技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種表面改性的氮化物半導(dǎo)體及其制備方法。采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法直接在氮化物半導(dǎo)體表面生長二維或三維垂直結(jié)構(gòu)石墨烯，能夠連續(xù)調(diào)制氮化物半導(dǎo)體表面的疏水性，使氮化物半導(dǎo)體對水的接觸角從原來的60°提高到140°，實(shí)現(xiàn)親疏水的可控轉(zhuǎn)換。本發(fā)明對氮化物半導(dǎo)體表面改性的方法簡單、可控性強(qiáng)，不僅不影響氮化物半導(dǎo)體材料自身的優(yōu)異性能，還為其附加了表面自清潔能力，在生物電子領(lǐng)域有應(yīng)用潛力。能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)、可控地改善氮化物半導(dǎo)體表面疏水性。

技術(shù)研發(fā)人員：曹冰;李宗堯;趙恩;楊松;劉伊;吳竹慧;王欽華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州大學(xué)
文檔號碼：201611229170
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.27
技術(shù)公布日：2017.06.13