本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地涉及制造半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體集成電路(ic)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)。ic設(shè)計(jì)和材料的技術(shù)進(jìn)步已產(chǎn)生了幾代ic，其中每代都具有比前一代更小和更復(fù)雜的電路。在ic演進(jìn)的過程中，功能密度(即，每一芯片面積上互連器件的數(shù)量)已普遍增加，而幾何尺寸(即，使用制造工藝可產(chǎn)生的最小組件(或線))有所降低。

這種按比例縮小工藝通常通過提供生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來(lái)提供益處。這樣的按比例縮小也增加了ic處理和制造的復(fù)雜程度。為了實(shí)現(xiàn)這些進(jìn)步，需要ic處理和制造中的類似發(fā)展。盡管制造ic器件的現(xiàn)有方法通常能滿足其預(yù)期目的，但是這些方法不能在所有的方面完全令人滿意。例如，期望在圖案化材料層方面的改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在襯底上方形成輻射可去除材料(rrm)層；通過將所述輻射可去除材料層的第一部分暴露于輻射束來(lái)去除所述襯底的第一區(qū)域中的輻射可去除材料層的第一部分，其中，在去除所述第一區(qū)域中的輻射可去除材料層的第一部分之后，保留所述襯底的第二區(qū)域中的輻射可去除材料層的第二部分；在所述襯底的第二區(qū)域中的輻射可去除材料層的第二部分上方形成選擇性形成層(sfl)；以及在所述襯底的第一區(qū)域上方形成材料層。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在襯底上方形成輻射可去除材料(rrm)層；將所述輻射可去除材料層暴露于穿過光掩模的極紫外線(euv)束，以去除襯底的第一區(qū)域中的輻射可去除材料層的第一部分，其中，在去除所述第一區(qū)域中的輻射可去除材料層的第一部分之后，保留所述襯底的第二區(qū)域中的輻射可去除材料層的第二部分；在所述第二區(qū)域中的輻射可去除材料層的第二部分上方形成自組裝單層(sam)；以及在所述襯底的第一區(qū)域上方形成材料層。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：對(duì)電介質(zhì)襯底執(zhí)行六甲基二硅烷胺(hmds)處理以修改所述電介質(zhì)襯底的表面；在氫環(huán)境中將所述電介質(zhì)襯底暴露于穿過光掩模的極紫外線(euv)束，以去除所述電介質(zhì)襯底的第一區(qū)域中的修改表面的第一部分，其中，在去除所述第一區(qū)域中的修改表面的第一部分之后，保留所述電介質(zhì)襯底的第二區(qū)域中的修改表面的第二部分；在所述第二區(qū)域中的修改表面的第二部分上方形成自組裝單層(sam)；以及在所述電介質(zhì)襯底的第一區(qū)域上方形成金屬氧化物層。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明的實(shí)施例。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，對(duì)各種部件沒有按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或縮小。

圖1是根據(jù)一些實(shí)施例構(gòu)造的用于制造半導(dǎo)體器件的示例性方法的流程圖。

圖2、圖3a、圖3b、圖4、圖5和圖6是根據(jù)一些實(shí)施例的示例性半導(dǎo)體器件的截面圖。

具體實(shí)施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下面描述了組件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字母。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以便于描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，而在此使用的空間相對(duì)描述符可以同樣地作相應(yīng)的解釋。

圖1是根據(jù)一些實(shí)施例的用于制造一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件的方法100的流程圖。如圖2、圖3a、圖3b、圖4、圖5和圖6中所示，參照半導(dǎo)體器件200，在下面詳細(xì)地討論方法100。

