1.一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)在玻璃襯底上沉積透明導(dǎo)電膜層和高阻層，沉積溫度條件為低于400℃；
(2)在高阻層上沉積硫化鎘層，沉積溫度條件為低于250℃；
(3)在硫化鎘層上沉積碲化鎘層，沉積溫度條件為低于300℃；
(4)將氯化銅+氯化銨水溶液或氯化鋅+氯化銨水溶液涂覆在碲化鎘層上，在250～300℃的條件下加熱3～25min后，用去離子水清洗掉表面殘留物，然后沉積背電極層，沉積溫度條件為低于280℃；
(5)背電極層退火處理：180～250℃溫度下加熱3～15min。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(4)中氯化銅+氯化銨水溶液的濃度為0.025～0.125mol/L，其中氯化銅的含量為0.005～0.1mol/L；氯化鋅+氯化銨水溶液的濃度為0.025～
0.125mol/L，其中氯化鋅的含量為0.005～0.1mol/L。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(1)中透明導(dǎo)電膜層的材料選自氟摻雜的氧化錫和鋁摻雜的氧化鋅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(1)中高阻層的材料選自本征氧化錫和本征氧化鋅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(1)中透明導(dǎo)電膜層和高阻層的沉積方法選自化學(xué)氣相沉積法和磁控濺射法。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(2)中硫化鎘層的沉積方法選自磁控濺射法和化學(xué)水浴法。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(3)中碲化鎘層的沉積方法選自磁控濺射法和蒸鍍法。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述步驟(4)中背電極層的沉積方法為磁控濺射法。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述硫化鎘層的厚度為50～150納米，碲化鎘層的厚度為2～6微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池的低溫制作方法，其特征在于：所述背電極層包括金屬鉬、鋁和鉻層，鉬層的厚度為20～200納米，鋁層的厚度為50～400納米，鉻層的厚度為50～200納米。