1.一種表面改性的氮化物半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法，在氮化物半導(dǎo)體表面直接生長石墨烯，包括如下步驟：
（1）將氮化物半導(dǎo)體襯底置于距等離子體發(fā)生器中心20～60cm位置處，以5～20℃/min的升溫速率升溫至600～800℃；
（2）以氫氣為等離子體工作氣體對襯底表面處理1～20min；
（3）以甲烷為反應(yīng)氣體,等離子體電源的功率為50～100W，沉積溫度為600～800℃的條件下，在氮化物半導(dǎo)體表面直接生長二維或三維垂直結(jié)構(gòu)石墨烯,沉積時(shí)間為30～400min；
（4）以2～4℃/min的降溫速率降溫至室溫,得到一種表面改性的氮化物半導(dǎo)體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種表面改性的氮化物半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于：所述的氮化物半導(dǎo)體襯底材料包括氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其三元或四元合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種表面改性的氮化物半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于：在沉積溫度為600～700℃, 等離子體電源的功率為50～80W條件下，在氮化物半導(dǎo)體表面生長得到二維石墨烯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種表面改性的氮化物半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于：在沉積溫度為大于700～800℃, 等離子體電源的功率為50～100W條件下，在氮化物半導(dǎo)體表面生長得到三維垂直結(jié)構(gòu)石墨烯。
5.按權(quán)利要求1制備方法得到的一種表面改性的氮化物半導(dǎo)體，它對水的接觸角為60～140°。