參考圖1和圖2，方法100開始于提供襯底210的步驟102。襯底210包括硅?？蛇x地或附加地，襯底210可包括諸如鍺的其他元素半導(dǎo)體。襯底210還可以包括化合物半導(dǎo)體，諸如碳化硅、砷化鎵、砷化銦和磷化銦。襯底210可以包括合金半導(dǎo)體，諸如硅鍺、碳化硅鍺、磷化鎵砷和磷化鎵銦。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底210包括外延層。例如，襯底210可以具有位于塊狀半導(dǎo)體上面的外延層。此外，襯底210可以包括絕緣體上半導(dǎo)體(soi)結(jié)構(gòu)。例如，襯底210可包括掩埋氧化物(box)層，通過諸如注氧分離(simox)的工藝或其他適合的技術(shù)(諸如晶圓接合與研磨)形成該掩埋氧化物層。

襯底210還可包括諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低k電介質(zhì)、碳化硅、和/或其它合適的層的電介質(zhì)襯底。

襯底210還可包括通過諸如離子注入和/或擴(kuò)散的工藝實(shí)施的各種p型摻雜區(qū)域和/或n型摻雜區(qū)域。這些摻雜區(qū)域包括n阱、p阱、輕摻雜區(qū)域(ldd)以及被配置為形成各種集成電路(ic)器件(諸如，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體硅(cmosfet)、圖像傳感器和/或發(fā)光二極管(led))的各種溝道摻雜輪廓。襯底210還可包括形成在襯底中和/或襯底上的諸如電阻器和/或電容器的其他功能部件。

襯底210還可包括各種隔離部件。該隔離部件分離襯底210中的各個(gè)器件區(qū)域。隔離部件包括通過使用不同處理技術(shù)所形成的不同結(jié)構(gòu)。例如，隔離部件可包括淺溝槽隔離(sti)部件。sti的形成可包括：在襯底210中蝕刻溝槽，并且用諸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的絕緣材料填充溝槽。填充后的溝槽可以具有多層結(jié)構(gòu)，諸如具有填充溝槽的氮化硅的熱氧化物襯層。可執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)，以回拋光多余的絕緣材料以及平坦化隔離部件的頂面。

襯底210還可包括通過介電層和電極層所形成的柵極堆疊件。介電層可包括通過合適的技術(shù)(諸如化學(xué)汽相沉積(cvd)、原子層沉積(ald)、物理汽相沉積(pvd)、熱氧化、它們的組合和/或其他合適的技術(shù))沉積的界面層(il)和高k(hk)介電層。il可包括氧化物、hfsio和氮氧化物，并且hk介電層可包括lao、alo、zro、tio、ta2o5、y2o3、srtio3(sto)、batio3(bto)、bazro、hfzro、hflao、hfsio、lasio、alsio、hftao、hftio、(ba，sr)tio3(bst)、al2o3、si3n4、氮氧化物(sion)和/或其他合適的材料。電極層可包括單層或可選的多層結(jié)構(gòu)，諸如以下各層的多種組合：具有提高器件性能的功函數(shù)的金屬層(功函數(shù)金屬層)；襯層；潤(rùn)濕層；附著層；以及金屬、金屬合金或金屬硅化物的導(dǎo)電層。mg電極420可包括ti、ag、al、tialn、tac、tacn、tasin、mn、zr、tin、tan、ru、mo、wn、cu、w、任何合適的材料或它們的組合。

襯底210還可包括被集成為形成互連結(jié)構(gòu)的多個(gè)層間介電(ild)層和導(dǎo)電部件，其中，該互連結(jié)構(gòu)被配置為將多種p型和n型摻雜區(qū)域與其他功能部件(諸如柵電極)耦合，以得到功能集成電路。在一個(gè)實(shí)例中，襯底210可包括互連結(jié)構(gòu)的一部分，并且互連結(jié)構(gòu)包括多層互連(mli)結(jié)構(gòu)和與mli結(jié)構(gòu)集成的ild層，從而提供電布線以將襯底210中的多種器件耦合至輸入/輸出功率和信號(hào)。互連結(jié)構(gòu)包括多種金屬線、接觸件和通孔部件(或通孔塞)。金屬線提供水平的電布線。接觸件在硅襯底和金屬線之間提供垂直連接，而通孔部件在不同金屬層中的金屬線之間提供垂直連接。

