技術特征：

技術總結
本發(fā)明實施例提供了一種半導體器件結構，半導體器件結構包括第一半導體管芯和第二半導體管芯。半導體器件結構還包括位于第一半導體管芯和第二半導體管芯之間的鈍化層，以及鈍化層直接接合至第二半導體管芯的第二層間介電層。半導體器件結構還包括位于通穴中并且直接接合至第二半導體管芯的第二導電線的導電部件。半導體器件結構還包括位于導電部件和鈍化層之間的第二阻擋層，第二阻擋層覆蓋導電部件的側壁和導電部件的靠近第一半導體管芯的表面。本發(fā)明實施例涉及具有堆疊半導體管芯的半導體器件結構。

技術研發(fā)人員：高敏峰;楊敦年;劉人誠;黃薰瑩
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.12.21
技術公布日：2017.07.18