部，設(shè)置在所述導(dǎo)電層上；以及
第二絕緣層，設(shè)置在所述導(dǎo)電層與所述第二電極部之間，
其中所述第二電極部包括設(shè)置在所述第二絕緣層上的第二焊盤部、設(shè)置在所述絕緣層上且從所述第二焊盤部延伸出去的第二延伸部、以及連接到所述第二延伸部且與所述導(dǎo)電層相接觸的第二接觸電極，
其中所述第二接觸電極包括第二-第一接觸電極、第二-第二接觸電極和第二-第三接觸電極，
其中所述第二-第一接觸電極與所述第二-第二接觸電極之間的距離比所述第二-第二接觸電極與所述第二-第三接觸電極之間的距離大，
其中所述第二-第一接觸電極比所述第二-第三接觸電極更接近所述第二焊盤部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中所述第二焊盤部包括：
第一分支指狀電極，從所述第二焊盤部的第一側(cè)分支出去；以及
第二分支指狀電極，從所述第二焊盤部的第二側(cè)分支出去，
其中所述第二-第一接觸電極、所述第二-第二接觸電極和所述第二-第三接觸電極從所述第一分支指狀電極分支出去。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極部還包括從所述第二分支指狀電極分支出去的第二-第四接觸電極、第二-第五接觸電極以及第二-第六接觸電極，以及
其中所述第二-第四接觸電極與所述第二-第五接觸電極之間的距離比所述第二-第五接觸電極與所述第二-第六接觸電極之間的距離大，
其中所述第二-第四接觸電極比所述第二-第六接觸電極更接近所述第二焊盤部。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中所述第二-第一接觸電極、所述第二-第二接觸電極和所述第二-第三接觸電極與所述第二-第四接觸電極、所述第二-第五接觸電極和所述第二-第六接觸電極在相對于第一方向的垂直方向上對齊，以及
其中所述第一方向是從所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一角朝向所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的第二角的方向。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，還包括：
電流阻擋層，設(shè)置在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層與所述導(dǎo)電層之間，該電流阻擋層具有至少一預(yù)定區(qū)域與所述第二電極部重疊。
15.一種發(fā)光器件，包括：
透光襯底；
發(fā)光結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述透光襯底上，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；
導(dǎo)電層，設(shè)置在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；
第一電極部，設(shè)置在所述導(dǎo)電層上，其中所述第一電極部包括第一焊盤部和第一接觸電極，所述第一接觸電極穿過所述導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及所述有源層并且接觸所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；
第一絕緣層，設(shè)置在所述導(dǎo)電層與所述第一電極部之間、所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層與所述第一電極部之間以及所述有源層與所述第一電極部之間；
第二電極部，設(shè)置在所述導(dǎo)電層上；以及
第二絕緣層，設(shè)置在所述導(dǎo)電層與所述第二電極部之間，
其中所述第二電極部包括第二焊盤部和第二接觸電極，所述第二接觸電極穿過所述第二絕緣層并且與所述導(dǎo)電層相接觸，以及
其中所述第一接觸電極包括第一-第一接觸電極和第一-第二接觸電極，
其中所述第二接觸電極包括第二-第一接觸電極、第二-第二接觸電極和第二-第三接觸電極，
其中所述第一-第一接觸電極設(shè)置在與所述第二-第二接觸電極與第二-第三接觸電極之間的第一點對應(yīng)的位置處，并且所述第一-第二接觸電極設(shè)置在與所述第二-第一接觸電極與第二-第二接觸電極之間的第二點對應(yīng)的位置處，
其中所述第一-第一接觸電極比所述第一-第二接觸電極更接近所述第一焊盤部，
其中所述第二-第一接觸電極比所述第二-第三接觸電極更接近所述第二焊盤部。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件，其中所述第一點是處于所述第二-第二接觸電極與所述第二-第三接觸電極之間的中間點。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件，其中所述第二點是處于所述第二-第一接觸電極與所述第二-第二接觸電極之間的中間點。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件，其中所述第一接觸電極與所述第二接觸電極在相對于第一方向的垂直方向上不重疊，并且所述第一方向是從所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一角朝向所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的第二角的方向。