通常地，將通過光刻工藝圖案化襯底210或襯底210上方的膜層。光刻工藝使用光將圖案(例如，幾何圖案)從光掩模轉(zhuǎn)印至襯底上的感光層(例如，光刻膠，或簡(jiǎn)稱為“抗蝕劑”)。光導(dǎo)致感光層的暴露區(qū)域中的化學(xué)變化，這可增加或降低暴露區(qū)域的溶解度。在暴露襯底之前或之后可實(shí)施諸如曝光后烘焙工藝的烘焙工藝。顯影工藝?yán)蔑@影溶液選擇性去除暴露區(qū)域或未暴露區(qū)域，從而在襯底上方創(chuàng)建曝光圖案。由于抗蝕劑暴露于euv光，在暴露面積內(nèi)產(chǎn)生少量的酸。在曝光后烘焙(peb)步驟期間，酸催化附接至抗蝕劑的聚合物鏈的基團(tuán)的斷裂(脫保護(hù)(de-protection))，變更其化學(xué)特性。最后，抗蝕劑的脫保護(hù)的部分溶解在液體顯影劑中。在peb步驟期間，酸在抗蝕劑內(nèi)的擴(kuò)散導(dǎo)致圖案化的面積的邊緣模糊，且造成分辨率限制、線邊緣粗糙度(ler)和圖案坍塌。本發(fā)明提供了圖案化工藝而沒有使用抗蝕劑和隨后的顯影工藝。

再次參考圖1和圖2，方法100進(jìn)行至步驟104，在襯底210上方形成輻射可去除材料(rrm)層310。rrm層310將在隨后步驟中暴露于輻射時(shí)被去除。在本實(shí)施例中，rrm層310可包括具有非環(huán)狀結(jié)構(gòu)和環(huán)狀結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料，并且環(huán)狀結(jié)構(gòu)可以是芳香、和非芳香環(huán)。其可包含官能團(tuán)以增加粘合，如，–f、-cl、–br、-i、-po(oh)2、-po4、-bo3、-c2o4、-no3、-so3、-co3、-s、-cn、-ch3coo、-nh2、-clo4、-clo3、-clo2、-clo、-cooh、-oh、-sh、-n3、-s(＝o)-、亞胺、醚、乙烯醚、乙縮醛、半縮醛、酯、醛、酮、酰胺、砜、醋酸、氰化物?？赏ㄟ^熱氧化化學(xué)汽相沉積(cvd)、原子層沉積(ald)、物理汽相沉積(pvd)、熱氧化、旋涂、它們的組合、或其它合適的技術(shù)沉積rrm層310。

可選地，rrm層310通過執(zhí)行六甲基二硅烷胺(hmds)處理以將襯底210的頂部(表面)修改為rrm層310來(lái)形成rrm層310。在實(shí)施例中，對(duì)氧化硅襯底210的頂面執(zhí)行hmds處理。在hmds處理中，hmds劑以蒸汽形態(tài)被引入至包含氧化硅襯底210的腔室中。hmds通過用作“羥基吸氣劑”化學(xué)地去除表面oh基團(tuán)。hmds首先與氧化物表面上的水反應(yīng)以生成氣態(tài)的nh3、氧和惰性六甲基二硅醚。這產(chǎn)生了脫水的表面。接下來(lái)，額外的hmds(存在熱量)與釋放的氧反應(yīng)以形成化學(xué)鍵合至表面的三甲基硅基氧化物物質(zhì)。這些反應(yīng)持續(xù)直至氧化物襯底210的整個(gè)表面被該物質(zhì)覆蓋，或氧化物襯底210的整個(gè)表面被修改為稱為hmdsrrm層310的rrm層310。在實(shí)施例中，在從約2秒至約1000秒的時(shí)間范圍內(nèi)且在從90℃至約150℃的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行hmds處理。

參考圖1和圖3a，方法100進(jìn)行至步驟106，將rrm層310暴露于輻射束以在襯底210上方形成圖案化的rrm層450。在本實(shí)施方式中，rrm層310通過光掩模(掩?；蛑虚g掩模)440暴露于來(lái)自光源410的輻射束420。

基于待制造的ic產(chǎn)品的規(guī)格，光掩模440具有為ic產(chǎn)品設(shè)計(jì)的預(yù)定,圖案(具有多個(gè)第一區(qū)域340和第二區(qū)域350)。光掩模440的圖案對(duì)應(yīng)于構(gòu)成待制造的ic器件的各個(gè)組件的材料的圖案。例如，ic設(shè)計(jì)布局的一部分包括將在襯底210中和在襯底210上設(shè)置的各個(gè)材料層中形成的各種ic部件，諸如有源區(qū)域、柵電極、源極和漏極、層間互連件的金屬線或通孔、以及用于接合焊盤的開口。在第一區(qū)域340中，輻射束420被光掩模440阻擋而未到達(dá)rrm層310，稱為未暴露區(qū)域。而在第二區(qū)域350中，輻射束420未被光掩模440阻擋且能夠穿過光掩模到達(dá)rrm層310，稱為暴露區(qū)域。結(jié)果在暴露區(qū)域350中，rrm層310接收輻射束420并且然后被去除，而在未暴露區(qū)域340中的rrm層310未接收輻射束420并且保留。換言之，如圖3b所示，圖案化的rrm層450形成有由光掩模440的預(yù)定圖案限定的圖案。形成圖案化的rrm層450，以使襯底210在未暴露區(qū)域340中由rrm層310覆蓋且在暴露區(qū)域350中暴露。

光源410可以是各種源，包括：氟化氪(krf)準(zhǔn)分子激光器，具有248nm的波長(zhǎng)；氟化氬(arf)準(zhǔn)分子激光器，具有193nm的波長(zhǎng)；氟化物(f2)準(zhǔn)分子激光器，具有157nm的波長(zhǎng)；或具有更長(zhǎng)的波長(zhǎng)的其他光源。光源410還可包括從由紫外線(uv)源、深uv(duv)源、極uv(euv)源和x射線源、和/或其它合適的源構(gòu)成的組中選擇的光源。

在本實(shí)施例中，如圖3a所示，在氫氣430的環(huán)境中，通過光掩模440對(duì)hmdsrrm層310執(zhí)行euv輻射束420以去除暴露區(qū)域350中的hmdsrrm層310并且然后形成圖案化的hmdsrrm層450。結(jié)果，未暴露區(qū)域340中的hmdsrrm層310(修改表面)保留且沒有hmdsrrm層310(修改表面)的氧化物襯底暴露在暴露區(qū)域350中。即，不像通常的光刻工藝，rrm層310被圖案化而不執(zhí)行顯影步驟。

參考圖1和圖4，方法100進(jìn)行至步驟108，在未暴露區(qū)域340中的剩余rrm層310上方形成選擇性形成層(sfl)510并且保留在暴露區(qū)域350中暴露的襯底210。在本實(shí)施例中，sfl510是自組裝單層(sam)。sam層510的化學(xué)結(jié)構(gòu)可包括非環(huán)狀結(jié)構(gòu)和環(huán)狀結(jié)構(gòu)、芳香、以及非芳香環(huán)。其包含至少一個(gè)單齒(monodentate)膦酸。在實(shí)施例中，通過對(duì)具有圖案化的hmdsrrm層450的氧化物襯底210應(yīng)用磷酸正十八酯(odpa)的溶液，然后通過甲醇沖洗以及通過壓縮空氣干燥來(lái)形成sam510。因此，sam510稱為odpasam510。例如，odpasam510通過將氧化物襯底210浸入odpa的溶液形成。再例如，odpasam510通過用odpa的溶液沖洗氧化物襯底210形成。

參考圖1和圖5，方法100進(jìn)行至步驟110，在暴露區(qū)域350中的暴露襯底210上方形成材料層610。在本實(shí)施例中，材料層610通過面積選擇性原子層沉積(ald)技術(shù)或面積選擇性分子層沉積(mld)技術(shù)來(lái)形成，從而使得材料層610選擇性地沉積在暴露襯底210上方而不沉積在sfl510上方。

材料層610可包括以下金屬的氧化物、氟化物、以及有機(jī)金屬化合物，諸如ce、la、sb、bi、pb、hf、zr、ti、cr、w、mo、fe、ru、os、co、rh、ir、ni、pd、pt、cu、ag、au、zn、cd、al、ga、tl、ge、sn、pb和bi。有機(jī)金屬?gòu)?fù)合物的配體可包括具有諸如環(huán)氧樹脂、偶氮化合物、鹵代烷、亞胺、烯烴、炔烴、過氧化氫、酮、醛、丙二烯、芳香基團(tuán)或雜環(huán)基團(tuán)的官能團(tuán)的c3-c20烷基基團(tuán)。芳香結(jié)構(gòu)可包括苯基、萘基、菲酚基、蒽基、菲基和含有一至五元環(huán)的其他芳香族衍生物。

材料層610還可包括諸如ce、la、sb、bi、pb、hf、zr、ti、cr、w、mo、fe、ru、os、co、rh、ir、ni、pd、pt、cu、ag、au、zn、cd、al、ga、tl、ge、sn、pb、bi、和/或其它合適金屬的金屬。

材料層610還可包括具有諸如非環(huán)狀結(jié)構(gòu)和環(huán)狀結(jié)構(gòu)的化學(xué)結(jié)構(gòu)的聚合物。環(huán)狀結(jié)果可包括芳香和非芳香環(huán)。聚合物可包含官能團(tuán)，如同–f、-cl、–br、-i、-po(oh)2、-po4、-bo3、-c2o4、-no3、-so3、-co3、-s、-cn、-ch3coo、-nh2、-clo4、-clo3、-clo2、-clo、-cooh、-oh、-sh、-n3、-s(＝o)-、亞胺、醚、乙烯醚、乙縮醛、半縮醛、酯、醛、酮、酰胺、砜、醋酸、氰化物、和/或其它合適的聚合物化學(xué)結(jié)構(gòu)。

在本實(shí)施例中，材料層610是通過ald技術(shù)選擇性地沉積在氧化物襯底210上方的金屬氧化物層610。

參考圖1和圖6，方法100進(jìn)行至步驟112，從未暴露區(qū)域340選擇性地去除sfl510和剩余的rrm層310?？赏ㄟ^選擇性濕蝕刻、選擇性干蝕刻、和/或它們的組合去除sfl510和剩余的rrm層310。作為實(shí)例，選擇性濕蝕刻溶液可包括tmah、hno3、nh4oh、koh、hf、hcl、naoh、h3po4、和/或其它合適的濕蝕刻溶液、和/或它們的組合?？蛇x地，選擇性干蝕刻工藝可實(shí)施含氯氣體(例如，cl2、chcl3、ccl4、和/或bcl3)、含溴氣體(例如，hbr和/或chbr3)、含碘氣體、含氟氣體(例如，cf4、sf6、ch2f2、chf3和/或c2f6)、和/或其它合適的氣體和/或等離子體、和/或它們的組合。

在本實(shí)施例中，odpasam510和hmdsrrm層310通過tmah濕蝕刻被選擇性去除。

在去除sfl510和剩余的rrm層310之后，具有圖案的材料層610保留在襯底上方，稱為圖案化的材料層620，該圖案為光掩模440的圖案所設(shè)計(jì)的。形成圖案化的材料層620，從而使得材料層610形成在暴露區(qū)域350上方但不形成在未暴露區(qū)域340上方。

可以在方法100之前、期間和之后提供額外的步驟，并且對(duì)于方法100的額外的實(shí)施例，可以替代、刪除或顛倒這些步驟。

基于以上，本發(fā)明的實(shí)施例提供了通過euv曝光、sam形成和ald/mld沉積用于圖案化材料層的方法。該方法利用執(zhí)行hmds處理以修改襯底的頂面且在氫環(huán)境中執(zhí)行euv曝光工藝以去除選擇區(qū)域中的襯底的修改的頂面。即，該方法實(shí)現(xiàn)了圖案化材料層而沒有包括在暴露襯底之后應(yīng)用顯影溶液的常規(guī)顯影工藝。該方法還論證了圖案化材料層具有提升的分辨率和減少的圖案坍塌問題。

本發(fā)明的實(shí)施例提供了制造半導(dǎo)體器件的許多不同的實(shí)施例，這些實(shí)施例提供了相比于現(xiàn)有方法的一種或多種改進(jìn)。在一個(gè)實(shí)施例中，一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法包括：在襯底上方形成輻射可去除材料(rrm)層并且通過將rrm層的第一部分暴露于輻射束以去除襯底的第一區(qū)域中的rrm層的第一部分。因此，在去除第一區(qū)域中的rrm層的第一部分之后，保留襯底的第二區(qū)域中的rrm層的第二部分。該方法還包括在襯底的第二區(qū)域中的rrm層的第二部分上方形成選擇性形成層(sfl)以及在襯底的第一區(qū)域上方形成材料層。

在另一實(shí)施例中，一種方法包括：在襯底上方形成輻射可去除材料(rrm)層并且將rrm層暴露于穿過光掩模的極紫外線(euv)束以去除襯底的第一區(qū)域中的rrm層的第一部分。因此，在去除第一區(qū)域中的rrm層的第一部分之后，保留襯底的第二區(qū)域中的rrm層的第二部分。該方法還包括在第二區(qū)域中的rrm層的第二部分上方形成自組裝單層(sam)以及在襯底的第一區(qū)域上方形成材料層。

在又一實(shí)施例中，一種方法包括：對(duì)電介質(zhì)襯底執(zhí)行六甲基二硅烷胺(hmds)處理以修改電介質(zhì)襯底的表面且在氫環(huán)境中將電介質(zhì)襯底暴露于穿過光掩模的極紫外線(euv)束以去除電介質(zhì)襯底的第一區(qū)域中的修改的表面的第一部分。因此，在去除第一區(qū)域中的修改表面的第一部分之后，保留電介質(zhì)襯底的第二區(qū)域中的修改表面的第二部分。該方法還包括在第二區(qū)域中的修改表面的第二部分上方形成自組裝單層(sam)以及在電介質(zhì)襯底的第一區(qū)域上方形成金屬氧化物層。

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在襯底上方形成輻射可去除材料(rrm)層；通過將所述輻射可去除材料層的第一部分暴露于輻射束來(lái)去除所述襯底的第一區(qū)域中的輻射可去除材料層的第一部分，其中，在去除所述第一區(qū)域中的輻射可去除材料層的第一部分之后，保留所述襯底的第二區(qū)域中的輻射可去除材料層的第二部分；在所述襯底的第二區(qū)域中的輻射可去除材料層的第二部分上方形成選擇性形成層(sfl)；以及在所述襯底的第一區(qū)域上方形成材料層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，通過將所述輻射可去除材料層的第一部分暴露于所述輻射束來(lái)去除所述襯底的第一區(qū)域中的輻射可去除材料層的第一部分包括：將所述輻射可去除材料層的第一部分暴露于穿過光掩模的輻射束，其中，所述光掩模阻擋所述輻射束進(jìn)入所述襯底的第二區(qū)域中。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述輻射束是極紫外線(euv)束。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，在所述襯底上方形成所述輻射可去除材料層包括：執(zhí)行六甲基二硅烷胺(hmds)處理以修改所述襯底的一部分。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述襯底是電介質(zhì)襯底。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，通過將所述輻射可去除材料層的第一部分暴露于所述輻射束來(lái)去除所述襯底的第一區(qū)域中的輻射可去除材料層的第一部分包括：在氫環(huán)境中將所述電介質(zhì)襯底暴露于極紫外線(euv)束。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，在所述第二區(qū)域中的輻射可去除材料層上方形成所述選擇性形成層包括：形成自組裝單層(sam)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，形成所述自組裝單層包括：對(duì)所述襯底應(yīng)用磷酸正十八酯(odpa)的溶液。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，在所述第一區(qū)域中的襯底上方形成所述材料層包括：通過原子層沉積(ald)或分子層沉積(mld)選擇性地形成所述材料層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，在所述襯底的第一區(qū)域上方形成所述材料層包括：在所述襯底的第一區(qū)域上方形成金屬氧化物層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，方法還包括：在所述襯底的第一區(qū)域上方形成所述材料層之后，去除所述襯底的第二區(qū)域中的選擇性形成層和輻射可去除材料層。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在襯底上方形成輻射可去除材料(rrm)層；將所述輻射可去除材料層暴露于穿過光掩模的極紫外線(euv)束，以去除襯底的第一區(qū)域中的輻射可去除材料層的第一部分，其中，在去除所述第一區(qū)域中的輻射可去除材料層的第一部分之后，保留所述襯底的第二區(qū)域中的輻射可去除材料層的第二部分；在所述第二區(qū)域中的輻射可去除材料層的第二部分上方形成自組裝單層(sam)；以及在所述襯底的第一區(qū)域上方形成材料層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，所述襯底是氧化物襯底，以及其中，在所述襯底上方形成所述輻射可去除材料層包括：對(duì)所述氧化物襯底執(zhí)行六甲基二硅烷胺(hmds)處理。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，將所述襯底暴露于穿過所述光掩模的極紫外線束包括：在氫環(huán)境中將所述氧化物襯底暴露于所述極紫外線束。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，在所述第二區(qū)域中的輻射可去除材料層上方形成自組裝單層包括：對(duì)所述氧化物襯底應(yīng)用磷酸正十八酯(odpa)的溶液。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，在所述襯底的第一區(qū)域上方形成所述材料層包括：在所述襯底的第一區(qū)域上方形成金屬氧化物層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，方法還包括：在所述襯底的第一區(qū)域上方形成所述材料層之后，去除所述襯底的第二區(qū)域中的自組裝單層。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：對(duì)電介質(zhì)襯底執(zhí)行六甲基二硅烷胺(hmds)處理以修改所述電介質(zhì)襯底的表面；在氫環(huán)境中將所述電介質(zhì)襯底暴露于穿過光掩模的極紫外線(euv)束，以去除所述電介質(zhì)襯底的第一區(qū)域中的修改表面的第一部分，其中，在去除所述第一區(qū)域中的修改表面的第一部分之后，保留所述電介質(zhì)襯底的第二區(qū)域中的修改表面的第二部分；在所述第二區(qū)域中的修改表面的第二部分上方形成自組裝單層(sam)；以及在所述電介質(zhì)襯底的第一區(qū)域上方形成金屬氧化物層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中，形成所述自組裝單層包括：對(duì)具有所述修改表面的電介質(zhì)襯底應(yīng)用磷酸正十八酯(odpa)的溶液。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，方法還包括：在所述電介質(zhì)襯底的第一區(qū)域上方形成所述金屬氧化物層之后，去除所述第二區(qū)域中的自組裝單層。

上面概述了若干實(shí)施例的部件，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)現(xiàn)與在此所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢(shì)的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍、并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此他們可以做出多種變化、替換以及改變。